普陀區(qū)半導(dǎo)體晶圓加熱盤

來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-11-16

國瑞熱控針對(duì)氮化鎵外延生長工藝,開發(fā)**加熱盤適配 MOCVD 設(shè)備需求。采用高純石墨基材表面噴涂氮化鋁涂層,在 1200℃高溫下熱膨脹系數(shù)與藍(lán)寶石襯底匹配,避免襯底開裂風(fēng)險(xiǎn),熱導(dǎo)率達(dá) 150W/mK,確保熱量均勻傳遞至襯底表面。內(nèi)部設(shè)計(jì) 8 組**加熱模塊,通過 PID 精密控制實(shí)現(xiàn) ±0.5℃的控溫精度,精細(xì)匹配氮化鎵外延層生長的溫度窗口(1050℃-1150℃)。設(shè)備配備惰性氣體導(dǎo)流通道,減少反應(yīng)氣體湍流導(dǎo)致的薄膜缺陷,與中微公司 MOCVD 設(shè)備聯(lián)合調(diào)試,使外延層厚度均勻性誤差控制在 3% 以內(nèi),為 5G 射頻器件、電力電子器件量產(chǎn)提供**溫控支持。嚴(yán)格老化測(cè)試檢驗(yàn),確保產(chǎn)品零缺陷,品質(zhì)保證。普陀區(qū)半導(dǎo)體晶圓加熱盤

普陀區(qū)半導(dǎo)體晶圓加熱盤,加熱盤

針對(duì)晶圓清洗后的烘干環(huán)節(jié),國瑞熱控**加熱盤以潔凈高效的特性適配嚴(yán)苛需求。產(chǎn)品采用高純不銹鋼基材,表面經(jīng)電解拋光與鈍化處理,粗糙度 Ra 小于 0.2μm,減少水分子附著與雜質(zhì)殘留。加熱面采用蜂窩狀導(dǎo)熱結(jié)構(gòu),使熱量均勻分布,晶圓表面溫度差控制在 ±2℃以內(nèi),避免因局部過熱導(dǎo)致的晶圓翹曲。溫度調(diào)節(jié)范圍覆蓋 50℃至 150℃,支持階梯式升溫程序,適配不同清洗液的烘干需求。設(shè)備整體采用無死角結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),清潔時(shí)*需用高純酒精擦拭即可,符合半導(dǎo)體制造的高潔凈標(biāo)準(zhǔn),為清洗后晶圓的干燥質(zhì)量與后續(xù)工藝銜接提供保障。浦東新區(qū)晶圓級(jí)陶瓷加熱盤供應(yīng)商模塊化設(shè)計(jì)理念,維護(hù)更換簡單快捷,大幅降低運(yùn)維成本。

普陀區(qū)半導(dǎo)體晶圓加熱盤,加熱盤

借鑒空間站 “雙波長激光加熱” 原理,國瑞熱控開發(fā)半導(dǎo)體激光加熱盤,適配極端高溫材料制備。采用氮化鋁陶瓷基體嵌入激光吸收層,表面可承受 3000℃以上局部高溫,配合半導(dǎo)體激光與二氧化碳激光協(xié)同加熱,實(shí)現(xiàn) “表面強(qiáng)攻 + 內(nèi)部滲透” 的加熱效果。加熱區(qū)域直徑可在 10mm-200mm 間調(diào)節(jié),溫度響應(yīng)時(shí)間小于 1 秒,控溫精度 ±1℃,支持脈沖式加熱模式。設(shè)備配備紅外測(cè)溫與激光功率閉環(huán)控制系統(tǒng),在鎢合金、鈮合金等耐熱材料研發(fā)中應(yīng)用,為航空航天等**領(lǐng)域提供極端環(huán)境模擬工具。

國瑞熱控快速退火**加熱盤以高頻響應(yīng)特性適配 RTP 工藝需求,采用紅外輻射與電阻加熱復(fù)合技術(shù),升溫速率突破 50℃/ 秒,可在數(shù)秒內(nèi)將晶圓加熱至 1000℃以上。加熱盤選用低熱慣性的氮化鋁陶瓷材質(zhì),搭配多組**溫控模塊,通過 PID 閉環(huán)控制實(shí)現(xiàn)溫度快速調(diào)節(jié),降溫速率達(dá) 30℃/ 秒,有效減少熱預(yù)算對(duì)晶圓性能的影響。表面噴涂抗熱震涂層,可承受反復(fù)快速升降溫循環(huán)而無開裂風(fēng)險(xiǎn),使用壽命超 20000 次循環(huán)。設(shè)備集成溫度實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)系統(tǒng),與應(yīng)用材料 Centura、東京電子 Trias 等主流爐管設(shè)備兼容,為先進(jìn)制程中的離子***、缺陷修復(fù)工藝提供可靠支持。寬泛工作溫度范圍,滿足低溫烘烤到高溫?zé)Y(jié)不同需求。

普陀區(qū)半導(dǎo)體晶圓加熱盤,加熱盤

國瑞熱控光刻膠烘烤加熱盤以微米級(jí)溫控精度支撐光刻工藝,采用鋁合金基體與陶瓷覆層復(fù)合結(jié)構(gòu),表面粗糙度 Ra 小于 0.1μm,減少光刻膠涂布缺陷。加熱面劃分 6 個(gè)**溫控區(qū)域,通過仿真優(yōu)化的加熱元件布局,使溫度均勻性達(dá) ±0.5℃,避免烘烤過程中因溫度差異導(dǎo)致的光刻膠膜厚不均。溫度調(diào)節(jié)范圍覆蓋 60℃至 150℃,升溫速率 10℃/ 分鐘,搭配無接觸紅外測(cè)溫系統(tǒng),實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)晶圓表面溫度并動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)。設(shè)備兼容 6 英寸至 12 英寸光刻機(jī)配套需求,與 ASML、尼康等設(shè)備的制程參數(shù)匹配,為光刻膠的軟烘、堅(jiān)膜等關(guān)鍵步驟提供穩(wěn)定溫控環(huán)境。表面硬度強(qiáng)化處理,耐磨耐刮擦,保持長期美觀實(shí)用。半導(dǎo)體晶圓加熱盤定制

精確穩(wěn)定溫度環(huán)境,提升產(chǎn)品質(zhì)量一致性,是關(guān)鍵工藝保障。普陀區(qū)半導(dǎo)體晶圓加熱盤

國瑞熱控深耕半導(dǎo)體加熱盤國產(chǎn)化研發(fā),針對(duì)進(jìn)口設(shè)備的技術(shù)壁壘與供應(yīng)風(fēng)險(xiǎn),推出全套替代方案。方案涵蓋6英寸至12英寸不同規(guī)格加熱盤,材質(zhì)包括鋁合金、氮化鋁陶瓷等,可直接替換Kyocera、CoorsTek等國際品牌同型號(hào)產(chǎn)品,且在溫度均勻性、控溫精度等關(guān)鍵指標(biāo)上達(dá)到同等水平。通過與國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商的聯(lián)合開發(fā),實(shí)現(xiàn)加熱盤與國產(chǎn)設(shè)備的深度適配,解決進(jìn)口產(chǎn)品安裝調(diào)試復(fù)雜、售后服務(wù)滯后等問題。替代方案不僅在采購成本上較進(jìn)口產(chǎn)品降低30%以上,且交貨周期縮短至45天以內(nèi),大幅提升供應(yīng)鏈穩(wěn)定性。已為國內(nèi)多家半導(dǎo)體制造企業(yè)提供國產(chǎn)化替代服務(wù),助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控,推動(dòng)國內(nèi)半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。普陀區(qū)半導(dǎo)體晶圓加熱盤

無錫市國瑞熱控科技有限公司是一家有著先進(jìn)的發(fā)展理念,先進(jìn)的管理經(jīng)驗(yàn),在發(fā)展過程中不斷完善自己,要求自己,不斷創(chuàng)新,時(shí)刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司,在江蘇省等地區(qū)的電工電氣中匯聚了大量的人脈以及**,在業(yè)界也收獲了很多良好的評(píng)價(jià),這些都源自于自身的努力和大家共同進(jìn)步的結(jié)果,這些評(píng)價(jià)對(duì)我們而言是比較好的前進(jìn)動(dòng)力,也促使我們?cè)谝院蟮牡缆飞媳3謯^發(fā)圖強(qiáng)、一往無前的進(jìn)取創(chuàng)新精神,努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個(gè)新高度,在全體員工共同努力之下,全力拼搏將共同無錫市國瑞熱控科技供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來,創(chuàng)造更有價(jià)值的產(chǎn)品,我們將以更好的狀態(tài),更認(rèn)真的態(tài)度,更飽滿的精力去創(chuàng)造,去拼搏,去努力,讓我們一起更好更快的成長!

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