國(guó)產(chǎn)替代GEN測(cè)試系統(tǒng)廠家

國(guó)產(chǎn)替代的“自主基石” 在美國(guó)對(duì)華**半導(dǎo)體設(shè)備禁運(yùn)的背景下，國(guó)產(chǎn)測(cè)試機(jī)成為“卡脖子”環(huán)節(jié)的突圍重點(diǎn)。杭州國(guó)磊GT600作為國(guó)產(chǎn)**SoC測(cè)試平臺(tái)，支持C++編程、Visual Studio開發(fā)環(huán)境，軟件系統(tǒng)開放可控，避免依賴國(guó)外“黑盒子”軟件。其硬件架構(gòu)靈活，16個(gè)通用插槽可適配國(guó)產(chǎn)探針臺(tái)、分選機(jī)，實(shí)現(xiàn)全鏈路本土化集成。交期短、響應(yīng)快、可定制，滿足華為、比亞迪等企業(yè)對(duì)供應(yīng)鏈安全與數(shù)據(jù)保密的嚴(yán)苛要求。杭州國(guó)磊GT600的出現(xiàn)，標(biāo)志著中國(guó)在**測(cè)試設(shè)備領(lǐng)域從“跟跑”向“并跑”邁進(jìn)。它不僅是工具，更是中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控戰(zhàn)略的“隱形支柱”，為國(guó)產(chǎn)芯片的持續(xù)創(chuàng)新提供堅(jiān)實(shí)底座。國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)通過輸入/輸出電平測(cè)試（VIH/VIL,VOH/VOL）驗(yàn)證數(shù)字接口的高低電平閾值與驅(qū)動(dòng)能力。國(guó)產(chǎn)替代GEN測(cè)試系統(tǒng)廠家

Chiplet時(shí)代的“互聯(lián)驗(yàn)證者” Chiplet（芯粒）技術(shù)通過將大芯片拆分為小芯片再集成，突破摩爾定律瓶頸，成為先進(jìn)制程的重要方向。然而，小芯片間的高速互聯(lián)（如UCIe）對(duì)信號(hào)完整性、功耗、時(shí)序提出極高要求。杭州國(guó)磊GT600憑借400MHz測(cè)試速率與100ps邊沿精度，可精確測(cè)量Chiplet間接口的信號(hào)延遲與抖動(dòng)。其高精度SMU可驗(yàn)證微凸塊（Micro-bump）的供電穩(wěn)定性，檢測(cè)微小電壓降。PPMU則用于測(cè)量封裝后各芯粒的**功耗，確保能效優(yōu)化。杭州國(guó)磊GT600的模塊化設(shè)計(jì)也便于擴(kuò)展，可針對(duì)不同芯粒配置**測(cè)試板卡。在Chiplet技術(shù)快速發(fā)展的***，杭州國(guó)磊GT600以高精度互聯(lián)驗(yàn)證能力，為國(guó)產(chǎn)先進(jìn)封裝芯片的可靠性與性能保駕護(hù)航。GEN3測(cè)試設(shè)備供應(yīng)商國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)512Sites高并行測(cè)試架構(gòu)，提升集成了HBM的AI/GPU芯片的測(cè)試吞吐量。

在全球半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備長(zhǎng)期被美日巨頭壟斷的背景下，杭州國(guó)磊推出的GT600 SoC測(cè)試機(jī)標(biāo)志著中國(guó)在**數(shù)字測(cè)試領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)關(guān)鍵突破。該設(shè)備支持高達(dá)400 MHz的測(cè)試速率和**多2048個(gè)數(shù)字通道，足以覆蓋當(dāng)前主流AI芯片、高性能計(jì)算SoC及車規(guī)級(jí)芯片的驗(yàn)證需求。其模塊化架構(gòu)不僅提升了測(cè)試靈活性，還***降低了客戶部署成本。更重要的是，GT600實(shí)現(xiàn)了從硬件到軟件的全棧自主可控，有效規(guī)避了“卡脖子”風(fēng)險(xiǎn)。在中美科技競(jìng)爭(zhēng)加劇、國(guó)產(chǎn)芯片加速落地的大環(huán)境下，GT600不僅是一臺(tái)測(cè)試設(shè)備，更是保障中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈安全的戰(zhàn)略支點(diǎn)，為國(guó)內(nèi)設(shè)計(jì)公司提供了可信賴、高效率、低成本的本土化驗(yàn)證平臺(tái)。

數(shù)據(jù)中心芯片的“能效裁判” 在“雙碳”目標(biāo)下，數(shù)據(jù)中心能耗成為焦點(diǎn)，芯片能效比（Performance per Watt）成為**指標(biāo)。杭州國(guó)磊GT600通過PPMU精確測(cè)量AI加速芯片、服務(wù)器CPU的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)功耗，結(jié)合FVMI（強(qiáng)制電壓測(cè)電流）模式，繪制完整的功耗-性能曲線，幫助設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)優(yōu)化電壓頻率調(diào)節(jié)（DVFS）策略。其FIMV模式還可檢測(cè)芯片在高負(fù)載下的電壓跌落，防止因供電不穩(wěn)導(dǎo)致死機(jī)。杭州國(guó)磊GT600支持長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定性測(cè)試，模擬數(shù)據(jù)中心7x24小時(shí)運(yùn)行場(chǎng)景，篩選出“耐力型”芯片。512站點(diǎn)并行測(cè)試大幅降低單顆芯片測(cè)試時(shí)間與成本，適配萬片級(jí)量產(chǎn)需求。杭州國(guó)磊GT600不僅是性能的驗(yàn)證者，更是能效的“精算師”，助力國(guó)產(chǎn)芯片在綠色計(jì)算時(shí)代贏得市場(chǎng)。高精度電壓輸出與測(cè)量，確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。

可穿戴設(shè)備的“微功耗**” AI眼鏡、智能手表等可穿戴設(shè)備依賴電池供電，對(duì)SoC功耗極其敏感。一顆芯片若待機(jī)漏電超標(biāo)，可能導(dǎo)致設(shè)備“一天三充”。杭州國(guó)磊GT600的PPMU可精確測(cè)量nA級(jí)靜態(tài)電流（Iddq），相當(dāng)于每秒流過數(shù)億個(gè)電子的微小電流，能識(shí)別芯片內(nèi)部的“隱形漏電點(diǎn)”。通過FVMI模式，杭州國(guó)磊GT600可在不同電壓下測(cè)試芯片功耗，驗(yàn)證其電源門控（Power Gating）與休眠喚醒機(jī)制是否有效。其高精度測(cè)量能力確保只有“省電體質(zhì)”的芯片進(jìn)入量產(chǎn)。同時(shí)，杭州國(guó)磊GT600支持混合信號(hào)測(cè)試，可驗(yàn)證傳感器融合、語音喚醒等低功耗功能。在追求“輕薄長(zhǎng)續(xù)航”的可穿戴市場(chǎng)，杭州國(guó)磊GT600以“微電流級(jí)”檢測(cè)能力，為國(guó)產(chǎn)芯片的用戶體驗(yàn)提供底層保障。專業(yè)的技術(shù)支持團(tuán)隊(duì)，為您提供周到的服務(wù)。高阻測(cè)試系統(tǒng)工藝

國(guó)磊GT600可使用AWG生成模擬輸入信號(hào)，Digitizer捕獲輸出，計(jì)算INL、DNL、SNR、THD等指標(biāo)。國(guó)產(chǎn)替代GEN測(cè)試系統(tǒng)廠家

醫(yī)療成像芯片 CT、MRI、內(nèi)窺鏡等設(shè)備的圖像傳感器（CIS）和圖像信號(hào)處理器（ISP）對(duì)圖像質(zhì)量要求極高。國(guó)磊GT600可通過高速數(shù)字通道測(cè)試ISP的圖像處理算法（如降噪、邊緣增強(qiáng)），并通過AWG注入模擬圖像信號(hào)，驗(yàn)證成像鏈路的完整性與色彩還原度。 4. 植入式醫(yī)療設(shè)備芯片 心臟起搏器、神經(jīng)刺激器等植入設(shè)備的芯片必須**功耗、超高可靠。國(guó)磊GT600的FVMI模式可精確測(cè)量uA級(jí)靜態(tài)電流，篩選出“省電體質(zhì)”芯片；其支持長(zhǎng)時(shí)間老化測(cè)試，可模擬10年以上使用壽命，確保植入后萬無一失。 綜上，國(guó)磊GT600以“高精度、高可靠、全功能”測(cè)試能力，為國(guó)產(chǎn)**醫(yī)療芯片的上市提供了堅(jiān)實(shí)的質(zhì)量保障。國(guó)產(chǎn)替代GEN測(cè)試系統(tǒng)廠家