YuanStem 20多能干細胞培養(yǎng)基使用說明書
YuanStem 20多能干細胞培養(yǎng)基
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常見的信號質(zhì)量包括閾值電平、Overshoot、Undershoot、Slew Rate> tDVAC等,DDRx 信號質(zhì)量的每個參數(shù)JEDEC都給出了明確的規(guī)范。比如DDR3要求Overshoot和Undershoot 分別為0.4V,也就是說信號幅值P?P值應(yīng)該在-0.4-1.9V,但在實際應(yīng)用中由于不適合信號 端接使DDR信號質(zhì)量變差,通過仿真就可以找出合適端接,使信號質(zhì)量滿足JEDEC規(guī)范。 下面以DDR3 1066Mbps信號為例,通過一個實際案例說明DDR3信號質(zhì)量仿真。
在本案例中客戶反映實測CLK信號質(zhì)量不好。CLK信號從CUP (U100)出來經(jīng)過4片 DDR3 (U101、U102、U103、U104),在靠近控制芯片接收端顆粒(近的顆粒)的信號很 差,系統(tǒng)工作不到DDR3 1066Mbpso在對時鐘信號做了終端上拉匹配后,可以正常工作。 DDR3內(nèi)存的一致性測試包括哪些內(nèi)容?海南智能化多端口矩陣測試DDR3測試

DDR3: DDR3釆用SSTL_15接口,I/O 口工作電壓為1.5V;時鐘信號頻率為400? 800MHz;數(shù)據(jù)信號速率為800?1600Mbps,通過差分選通信號雙沿釆樣;地址/命令/控制信 號在1T模式下速率為400?800Mbps,在2T模式下速率為200?400Mbps;數(shù)據(jù)和選通信號 仍然使用點對點或樹形拓撲,時鐘/地址/命令/控制信號則改用Fly-by的拓撲布線;數(shù)據(jù)和選 通信號有動態(tài)ODT功能;使用Write Leveling功能調(diào)整時鐘和選通信號間因不同拓撲引起的 延時偏移,以滿足時序要求。海南智能化多端口矩陣測試DDR3測試DDR3一致性測試是否可以修復一致性問題?

為了改善地址信號多負載多層級樹形拓撲造成的信號完整性問題,DDR3/4的地址、控制、命令和時鐘信號釆用了Fly-by的拓撲結(jié)構(gòu)種優(yōu)化了負載樁線的菊花鏈拓撲。另外,在主板加內(nèi)存條的系統(tǒng)設(shè)計中,DDR2的地址命令和控制信號一般需要在主板上加匹配電阻,而DDR3則將終端匹配電阻設(shè)計在內(nèi)存條上,在主板上不需要額外電阻,這樣可以方便主板布線,也可以使匹配電阻更靠近接收端。為了解決使用Fly-by拓撲岀現(xiàn)的時鐘信號和選通信號“等長”問題,DDR3/4采用了WriteLeveling技術(shù)進行時序補償,這在一定程度上降低了布線難度,特別是弱化了字節(jié)間的等長要求。不同于以往DDRx使用的SSTL電平接口,新一代DDR4釆用了POD電平接口,它能夠有效降低單位比特功耗。DDR4內(nèi)存也不再使用SlewRateDerating技術(shù),降低了傳統(tǒng)時序計算的復雜度。
有其特殊含義的,也是DDR體系結(jié)構(gòu)的具體體現(xiàn)。而遺憾的是,在筆者接觸過的很多高速電路設(shè)計人員中,很多人還不能夠說清楚這兩個圖的含義。在數(shù)據(jù)寫入(Write)時序圖中,所有信號都是DDR控制器輸出的,而DQS和DQ信號相差90°相位,因此DDR芯片才能夠在DQS信號的控制下,對DQ和DM信號進行雙沿采樣:而在數(shù)據(jù)讀出(Read)時序圖中,所有信號是DDR芯片輸出的,并且DQ和DQS信號是同步的,都是和時鐘沿對齊的!這時候為了要實現(xiàn)對DQ信號的雙沿采樣,DDR控制器就需要自己去調(diào)整DQS和DQ信號之間的相位延時!!!這也就是DDR系統(tǒng)中比較難以實現(xiàn)的地方。DDR規(guī)范這樣做的原因很簡單,是要把邏輯設(shè)計的復雜性留在控制器一端,從而使得外設(shè)(DDR存儲心片)的設(shè)計變得簡單而廉價。因此,對于DDR系統(tǒng)設(shè)計而言,信號完整性仿真和分析的大部分工作,實質(zhì)上就是要保證這兩個時序圖的正確性。一致性測試是否適用于服務(wù)器上的DDR3內(nèi)存模塊?

DDRhDDRl釆用SSTL_2接口,1/0 口工作電壓為2.5V;時鐘信號頻率為100?200MHz; 數(shù)據(jù)信號速率為200?400 Mbps,通過單端選通信號雙邊沿釆樣;地址/命令/控制信號速率為 100?200Mbps,通過時鐘信號上升沿采樣;信號走線都使用樹形拓撲,沒有ODT功能。
DDR2: DDR2釆用SSTL_18接口,I/O 口工作電壓為1.8V;時鐘信號頻率為200? 400MHz;數(shù)據(jù)信號速率為400?800Mbps,在低速率下可選擇使用單端選通信號,但在高速 率時需使用差分選通信號以保證釆樣的準確性;地址/命令/控制信號在每個時鐘上升沿釆樣的 情況下(1T模式)速率為200?400Mbps,在每個間隔時鐘上升沿釆樣的情況下(2T模式) 速率減半;信號走線也都使用樹形拓撲,數(shù)據(jù)和選通信號有ODT功能。 如何進行DDR3內(nèi)存模塊的熱插拔一致性測試?北京DDR3測試聯(lián)系方式
DDR3一致性測試是否適用于非服務(wù)器計算機?海南智能化多端口矩陣測試DDR3測試
所示的窗口有Pin Mapping和Bus Definition兩個選項卡,Pin Mapping跟IBIS 規(guī)范定義的Pin Mapping 一樣,它指定了每個管腳對應(yīng)的Pullup> Pulldown、GND Clamp和 Power Clamp的對應(yīng)關(guān)系;Bus Definition用來定義總線Bus和相關(guān)的時鐘參考信號。對于包 含多個Component的IBIS模型,可以通過右上角Component T拉列表進行選擇。另外,如果 提供芯片每條I/O 口和電源地網(wǎng)絡(luò)的分布參數(shù)模型,則可以勾選Explicit IO Power and Ground Terminals選項,將每條I/O 口和其對應(yīng)的電源地網(wǎng)絡(luò)對應(yīng)起來,以更好地仿真SSN效應(yīng),這 個選項通常配合Cadence XcitePI的10 Model Extraction功能使用。海南智能化多端口矩陣測試DDR3測試