YuanStem 20多能干細(xì)胞培養(yǎng)基使用說(shuō)明書(shū)
YuanStem 20多能干細(xì)胞培養(yǎng)基
YuanStem 8多能干細(xì)胞培養(yǎng)基
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面對(duì)全球半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)鏈的不確定性,中清航科構(gòu)建了多元化的供應(yīng)鏈體系。與國(guó)內(nèi)200余家質(zhì)優(yōu)供應(yīng)商建立長(zhǎng)期合作關(guān)系,關(guān)鍵部件實(shí)現(xiàn)多源供應(yīng),同時(shí)在各地建立備件中心,儲(chǔ)備充足的易損件與中心部件,確保設(shè)備維修與升級(jí)時(shí)的備件及時(shí)供應(yīng),縮短設(shè)備停機(jī)時(shí)間。晶圓切割設(shè)備的能耗成本在長(zhǎng)期運(yùn)行中占比較大,中清航科通過(guò)能效優(yōu)化設(shè)計(jì),使設(shè)備的單位能耗降低至0.5kWh/片(12英寸晶圓),較行業(yè)平均水平降低35%。采用智能休眠技術(shù),設(shè)備閑置時(shí)自動(dòng)進(jìn)入低功耗模式,進(jìn)一步節(jié)約能源消耗,為客戶(hù)降低長(zhǎng)期運(yùn)營(yíng)成本。中清航科推出切割工藝保險(xiǎn)服務(wù),承保因切割導(dǎo)致的晶圓損失。鎮(zhèn)江sic晶圓切割劃片廠(chǎng)

針對(duì)小批量多品種的研發(fā)型生產(chǎn)需求,中清航科提供柔性化切割解決方案。其模塊化設(shè)計(jì)的切割設(shè)備可在30分鐘內(nèi)完成不同規(guī)格晶圓的換型調(diào)整,配合云端工藝數(shù)據(jù)庫(kù),存儲(chǔ)超過(guò)1000種標(biāo)準(zhǔn)工藝參數(shù),工程師可快速調(diào)用并微調(diào),大幅縮短新產(chǎn)品導(dǎo)入周期,為科研機(jī)構(gòu)與初創(chuàng)企業(yè)提供靈活高效的加工支持。晶圓切割后的檢測(cè)環(huán)節(jié)直接關(guān)系到后續(xù)封裝的質(zhì)量。中清航科將AI視覺(jué)檢測(cè)技術(shù)與切割設(shè)備深度融合,通過(guò)深度學(xué)習(xí)算法自動(dòng)識(shí)別切割面的微裂紋、缺口等缺陷,檢測(cè)精度達(dá)0.5μm,檢測(cè)速度提升至每秒300個(gè)Die,實(shí)現(xiàn)切割與檢測(cè)的一體化流程,避免不良品流入下道工序造成的浪費(fèi)。連云港芯片晶圓切割代工廠(chǎng)晶圓切割后清洗設(shè)備中清航科專(zhuān)利設(shè)計(jì),殘留顆粒<5個(gè)/片。

中清航科注重與科研機(jī)構(gòu)的合作創(chuàng)新,與國(guó)內(nèi)多所高校共建半導(dǎo)體切割技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。圍繞晶圓切割的前沿技術(shù)開(kāi)展研究,如原子層切割、超高頻激光切割等,已申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利50余項(xiàng),其中“一種基于飛秒激光的晶圓超精細(xì)切割方法”獲得國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利金獎(jiǎng),推動(dòng)行業(yè)技術(shù)進(jìn)步。晶圓切割設(shè)備的軟件系統(tǒng)是其智能化的中心,中清航科自主開(kāi)發(fā)了切割控制軟件,具備友好的人機(jī)交互界面與強(qiáng)大的功能。支持多種格式的晶圓版圖文件導(dǎo)入,可自動(dòng)生成切割路徑,同時(shí)提供離線(xiàn)編程功能,可在不影響設(shè)備運(yùn)行的情況下完成新程序的編制與模擬,提高設(shè)備利用率。
晶圓切割設(shè)備是用于半導(dǎo)體制造中,將晶圓精確切割成單個(gè)芯片的關(guān)鍵設(shè)備。這類(lèi)設(shè)備通常要求高精度、高穩(wěn)定性和高效率,以確保切割出的芯片質(zhì)量符合標(biāo)準(zhǔn)。晶圓切割設(shè)備的技術(shù)參數(shù)包括切割能力、空載轉(zhuǎn)速、額定功率等,這些參數(shù)直接影響到設(shè)備的切割效率和切割質(zhì)量。例如,切割能力決定了設(shè)備能處理的晶圓尺寸和厚度,空載轉(zhuǎn)速和額定功率則關(guān)系到設(shè)備的切割速度和穩(wěn)定性。此外,設(shè)備的電源類(lèi)型、電源電壓等也是重要的考慮因素,它們影響到設(shè)備的兼容性和使用范圍?,F(xiàn)在店內(nèi)正好有切割設(shè)備,具備較高的切割能力(Ф135X6),空載轉(zhuǎn)速達(dá)到2280rpm,電源電壓為380V,適用于多種切割需求。晶圓切割后分選設(shè)備中清航科集成方案,效率達(dá)6000片/小時(shí)。

晶圓切割的主要目標(biāo)之一是從每片晶圓中獲得高產(chǎn)量的、功能完整且無(wú)損的芯片。產(chǎn)量是半導(dǎo)體制造中的一個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo),因?yàn)樗苯佑绊戨娮悠骷a(chǎn)的成本和效率。更高的產(chǎn)量意味著每個(gè)芯片的成本更造能力更大,制造商更能滿(mǎn)足不斷增長(zhǎng)的電子器件需求。晶圓切割直接影響到包含這些分離芯片的電子器件的整體性能。切割過(guò)程的精度和準(zhǔn)確性需要確保每個(gè)芯片按照設(shè)計(jì)規(guī)格分離,尺寸和對(duì)準(zhǔn)的變化小。這種精度對(duì)于在終設(shè)備中實(shí)現(xiàn)比較好電氣性能、熱管理和機(jī)械穩(wěn)定性至關(guān)重要。切割粉塵在線(xiàn)監(jiān)測(cè)中清航科傳感器精度達(dá)0.01μm顆粒物檢測(cè)。臺(tái)州12英寸半導(dǎo)體晶圓切割
中清航科切割機(jī)節(jié)能模式降低功耗40%,年省電費(fèi)超15萬(wàn)元。鎮(zhèn)江sic晶圓切割劃片廠(chǎng)
隨著芯片輕薄化趨勢(shì),中清航科DBG(先切割后研磨)與SDBG(半切割后研磨)設(shè)備采用漸進(jìn)式壓力控制技術(shù),切割階段只切入晶圓1/3厚度,經(jīng)背面研磨后自動(dòng)分離。該方案將100μm以下晶圓碎片率降至0.01%,已應(yīng)用于5G射頻模塊量產(chǎn)線(xiàn)。冷卻液純度直接影響切割良率。中清航科納米級(jí)過(guò)濾系統(tǒng)可去除99.99%的0.1μm顆粒,配合自主研發(fā)的抗靜電添加劑,減少硅屑附著造成的短路風(fēng)險(xiǎn)。智能溫控模塊維持液體粘度穩(wěn)定,延長(zhǎng)刀片壽命200小時(shí)以上呢。鎮(zhèn)江sic晶圓切割劃片廠(chǎng)