IXYS艾賽斯MCD44-18iO1B

超級(jí)結(jié) MOS 管（SJ-MOS）是 Ixys 艾賽斯在 MOS 管技術(shù)上的重大突破，通過 P 型與 N 型交替的外延層結(jié)構(gòu)，突破了傳統(tǒng) MOS 管 “導(dǎo)通電阻 - 擊穿電壓” 的制約關(guān)系，實(shí)現(xiàn)高耐壓與低導(dǎo)通損耗的雙重優(yōu)勢。其電壓等級(jí)覆蓋 600V-1.2kV，電流至 200A，反向恢復(fù)電荷*為傳統(tǒng) MOS 管的 1/3，開關(guān)損耗降低 50% 以上。采用先進(jìn)的平面柵設(shè)計(jì)與離子注入工藝，確保器件在高頻工況下穩(wěn)定運(yùn)行，dv/dt 耐受能力可達(dá) 5000V/μs。在光伏逆變器、高頻開關(guān)電源、不間斷電源（UPS）等高頻高效場景中，SJ-MOS 管成為提升系統(tǒng)能效的**器件。Ixys艾賽斯IGBT具備高擊穿電壓與大電流容量，單模塊可承載數(shù)千伏電壓、數(shù)百安培電流。IXYS艾賽斯MCD44-18iO1B

高壓整流橋模塊是 Ixys 艾賽斯針對(duì)高電壓應(yīng)用開發(fā)的**產(chǎn)品，通過強(qiáng)化的芯片結(jié)構(gòu)與封裝工藝，實(shí)現(xiàn)了超高反向耐壓特性，電壓等級(jí)覆蓋 3000V-6500V，電流范圍從 50A 到 2000A。模塊內(nèi)部采用串聯(lián)芯片堆疊技術(shù)，配合精確的電壓均衡設(shè)計(jì)，確保各芯片承受的電壓均勻分配，避免局部過壓擊穿。封裝采用平板型（Press-Pack）或高壓 MODULE 形式，絕緣性能優(yōu)異，爬電距離符合國際高壓標(biāo)準(zhǔn)，且具備良好的散熱性能。在高壓直流輸電（HVDC）換流站、高壓電機(jī)勵(lì)磁電源、工業(yè)高頻加熱設(shè)備等高壓場景中，高壓整流橋模塊作為**整流器件，實(shí)現(xiàn)了高電壓交流電向直流電的穩(wěn)定轉(zhuǎn)換，保障了高壓系統(tǒng)的可靠運(yùn)行。IXYS艾賽斯MCD44-18iO1B艾賽斯始終以客戶為中心，提供從產(chǎn)品到技術(shù)支持的全鏈條服務(wù)。

新能源汽車充電機(jī)對(duì)整流效率與可靠性要求極高，Ixys 艾賽斯整流橋模塊為其提供了高效的前端整流解決方案。充電機(jī)中多采用三相整流橋模塊，將電網(wǎng)交流電轉(zhuǎn)換為直流電后，再通過 DC-DC 轉(zhuǎn)換器為動(dòng)力電池充電。模塊具備高電流密度特性（可達(dá) 5A/mm2），適配快充場景的大電流需求，低導(dǎo)通壓降特性降低了整流損耗，使充電機(jī)轉(zhuǎn)換效率突破 96%。封裝采用耐高溫設(shè)計(jì)，能適應(yīng)充電機(jī)長時(shí)間高負(fù)載運(yùn)行的溫升環(huán)境，且具備良好的抗振動(dòng)、沖擊性能，適配車載或戶外充電樁的安裝需求。在直流快充樁、車載充電機(jī)（OBC）等設(shè)備中，整流橋模塊確保了充電過程的高效與安全，縮短了充電時(shí)間。

Ixys 艾賽斯二極管模塊普遍采用直接銅鍵合（DCB）載板封裝技術(shù)，通過陶瓷絕緣層將銅箔與芯片緊密鍵合，形成高效的散熱路徑。DCB 載板不僅絕緣性能優(yōu)異，導(dǎo)熱系數(shù)可達(dá) 200W/(m?K) 以上，遠(yuǎn)超傳統(tǒng) FR4 基板，能快速將芯片產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)至散熱片。模塊封裝形式涵蓋緊湊型 SOT227B、標(biāo)準(zhǔn) MODULE 封裝及定制化大功率封裝，部分型號(hào)集成溫度傳感器，便于實(shí)時(shí)監(jiān)測模塊溫度。此外，封裝邊緣采用圓角設(shè)計(jì)與阻燃材料，通過 UL 安全認(rèn)證，在提升散熱效率的同時(shí)，保障了電氣安全與機(jī)械可靠性。Ixys艾賽斯可控硅模塊采用先進(jìn)的平面鈍化芯片技術(shù)，提升了長期穩(wěn)定性，減少故障發(fā)生概率。

Ixys 艾賽斯 MOS 管采用多元化封裝技術(shù)適配不同功率場景，中小功率型號(hào)采用 TO-220、TO-247 等通孔封裝與 SOP、QFN 等表面貼裝封裝，體積小巧，適配消費(fèi)電子與小型電源設(shè)備；大功率型號(hào)采用 MODULE 封裝，內(nèi)置直接銅鍵合（DCB）載板，陶瓷絕緣層導(dǎo)熱系數(shù)達(dá) 200W/(m?K)，配合多芯片并聯(lián)設(shè)計(jì)，快速導(dǎo)出熱量；高壓 SiC MOS 管采用陶瓷金屬封裝，提升耐高溫與絕緣性能。部分**型號(hào)集成溫度傳感器與電流檢測芯片，實(shí)現(xiàn)狀態(tài)實(shí)時(shí)監(jiān)測，封裝材料通過 UL、IEC 認(rèn)證，在 - 55℃至 225℃環(huán)境中穩(wěn)定工作，兼顧電氣安全與機(jī)械可靠性。IXYS艾賽斯模塊UPS系統(tǒng)中防反接，保障斷電切換時(shí)電力連續(xù)。IXYS艾賽斯MCD44-18iO1B

Ixys艾賽斯可控硅模塊，具備出色的電壓阻斷能力，可承受高達(dá)數(shù)千伏的反向電壓，保障電路安全。IXYS艾賽斯MCD44-18iO1B

光伏逆變器中，Ixys 艾賽斯二極管模塊主要用于續(xù)流回路與防反接保護(hù)。在逆變器的功率變換環(huán)節(jié)，快恢復(fù)或肖特基二極管模塊作為續(xù)流器件，在功率開關(guān)管關(guān)斷時(shí)為濾波電感的儲(chǔ)能提供釋放路徑，其低損耗特性直接提升逆變器的轉(zhuǎn)換效率，部分型號(hào)可使逆變器效率突破 99%。防反接二極管模塊則串聯(lián)在光伏陣列與逆變器之間，當(dāng)光伏組件正負(fù)極接反時(shí)，模塊截止阻斷電流，避免逆變器內(nèi)部電路燒毀。模塊具備高可靠性與寬溫度適應(yīng)范圍，能在 - 40℃至 175℃的環(huán)境中穩(wěn)定工作，適配不同氣候條件下的光伏電站需求。IXYS艾賽斯MCD44-18iO1B