YuanStem 20多能干細胞培養(yǎng)基使用說明書
YuanStem 20多能干細胞培養(yǎng)基
YuanStem 8多能干細胞培養(yǎng)基
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DDR測試
DDR內(nèi)存的典型使用方式有兩種:一種是在嵌入式系統(tǒng)中直接使用DDR顆粒,另一種是做成DIMM條(DualIn-lineMemoryModule,雙列直插內(nèi)存模塊,主要用于服務(wù)器和PC)或SO-DIMM(SmallOutlineDIMM,小尺寸雙列直插內(nèi)存,主要用于筆記本)的形式插在主板上使用。在服務(wù)器領(lǐng)域,使用的內(nèi)存條主要有UDIMM、RDIMM、LRDIMM等。UDIMM(UnbufferedDIMM,非緩沖雙列直插內(nèi)存)沒有額外驅(qū)動電路,延時較小,但數(shù)據(jù)從CPU傳到每個內(nèi)存顆粒時,UDIMM需要保證CPU到每個內(nèi)存顆粒之間的傳輸距離相等,設(shè)計難度較大,因此UDIMM在容量和頻率上都較低,通常應(yīng)用在性能/容量要求不高的場合。 DDR4關(guān)于信號建立保持是的定義;USB測試DDR測試產(chǎn)品介紹

DDR測試
除了DDR以外,近些年隨著智能移動終端的發(fā)展,由DDR技術(shù)演變過來的LPDDR(Low-PowerDDR,低功耗DDR)也發(fā)展很快。LPDDR主要針對功耗敏感的應(yīng)用場景,相對于同一代技術(shù)的DDR來說會采用更低的工作電壓,而更低的工作電壓可以直接減少器件的功耗。比如LPDDR4的工作電壓為1.1V,比標準的DDR4的1.2V工作電壓要低一些,有些廠商還提出了更低功耗的內(nèi)存技術(shù),比如三星公司推出的LPDDR4x技術(shù),更是把外部I/O的電壓降到了0.6V。但是要注意的是,更低的工作電壓對于電源紋波和串擾噪聲會更敏感,其電路設(shè)計的挑戰(zhàn)性更大。除了降低工作電壓以外,LPDDR還會采用一些額外的技術(shù)來節(jié)省功耗,比如根據(jù)外界溫度自動調(diào)整刷新頻率(DRAM在低溫下需要較少刷新)、部分陣列可以自刷新,以及一些對低功耗的支持。同時,LPDDR的芯片一般體積更小,因此占用的PCB空間更小。 USB測試DDR測試產(chǎn)品介紹DDR4物理層一致性測試;

DDR測試
測試頭設(shè)計模擬針對測試的設(shè)計(DFT)當然收人歡迎,但卻不現(xiàn)實。因為自動測試儀的所需的測試時間與花費正比于內(nèi)存芯片的存儲容量。顯然測試大容量的DDR芯片花費是相當可觀的。新型DDR芯片的通用DFT功能一直倍受重視,所以人們不斷試圖集結(jié)能有效控制和觀察的內(nèi)部節(jié)點。DFT技術(shù),如JEDEC提出的采用并行測試模式進行多陣列同時測試。不幸的是由于過于要求芯片電路尺寸,該方案沒有被采納。DDR作為一種商品,必須比較大限度減小芯片尺寸來保持具有競爭力的價位。
4.為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種ddr4內(nèi)存信號測試方法、裝置及存儲介質(zhì),可以反映正常工作狀態(tài)下的波形,可以提高測試效率。5.為實現(xiàn)上述目的,本技術(shù)提出技術(shù)方案:6.一種ddr4內(nèi)存信號測試方法,所述方法包括以下步驟:7.s1,將服務(wù)器、ddr4內(nèi)存和示波器置于正常工作狀態(tài),然后利用示波器采集ddr4內(nèi)存中的相關(guān)信號并確定標志信號;8.s2,根據(jù)標志信號對示波器進行相關(guān)參數(shù)配置,利用示波器的觸發(fā)功能將ddr4內(nèi)存的信號進行讀寫信號分離;9.s3,利用示波器對分離后的讀寫信號進行測試。10.在本發(fā)明的一個實施例中,所述將服務(wù)器、ddr4內(nèi)存和示波器置于正常工作狀態(tài),然后利用示波器采集ddr4內(nèi)存中的相關(guān)信號并確定標志信號,具體包括:11.將示波器與ddr4內(nèi)存的相關(guān)信號引腳進行信號連接;12.將服務(wù)器、ddr4內(nèi)存和示波器置于正常工作狀態(tài);13.利用示波器對ddr4內(nèi)存的相關(guān)信號進行采集并根據(jù)相關(guān)信號的波形確定標志信號。DDR4規(guī)范里關(guān)于信號建立;

如何測試DDR?
DDR測試有具有不同要求的兩個方面:芯片級測試DDR芯片測試既在初期晶片階段也在封裝階段進行。采用的測試儀通常是內(nèi)存自動測試設(shè)備,其價值一般在數(shù)百萬美元以上。測試儀的部分是一臺可編程的高分辨信號發(fā)生器。測試工程師通過編程來模擬實際工作環(huán)境;另外,他也可以對計時脈沖邊沿前后進行微調(diào)來尋找平衡點。自動測試儀(ATE)系統(tǒng)也存在缺陷。它產(chǎn)生的任意波形數(shù)量受制于其本身的后備映象隨機內(nèi)存和算法生成程序。由于映象隨機內(nèi)存深度的局限性,使波形只能在自己的循環(huán)內(nèi)重復。因為DDR帶寬和速度是普通SDR的二倍,所以波形變化也應(yīng)是其二倍。因此,測試儀的映象隨機內(nèi)存容量會很快被消耗殆盡。為此,要保證一定的測試分辨率,就必須增大測試儀的內(nèi)存。建立測試頭也是一個棘手的問題。因為DDR內(nèi)存的數(shù)據(jù)讀取窗口有1—2ns,所以管腳驅(qū)動器的上升和下降時間非常關(guān)鍵。為保證在數(shù)據(jù)眼中心進行信號轉(zhuǎn)換,需要較好的管腳驅(qū)動器轉(zhuǎn)向速度。在頻率為266MHz時,開始出現(xiàn)傳輸線反射。設(shè)計工程師發(fā)現(xiàn)在設(shè)計測試平臺時必須遵循直線律。為保證信號的統(tǒng)一性,必須對測試頭布局進行傳輸線模擬。管腳驅(qū)動器強度必須能比較大限度降低高頻信號反射。 DDR協(xié)議檢查后生成的測試報告;測量DDR測試測試流程
DDR內(nèi)存條電路原理圖;USB測試DDR測試產(chǎn)品介紹
DDR測試
DDR4/5與LPDDR4/5的信號質(zhì)量測試由于基于DDR顆?;駾DRDIMM的系統(tǒng)需要適配不同的平臺,應(yīng)用場景千差萬別,因此需要進行詳盡的信號質(zhì)量測試才能保證系統(tǒng)的可靠工作。對于DDR4及以下的標準來說,物理層一致性測試主要是發(fā)送的信號質(zhì)量測試;對于DDR5標準來說,由于接收端出現(xiàn)了均衡器,所以還要包含接收測試。DDR信號質(zhì)量的測試也是使用高帶寬的示波器。對于DDR的信號,技術(shù)規(guī)范并沒有給出DDR信號上升/下降時間的具體參數(shù),因此用戶只有根據(jù)使用芯片的實際快上升/下降時間來估算需要的示波器帶寬。通常對于DDR3信號的測試,推薦的示波器和探頭的帶寬在8GHz;DDR4測試建議的測試系統(tǒng)帶寬是12GHz;而DDR5測試則推薦使用16GHz以上帶寬的示波器和探頭系統(tǒng)。 USB測試DDR測試產(chǎn)品介紹