應(yīng)用類型雙向可控硅的特性曲線圖4示出了雙向可控硅的特性曲線。由圖可見，雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個象限內(nèi)的曲線組合成的。***象限的曲線說明當(dāng)加到主電極上的電壓使Tc對T1的極性為正時，我們稱為正向電壓，并用符號U21表示。當(dāng)這個電壓逐漸增加到等于轉(zhuǎn)折電壓UBO時，圖3(b)左邊的可控硅就觸發(fā)導(dǎo)通，這時的通態(tài)電流為I21，方向是從T2流向Tl。從圖中可以看到，觸發(fā)電流越大，轉(zhuǎn)折電壓就越低，這種情形和普通可控硅的觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是一致的， 當(dāng)加到主電極上的電壓使Tl對T2的極性為正時，叫做反向電壓，并用符號U12表示。當(dāng)這個電壓達到轉(zhuǎn)折電壓值時，圖3（b）觸發(fā)導(dǎo)通，這時的電流為I12，其方向是...

（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅?？煽毓栝_關(guān)（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。額定通態(tài)電流（IT）即穩(wěn)定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。江蘇質(zhì)量可控硅模塊聯(lián)系方式[3](2)如果主電極T2仍...

常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路，等等?？煽毓璧闹饕獏?shù)有：1、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發(fā)信號，陽極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯担荒艹^手冊給出的這個參數(shù)值。3、 反向阻斷峰值電壓VPR 當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。由圖可見，雙向可控硅的特性曲線是由一、三...

若欲使可控硅關(guān)斷，也有兩個關(guān)斷條件：1） 使正向?qū)娏髦敌∮谄涔ぷ骶S持電流值；2） 使 A、K 之間電壓反向?？梢?，可控硅器件若用于直流電路，一旦為觸發(fā)信號開通，并保持一定幅度的流通電流 的話，則可控硅會一直保持開通狀態(tài)。除非將電源開斷一次，才能使其關(guān)斷。若用于交流電 路，則在其承受正向電壓期間，若接受一個觸發(fā)信號，則一直保持導(dǎo)通，直到電壓過零點到 來，因無流通電流而自行關(guān)斷。在承受反向電壓期間，即使送入觸發(fā)信號，可控硅也因 A、 K 間電壓反向，而保持于截止?fàn)顟B(tài)。 可控硅器件因工藝上的離散性，其觸發(fā)電壓、觸發(fā)電流值和導(dǎo)通壓降，很難有統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)?？煽毓杵骷刂票举|(zhì)上如同三極管一樣，為電流控制...

若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關(guān)以快速接通或切斷電路，實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣，其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進入了強電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運輸、***科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑...

用R×1k或R×10k擋測陽極和控制極之間的電阻，正反向測量阻值均應(yīng)幾百千歐以上。用R×1k或R×100擋，測控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右，如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或為無窮大，表明控制極和陰極之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞。反向阻值應(yīng)很大，但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。萬用表選電阻R×1擋，將黑表筆接陽極，紅表筆仍接陰極，此時萬用表指針應(yīng)不動。紅表筆接陰極不動，黑表筆在不脫開陽極的同時用表筆尖去瞬間短接控制極，此時萬用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽極接黑表筆，陰極接紅表筆時，萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說明該單向可控硅已擊穿損壞。按關(guān)斷速度分類：可...

2、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋，對于1~6A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極，指針應(yīng)指示幾十歐至一百歐，此時可控硅已被觸發(fā)，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流小）。然后瞬時斷開A極再接通，指針應(yīng)退回∞位置，則表明可控硅良好。?對于1~6A雙向可控硅，紅筆接T1極，黑筆同時接G、T2極，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極，指針應(yīng)指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小、廠家不同而異）。然后將兩筆對調(diào)，重復(fù)上述步驟測一次，指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好，且觸發(fā)電壓（或電流）小。?可控硅(Silicon Controlled Rec...

可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊（semiconductor module）。**早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件?？煽毓枘K從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA）、普通整流管模塊（MDC）、普通晶閘管、整流管混合模塊（MFC）、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC）、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機**模塊MTG\MDG）、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）、單相（三相）整流...

電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。電壓測方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。首先，可以把從陰極向上數(shù)的***、二、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1，經(jīng)放大，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1。因為BG1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2...

電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。電壓測方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。首先，可以把從陰極向上數(shù)的***、二、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1，經(jīng)放大，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1。因為BG1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2...

用R×1k或R×10k擋測陽極和控制極之間的電阻，正反向測量阻值均應(yīng)幾百千歐以上。用R×1k或R×100擋，測控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右，如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或為無窮大，表明控制極和陰極之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞。反向阻值應(yīng)很大，但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。萬用表選電阻R×1擋，將黑表筆接陽極，紅表筆仍接陰極，此時萬用表指針應(yīng)不動。紅表筆接陰極不動，黑表筆在不脫開陽極的同時用表筆尖去瞬間短接控制極，此時萬用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽極接黑表筆，陰極接紅表筆時，萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說明該單向可控硅已擊穿損壞。控制極與陰極之間是...

四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式由于在雙向可控硅的主電極上，無論加以正向電壓或是反向電壓，也不管觸發(fā)信號是正向還是反向，它都能被觸發(fā)導(dǎo)通，因此它有以下四種觸發(fā)方式：(1)當(dāng)主電極T2對Tl所加的電壓為正向電壓，控制極G對***電極Tl所加的也是正向觸發(fā)信號（圖5a）。雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后，電流I2l的方向從T2流向T1。由特性曲線可知，這時雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是按***象限的特性進行的，又因為觸發(fā)信號是正向的，所以把這種觸發(fā)叫做“***象限的正向觸發(fā)”或稱為I+觸發(fā)方式。 [它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。江蘇應(yīng)用可控硅模塊銷售廠家（五）按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度...

[3](2)如果主電極T2仍加正向電壓，而把觸發(fā)信號改為反向信號(圖5b)，這時雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后，通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發(fā)叫做“***象限的負觸發(fā)”或稱為I-觸發(fā)方式。(3)兩個主電極加上反向電壓U12(圖5c)，輸入正向觸發(fā)信號，雙向可控硅導(dǎo)通后，通態(tài)電流從T1流向T2。雙向可控硅按第三象限特性曲線工作，因此把這種觸發(fā)叫做Ⅲ+觸發(fā)方式。 (4)兩個主電極仍然加反向電壓U12，輸入的是反向觸發(fā)信號(圖5d)，雙向可控硅導(dǎo)通后，通態(tài)電流仍從T1流向T2。這種觸發(fā)就叫做Ⅲ-觸發(fā)方式。 雙向可控硅雖然有以上四種觸發(fā)方式，但由于負信號觸發(fā)所需要的觸發(fā)電壓和電流都比較小。工作...

1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。額定電流：IA小于2A。2：大；**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等?？煽毓鑿耐庑紊戏种饕新菪?、平板式和平底式三種，螺旋式的應(yīng)用較多?？煽毓栌腥齻€電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個PN結(jié)?？煽毓韬椭挥幸粋€PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電...

為了克服上述問題，可以在端子MT1和MT2之間加一個RC網(wǎng)絡(luò)來限制電壓的變化，以防止誤觸發(fā)。一般，電阻取100R，電容取100nF。值得注意的是此電阻不能省掉。3、關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率當(dāng)負載電流增大，電源頻率的增高或電源為非正弦波時，會使轉(zhuǎn)換電流變化率變高，這種情況**易在感性負載的情況下發(fā)生，很容易導(dǎo)致器件的損壞。此時可以在負載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感。4、關(guān)于可控硅(晶閘管)開路電壓變化率DVD/DT在處于截止?fàn)顟B(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個小于它的VDFM的高速變化的電壓時，內(nèi)部電容的電流會產(chǎn)生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導(dǎo)通?？煽毓枋强煽毓枵髟暮喎Q，是一種具有三個PN...

用R×1k或R×10k擋測陽極和控制極之間的電阻，正反向測量阻值均應(yīng)幾百千歐以上。用R×1k或R×100擋，測控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右，如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或為無窮大，表明控制極和陰極之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞。反向阻值應(yīng)很大，但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。萬用表選電阻R×1擋，將黑表筆接陽極，紅表筆仍接陰極，此時萬用表指針應(yīng)不動。紅表筆接陰極不動，黑表筆在不脫開陽極的同時用表筆尖去瞬間短接控制極，此時萬用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽極接黑表筆，陰極接紅表筆時，萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說明該單向可控硅已擊穿損壞?？刂茦O觸發(fā)電流（I...

（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅?？煽毓栝_關(guān)（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝?？煽毓枋强煽毓枵髟暮喎Q，是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。江蘇新型可控硅模塊銷售廠家應(yīng)用類型雙向可控硅的特性曲線圖...

觸發(fā)電壓范圍一般為 1.5V-3V 左右，觸發(fā)電流為 10mA-幾百 mA 左右。峰值觸發(fā) 電壓不宜超過10V，峰值觸發(fā)電流也不宜超過 2A。A、K 間導(dǎo)通壓降為 1-2V [1]。雙向可控硅單向可控硅的工作原理圖雙向可控硅具有兩個方向輪流導(dǎo)通、關(guān)斷的特性。雙向可控硅實質(zhì)上是兩個反并聯(lián)的單向可控硅，是由NPNPN五層半導(dǎo)體形成四個PN結(jié)構(gòu)成、有三個電極的半導(dǎo)體器件。由于主電極的構(gòu)造是對稱的（都從N層引出），所以它的電極不像單向可控硅那樣分別叫陽極和陰極，而是把與控制極相近的叫做***電極T1，另一個叫做第二電極T2。雙向可控硅的主要缺點是承受電壓上升率的能力較低。這是因為雙向可控硅在一個方向?qū)?..

4、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的**小控制極電流和電壓。5、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的**小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號使其導(dǎo)通，用負觸發(fā)信號使其關(guān)斷的可控硅等等?？煽毓栌卸喾N分類方法。（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。體積小、重量...

1、智能功率模塊（ipms） 智能功率模塊的特點在于除了功率半導(dǎo)體器件外，還有驅(qū)動電路。許多ipm模塊也配備了溫度傳感器和電流平衡電路或用于電流測量的分流電阻。通常智能功率模塊也集成了額外保護和監(jiān)測功能，如過電流和短路保護，驅(qū)動器電源電壓控制和直流母線電壓測量等。 然而，大部分智能功率模塊沒有對功率側(cè)的信號輸入進行電氣隔離。只有極少數(shù)的ipm包含了一個集成光耦。另一種隔離方案是采用變壓器 進行隔離。 雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。吳中區(qū)智能可控硅模塊聯(lián)系方式PNPN四層組成(2)可控硅由關(guān)斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通必須同時具備兩個條件:(1〕受正向陽極電壓;...

1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。額定電流：IA小于2A。2：大；**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等。可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋式的應(yīng)用較多。可控硅有三個電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個PN結(jié)?？煽毓韬椭挥幸粋€PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電...

晶閘管特性單向晶閘管的結(jié)構(gòu)與符號為了能夠直觀地認識晶閘管的工作特性，大家先看這塊示教板（圖3）。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來，通過開關(guān)S接在直流電源上。注意陽極A是接電源的正極，陰極K接電源的負極，控制極G通過按鈕開關(guān)SB接在1.5V直流電源的正極（這里使用的是KP1型晶閘管，若采用KP5型，應(yīng)接在3V直流電源的正極）。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接，也就是說，給晶閘管陽極和控制極所加的都是正向電壓。合上電源開關(guān)S，小燈泡不亮，說明晶閘管沒有導(dǎo)通；再按一下按鈕開關(guān)SB，給控制極輸入一個觸發(fā)電壓，小燈泡亮了，說明晶閘管導(dǎo)通了。這個演示實驗給了我們什么啟發(fā)呢?反應(yīng)極快，在微秒級內(nèi)開通、關(guān)...

可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形?？煽毓柙慕Y(jié)構(gòu)不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。見圖1。它有三個PN結(jié)（J1、J2、J3），從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽極A，從N2層引出陰級K，從P2層引出控制極G，所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件。結(jié)構(gòu)原件可控硅類型可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個PN結(jié)，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成，其等效圖解如右圖所示。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管。這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，具有無火花、動作...

1、高壓晶閘管 2、用于未來能量轉(zhuǎn)換中的igbt和快速開關(guān)二極管 3、采用超級結(jié)技術(shù)的超高速開關(guān)器件 4、應(yīng)用于高功率電源的sic元件功率電子模塊的集成度 半導(dǎo)體模塊之間的差異，不僅*體現(xiàn)在連接技術(shù)方面。另一個差別因素是附加有源和無源器件的集成度。根據(jù)集成度不同，可分為以下幾類：標(biāo)準(zhǔn)模塊，智能功率模塊（ipm），（集成）子系統(tǒng)。在ipm被***使用（尤其在亞洲地區(qū)）的同時，集成子系統(tǒng)的使用只剛剛起步。 按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。相城區(qū)本地可控硅模塊哪里買電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，5...

可控硅導(dǎo)通條件：一是可控硅陽極與陰極間必須加正向電壓，二是控制極也要加正向電壓。以上兩個條件必須同時具備，可控硅才會處于導(dǎo)通狀態(tài)。另外，可控硅一旦導(dǎo)通后，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓，可控硅仍然導(dǎo)通。 可控硅關(guān)斷條件：降低或去掉加在可控硅陽極至陰極之間的正向電壓，使陽極電流小于**小維持電流以下。單向可控硅為具有三個 PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)，由**外層的 P 層、N 層引出兩個電極――陽 極 A 和陰極 K，由中間的 P 層引出控制極 G。電路符號好像為一只二極管，但好多一個引 出電極――控制極或觸發(fā)極 G。SCR 或 MCR 為英文縮寫名稱。這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，...

額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個，如表1一5所示。正反向重復(fù)蜂值屯壓級別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級，1000V以上的管子每200V為一級。取電壓教除以100做為級別標(biāo)志，如表1-6所示。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示，如表1一所示。例如.KP500-12D表示的是通態(tài)平均電流為500A,額定(正反向重復(fù)峰值)電壓為1200V，管壓降(通態(tài)平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅。綜上所述，小結(jié)如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三個電極，用硅半導(dǎo)體材料制成的管芯由大；塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。工業(yè)園區(qū)新型可...

1、高壓晶閘管 2、用于未來能量轉(zhuǎn)換中的igbt和快速開關(guān)二極管 3、采用超級結(jié)技術(shù)的超高速開關(guān)器件 4、應(yīng)用于高功率電源的sic元件功率電子模塊的集成度 半導(dǎo)體模塊之間的差異，不僅*體現(xiàn)在連接技術(shù)方面。另一個差別因素是附加有源和無源器件的集成度。根據(jù)集成度不同，可分為以下幾類：標(biāo)準(zhǔn)模塊，智能功率模塊（ipm），（集成）子系統(tǒng)。在ipm被***使用（尤其在亞洲地區(qū)）的同時，集成子系統(tǒng)的使用只剛剛起步。 不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。昆山使用可控硅模塊廠家現(xiàn)貨性能的差別將旋鈕撥至R×1擋，對于1~6A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時...

性能的差別將旋鈕撥至R×1擋，對于1~6A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極，指針應(yīng)指示幾十歐至一百歐，此時可控硅已被觸發(fā)，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流?。?。然后瞬時斷開A極再接通，指針應(yīng)退回∞位置，則表明可控硅良好。對于1~6A雙向可控硅，紅筆接T1極，黑筆同時接G、T2極，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極，指針應(yīng)指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小、廠家不同而異）。然后將兩筆對調(diào)，重復(fù)上述步驟測一次，指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好，且觸發(fā)電壓（或電流）小?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯?，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。高新區(qū)...

BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程，對可控硅來說，觸發(fā)信號加入控制極，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時間主要決定于可控硅的性能?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠大于Ib1，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通。此時觸發(fā)信號即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的最小值時，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然，如果Ea極性反接，BG1、B...

一個有趣的趨勢是將標(biāo)準(zhǔn)模塊升級為ipm?？芍苯踊蚴褂脦?qū)動電路（通過彈簧連接）的適配器板來進行升級。賽米控的skypertm驅(qū)動器是這方面理想的產(chǎn)品。 2、集成子系統(tǒng) 所有這些ipm的共同點是真實的“智能”，即將設(shè)定點值轉(zhuǎn)換成驅(qū)動脈沖序列的控制器不包含在模塊中。賽米控是250kw以下轉(zhuǎn)換器用集成子系統(tǒng)的**制造商。skaitm模塊也是ipm，其特點是集成了dsp控制器，除脈寬調(diào)制外，還可進行其它通信任務(wù)。這些子系統(tǒng)也包含集成直流環(huán)節(jié)電容器，一個輔助電源，精密電流傳感器和一個液體冷卻器。。大；塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。常熟好的可控硅模塊聯(lián)系方式可控...