PCI-E測試DDR測試規(guī)格尺寸

對于DDR2-800，這所有的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都適用，只是有少許的差別。然而，也是知道的，菊花鏈?zhǔn)酵負(fù)浣Y(jié)構(gòu)被證明在SI方面是具有優(yōu)勢的。對于超過兩片的SDRAM，通常，是根據(jù)器件的擺放方式不同而選擇相應(yīng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。圖3顯示了不同擺放方式而特殊設(shè)計(jì)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，在這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，只有A和D是適合4層板的PCB設(shè)計(jì)。然而，對于DDR2-800，所列的這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都能滿足其波形的完整性，而在DDR3的設(shè)計(jì)中，特別是在1600Mbps時，則只有D是滿足設(shè)計(jì)的。DDR工作原理與時序問題；PCI-E測試DDR測試規(guī)格尺寸

DDR測試按照存儲信息方式的不同，隨機(jī)存儲器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲器SRAM(StaticRAM)和動態(tài)隨機(jī)存儲器DRAM(DynamicRAM)。SRAM運(yùn)行速度較快、時延小、控制簡單，但是SRAM每比特的數(shù)據(jù)存儲需要多個晶體管，不容易實(shí)現(xiàn)大的存儲容量，主要用于一些對時延和速度有要求但又不需要太大容量的場合，如一些CPU芯片內(nèi)置的緩存等。DRAM的時延比SRAM大，而且需要定期的刷新，控制電路相對復(fù)雜。但是由于DRAM每比特?cái)?shù)據(jù)存儲只需要一個晶體管，因此具有集成度高、功耗低、容量大、成本低等特點(diǎn)，目前已經(jīng)成為大容量RAM的主流，典型的如現(xiàn)在的PC、服務(wù)器、嵌入式系統(tǒng)上用的大容量內(nèi)存都是DRAM。智能化多端口矩陣測試DDR測試PCI-E測試DDR測試USB眼圖測試設(shè)備？

這里有三種方案進(jìn)行對比考慮：一種是，通過過孔互聯(lián)的這個過孔附近沒有任何地過孔，那么，其返回路徑只能通過離此過孔250mils的PCB邊緣來提供；第二種是，一根長達(dá)362mils的微帶線；第三種是，在一個信號線的四周有四個地過孔環(huán)繞著。圖6顯示了帶有60Ohm的常規(guī)線的S-Parameters，從圖中可以看出，帶有四個地過孔環(huán)繞的信號過孔的S-Parameters就像一根連續(xù)的微帶線，從而提高了S21特性。

由此可知，在信號過孔附近缺少返回路徑的情況下，則此信號過孔會增高其阻抗。當(dāng)今的高速系統(tǒng)里，在時延方面顯得尤為重要。

7.時序?qū)τ跁r序的計(jì)算和分析在一些相關(guān)文獻(xiàn)里有詳細(xì)的介紹，下面列出需要設(shè)置和分析的8個方面：1）寫建立分析：DQvs.DQS2）寫保持分析：DQvs.DQS3）讀建立分析：DQvs.DQS4）讀保持分析：DQvs.DQS5）寫建立分析：DQSvs.CLK6）寫保持分析：DQSvs.CLK7）寫建立分析：ADDR/CMD/CNTRLvs.CLK8）寫保持分析：ADDR/CMD/CNTRLvs.CLK

一個針對寫建立（WriteSetup）分析的例子。表中的一些數(shù)據(jù)需要從控制器和存儲器廠家獲取，段”Interconnect”的數(shù)據(jù)是取之于SI仿真工具。對于DDR2上面所有的8項(xiàng)都是需要分析的，而對于DDR3，5項(xiàng)和6項(xiàng)不需要考慮。在PCB設(shè)計(jì)時，長度方面的容差必須要保證totalmargin是正的。 DDR規(guī)范里關(guān)于信號建立保持是的定義；

如何測試DDR？

DDR測試有具有不同要求的兩個方面：芯片級測試DDR芯片測試既在初期晶片階段也在封裝階段進(jìn)行。采用的測試儀通常是內(nèi)存自動測試設(shè)備，其價值一般在數(shù)百萬美元以上。測試儀的部分是一臺可編程的高分辨信號發(fā)生器。測試工程師通過編程來模擬實(shí)際工作環(huán)境；另外，他也可以對計(jì)時脈沖邊沿前后進(jìn)行微調(diào)來尋找平衡點(diǎn)。自動測試儀（ATE）系統(tǒng)也存在缺陷。它產(chǎn)生的任意波形數(shù)量受制于其本身的后備映象隨機(jī)內(nèi)存和算法生成程序。由于映象隨機(jī)內(nèi)存深度的局限性，使波形只能在自己的循環(huán)內(nèi)重復(fù)。因?yàn)镈DR帶寬和速度是普通SDR的二倍，所以波形變化也應(yīng)是其二倍。因此，測試儀的映象隨機(jī)內(nèi)存容量會很快被消耗殆盡。為此，要保證一定的測試分辨率，就必須增大測試儀的內(nèi)存。建立測試頭也是一個棘手的問題。因?yàn)镈DR內(nèi)存的數(shù)據(jù)讀取窗口有1—2ns，所以管腳驅(qū)動器的上升和下降時間非常關(guān)鍵。為保證在數(shù)據(jù)眼中心進(jìn)行信號轉(zhuǎn)換，需要較好的管腳驅(qū)動器轉(zhuǎn)向速度。在頻率為266MHz時，開始出現(xiàn)傳輸線反射。設(shè)計(jì)工程師發(fā)現(xiàn)在設(shè)計(jì)測試平臺時必須遵循直線律。為保證信號的統(tǒng)一性，必須對測試頭布局進(jìn)行傳輸線模擬。管腳驅(qū)動器強(qiáng)度必須能比較大限度降低高頻信號反射。 DDR3信號質(zhì)量自動測試軟件報(bào)告；智能化多端口矩陣測試DDR測試PCI-E測試

DDR內(nèi)存條電路原理圖；PCI-E測試DDR測試規(guī)格尺寸

DDR測試

DDR信號的要求是針對DDR顆粒的引腳上的，但是通常DDR芯片采用BGA封裝，引腳無法直接測試到。即使采用了BGA轉(zhuǎn)接板的方式，其測試到的信號與芯片引腳處的信號也仍然有一些差異。為了更好地得到芯片引腳處的信號質(zhì)量，一種常用的方法是在示波器中對PCB走線和測試夾具的影響進(jìn)行軟件的去嵌入(De-embedding)操作。去嵌入操作需要事先知道整個鏈路上各部分的S參數(shù)模型文件(通常通過仿真或者實(shí)測得到),并根據(jù)實(shí)際測試點(diǎn)和期望觀察到的點(diǎn)之間的傳輸函數(shù)，來計(jì)算期望位置處的信號波形，再對這個信號做進(jìn)一步的波形參數(shù)測量和統(tǒng)計(jì)。圖5.15展示了典型的DDR4和DDR5信號質(zhì)量測試環(huán)境，以及在示波器中進(jìn)行去嵌入操作的界面。 PCI-E測試DDR測試規(guī)格尺寸