YuanStem 20多能干細胞培養(yǎng)基使用說明書
YuanStem 20多能干細胞培養(yǎng)基
YuanStem 8多能干細胞培養(yǎng)基
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DDR3一致性測試是一種用于檢查和驗證DDR3內(nèi)存模塊在數(shù)據(jù)操作和傳輸方面一致性的測試方法。通過進行一致性測試,可以確保內(nèi)存模塊在工作過程中能夠按照預期的方式讀取、寫入和傳輸數(shù)據(jù)。
一致性測試通常涵蓋以下方面:
電氣特性測試:對內(nèi)存模塊的電壓、時鐘頻率、時序等電氣特性進行測試,以確保其符合規(guī)范要求。
讀寫測試:驗證內(nèi)存模塊的讀取和寫入功能是否正常,并確保數(shù)據(jù)的正確性和一致性。
數(shù)據(jù)一致性檢查:通過檢查讀取的數(shù)據(jù)與預期的數(shù)據(jù)是否一致來驗證內(nèi)存模塊的數(shù)據(jù)傳輸準確性。
時序一致性測試:確認內(nèi)存模塊的時序設置是否正確,并檢查內(nèi)存模塊對不同命令和操作的響應是否符合規(guī)范。
并發(fā)訪問測試:測試內(nèi)存模塊在并發(fā)訪問和多任務環(huán)境下的性能和穩(wěn)定性。
一致性測試有助于檢測潛在的內(nèi)存問題,如數(shù)據(jù)傳輸錯誤、時序不一致、并發(fā)訪問等,以確保內(nèi)存模塊在計算機系統(tǒng)中的正常運行。這種測試可以提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性,并減少不一致性可能帶來的數(shù)據(jù)損壞或系統(tǒng)故障。 如何確保DDR3內(nèi)存模塊的兼容性進行一致性測試?廣西USB測試DDR3測試

每個 DDR 芯片獨享 DQS,DM 信號;四片 DDR 芯片共享 RAS#,CAS#,CS#,WE#控制信號。·DDR 工作頻率為 133MHz。·DDR 控制器選用 Xilinx 公司的 FPGA,型號為 XC2VP30_6FF1152C。得到這個設計需求之后,我們首先要進行器件選型,然后根據(jù)所選的器件,準備相關的設計資料。一般來講,對于經(jīng)過選型的器件,為了使用這個器件進行相關設計,需要有如下資料。
· 器件數(shù)據(jù)手冊 Datasheet:這個是必須要有的。如果沒有器件手冊,是沒有辦法進行設計的(一般經(jīng)過選型的器件,設計工程師一定會有數(shù)據(jù)手冊)。 測量DDR3測試規(guī)格尺寸DDR3一致性測試期間如何設置測試環(huán)境?

走線阻抗/耦合檢查
走線阻抗/耦合檢查流程在PowerSI和SPEED2000中都有,流程也是一樣的。本例通過 Allegro Sigrity SI 啟動 Trace Impedance/Coupling Check,自動調(diào)用 PowerSI 的流程。下面通過實例來介紹走線阻抗/耦合檢查的方法。
啟動 Allegro Sigrity SI,打開 DDR_Case_C。單擊菜單 AnalyzeTrace Impedance/Coupling Check,在彈出的 SPDLINK Xnet Selection 窗口 中單擊 OK 按鈕。整個.brd 文件將被轉(zhuǎn)換成.spd文件,并自動在PowerSI軟件界面中打開。
單擊Impedance Plot (expanded),展開顯示所有網(wǎng)絡走線的阻抗彩圖。雙擊彩圖 上的任何線段,對應的走線會以之前定義的顏色在Layout窗口中高亮顯示。
單擊Impedance Table,可以詳細查看各個網(wǎng)絡每根走線詳細的阻抗相關信息,內(nèi) 容包括走線名稱、走線長度百分比、走線阻抗、走線長度、走線距離發(fā)送端器件的距離、走 線延時,
單擊Impedance Overlay in Layout,可以直接在Layout視圖中查看走線的阻抗。在 Layer Selection窗口中單擊層名稱,可以切換到不同層查看走線阻抗視圖。 進行DDR3一致性測試時如何準備備用內(nèi)存模塊?

DDR 規(guī)范的時序要求
在明確了規(guī)范中的 DC 和 AC 特性要求之后,下一步,我們還應該了解規(guī)范中對于信號的時序要求。這是我們所設計的 DDR 系統(tǒng)能夠正常工作的基本條件。
在規(guī)范文件中,有很多時序圖,筆者大致計算了一下,有 40 個左右。作為高速電路設計的工程師,我們不可能也沒有時間去做全部的仿真波形來和規(guī)范的要求一一對比驗證,那么哪些時序圖才是我們關注的重點?事實上,在所有的這些時序圖中,作為 SI 工程師,我們需要關注的只有兩個,那就是規(guī)范文件的第 69 頁,關于數(shù)據(jù)讀出和寫入兩個基本的時序圖(注意,這里的讀出和寫入是從 DDR 控制器,也即 FPGA 的角度來講的)。為方便讀者閱讀,筆者把這兩個時序圖拼在了一起,而其他的時序圖的實現(xiàn)都是以這兩個圖為基礎的。在板級系統(tǒng)設計中,只要滿足了這兩個時序圖的質(zhì)量,其他的時序關系要求都是對這兩個時序圖邏輯功能的擴展,應該是 DDR 控制器的邏輯設計人員所需要考慮的事情。 如何解決DDR3一致性測試期間出現(xiàn)的錯誤?智能化多端口矩陣測試DDR3測試聯(lián)系人
如何執(zhí)行DDR3的一致性測試?廣西USB測試DDR3測試
重復以上步驟,分別對Meml?Mem4分配模型并建立總線時序關系,置完其中一個,單擊0K按鈕并在彈出窗口單擊Copy按鈕,將會同時更新其他Memory 模塊。
3.分配互連模型有3種方法可設置互連部分的模型:第1種是將已有的SPICE電路模型或S參數(shù)模型分配給相應模塊;第2種是根據(jù)疊層信息生成傳輸線模型;第3種是將互連模塊與印制電路板或封裝板關聯(lián),利用模型提取工具按需提取互連模型。對前兩種方法大家比較熟悉,這里以第3種方法為例介紹其使用過程。 廣西USB測試DDR3測試