選型需結(jié)合電路需求綜合判斷：一是確定參數(shù)匹配，ICM≥電路*大 IC 的 1.2 倍，PCM≥電路*大 PC 的 1.2 倍，V (BR) CEO≥電路*大電壓的 1.2 倍，β 根據(jù)放大需求選擇（放大電路選 β=50-100，開關(guān)電路選 β=20-50）；二是考慮封裝形式，直插電路選 TO-92，貼片電路選 SOT-23；三是關(guān)注溫度適應(yīng)性，高溫環(huán)境（如工業(yè)控制）選耐高溫型號（結(jié)溫≥175℃），低溫環(huán)境（如戶外設(shè)備）選耐低溫型號（工作溫度≤-40℃）；四是優(yōu)先選常用型號，性價比高且易采購，特殊需求（如高頻）選型號（如 S9018）。繼電器驅(qū)動電路中，需并續(xù)流二極管防線圈反向電動勢擊穿三極管。...

在電磁干擾（EMI）嚴重的環(huán)境（如工業(yè)車間、射頻設(shè)備附近），NPN 型小功率三極管電路需采取抗干擾措施：一是在電源端并聯(lián)去耦電容（0.1μF 陶瓷電容 + 10μF 電解電容），抑制電源噪聲；二是在基極串聯(lián)小電阻（100Ω~1kΩ），限制高頻干擾電流；三是采用屏蔽罩，隔離外部射頻干擾；四是優(yōu)化 PCB 布局，使輸入線與輸出線分開，避免交叉干擾。例如在汽車電子中的三極管驅(qū)動電路，電源端并聯(lián) 0.1μF 陶瓷電容和 47μF 電解電容，基極串聯(lián) 220Ω 電阻，PCB 上輸入回路與輸出回路垂直布局，有效降低發(fā)動機點火系統(tǒng)產(chǎn)生的 EMI 干擾。低頻管如 9014，fT 約 150MHz；高頻管如 S...

PWM 調(diào)光電路通過改變?nèi)龢O管導通時間（占空比）調(diào)節(jié) LED 亮度，占空比范圍受三極管開關(guān)速度和 LED 響應(yīng)時間限制。若占空比過低（如 95%），三極管導通時間過長，可能因 PC=IC×VCE 超過 PCM 導致過熱。例如 LED 工作電流 300mA，VCE=0.3V（飽和時），PC=90mW，選擇 PCM=200mW 的三極管（如 8050），占空比可設(shè)為 10%~90%，既避免閃爍，又確保功耗安全，同時 PWM 頻率需≥100Hz，超出人眼視覺暫留范圍。直接耦合無電容，適合低頻和直流，易集成但有零點漂移。華東地區(qū)高頻NPN型晶體三極管信噪比80dB電流放大系數(shù)是 NPN 型小功率晶體...

隨著電子技術(shù)發(fā)展，NPN 型小功率三極管向微型化、高集成化、低功耗方向發(fā)展，如 SOT-23 封裝進一步小型化為 SOT-323，功耗從幾百毫瓦降至幾十毫瓦。同時，部分場景下被替代：一是集成電路替代，如放大電路用運算放大器（如 LM358）替代分立三極管，簡化設(shè)計；二是 MOS 管替代，MOS 管（如 N 溝道增強型 MOS 管 IRLML2502）在開關(guān)電路中更具優(yōu)勢，導通電阻小、驅(qū)動電流低，適合低功耗場景；三是 GaN（氮化鎵）器件替代，在高頻、高壓場景（如快充電路）中，GaN 器件效率更高、散熱更好。但在簡單電路（如 LED 驅(qū)動、繼電器控制）中，NPN 型小功率三極管因成本低、易用性強...

繼電器線圈是感性負載，斷電時會產(chǎn)生反向電動勢，可能擊穿三極管。需在繼電器線圈兩端并聯(lián)續(xù)流二極管（如 1N4001），二極管正極接線圈負極，負極接線圈正極，當線圈斷電時，反向電動勢通過二極管形成回路，保護三極管。此外，若繼電器工作電流接近 ICM，需在基極增加限流電阻，避免 IB 過大導致三極管燒毀。例如 5V 繼電器線圈電阻 50Ω（工作電流 100mA），用 9013 管（ICM=500mA）驅(qū)動，除并聯(lián)續(xù)流二極管外，基極電阻 RB=(5-0.7)/1mA=4.3kΩ，確保 IB=1mA（β=100 時，IC=100mA），既滿足驅(qū)動需求，又避免過載。用它可做電池電量檢測器，電壓達標時 LE...

在實際電路設(shè)計中，選擇合適的 NPN 型小功率晶體三極管需要綜合考慮多方面因素，確保所選三極管能夠滿足電路的性能要求。首先，根據(jù)電路的工作電流確定集電極最大允許電流 ICM，必須保證電路中集電極的最大工作電流小于 ICM；其次，根據(jù)電路的工作電壓確定反向擊穿電壓，特別是集電極 - 發(fā)射極反向擊穿電壓 V (BR) CEO，要確保電路中的電源電壓和動態(tài)電壓峰值不超過 V (BR) CEO；然后，根據(jù)電路的功耗要求確定集電極最大允許功耗 PCM，通過計算三極管的實際功耗（PC=IC×VCE），確保 PC 小于 PCM，必要時可考慮加裝散熱片；另外，根據(jù)電路的放大需求選擇合適的電流放大系數(shù) β，對于...

電流放大系數(shù)是 NPN 型小功率晶體三極管的參數(shù)之一，根據(jù)測量條件的不同，主要分為直流電流放大系數(shù)（β）和交流電流放大系數(shù)（βac）。直流電流放大系數(shù) β 是指在靜態(tài)工作點處，集電極直流電流（ICQ）與基極直流電流（IBQ）的比值，即 β=ICQ/IBQ，它反映了三極管在直流狀態(tài)下的電流放大能力；交流電流放大系數(shù) βac 則是指在動態(tài)情況下，集電極電流的變化量（ΔIC）與基極電流的變化量（ΔIB）的比值，即 βac=ΔIC/ΔIB，主要用于衡量三極管對交流信號的放大能力。對于小功率 NPN 型三極管，在電流放大區(qū)域內(nèi)，β 和 βac 的數(shù)值非常接近，通常可以近似認為相等。需要注意的是，β 值并...

繼電器線圈是感性負載，斷電時會產(chǎn)生反向電動勢，可能擊穿三極管。需在繼電器線圈兩端并聯(lián)續(xù)流二極管（如 1N4001），二極管正極接線圈負極，負極接線圈正極，當線圈斷電時，反向電動勢通過二極管形成回路，保護三極管。此外，若繼電器工作電流接近 ICM，需在基極增加限流電阻，避免 IB 過大導致三極管燒毀。例如 5V 繼電器線圈電阻 50Ω（工作電流 100mA），用 9013 管（ICM=500mA）驅(qū)動，除并聯(lián)續(xù)流二極管外，基極電阻 RB=(5-0.7)/1mA=4.3kΩ，確保 IB=1mA（β=100 時，IC=100mA），既滿足驅(qū)動需求，又避免過載?；鶚O并加速電容，可縮短載流子存儲時間，加...

電流放大系數(shù) β 并非在所有頻率下都恒定，而是隨信號頻率升高而下降，這一特性用特征頻率 fT 描述，fT 是指 β 下降至 1 時的頻率，是衡量三極管高頻放大能力的關(guān)鍵參數(shù)。小功率 NPN 管的 fT 差異較大，低頻管（如 9014）fT 約 150MHz，高頻管（如 S9018）fT 可達 1GHz 以上。在實際應(yīng)用中，需確保工作頻率遠低于 fT（通常為 fT 的 1/5~1/10），才能保證穩(wěn)定的放大效果。例如在 FM 收音機中頻放大電路（工作頻率 10.7MHz）中，選擇 fT≥100MHz 的三極管（如 2SC1815，fT=110MHz），可避免因 β 下降導致的放大倍數(shù)不足。固定偏...

共基放大電路以基極接地，輸入信號加在 EB 間，輸出信號從 CB 間取出。NPN 型小功率管在該電路中工作在放大區(qū)，優(yōu)勢是頻率響應(yīng)好（上限截止頻率高），因基極接地減少了極間電容的影響，適合高頻信號放大；缺點是電流放大倍數(shù) < 1（Ai≈α

針對三極管參數(shù)隨溫度漂移的問題，可采用 NPN 管自身組成溫度補償電路，常見的有 diode 補償和三極管補償。diode 補償是將二極管與基極串聯(lián)，二極管正向壓降隨溫度變化與 VBE 一致（每升高 1℃，均下降 2-2.5mV），抵消 VBE 的漂移；三極管補償是用另一支同型號三極管的發(fā)射結(jié)與原三極管發(fā)射結(jié)并聯(lián)，利用兩只管子參數(shù)的一致性，使溫度漂移相互抵消。例如在共射放大電路中，基極串聯(lián) 1N4148 二極管，當溫度升高 10℃，VBE 下降 25mV，二極管正向壓降也下降 25mV，確保 IB 基本不變，IC 穩(wěn)定。再測反向截止性，反向應(yīng)顯示 “OL”，否則 PN 結(jié)漏電。工業(yè)領(lǐng)域特殊封裝...

貼片封裝（如 SOT-23、SOT-323）與直插封裝（TO-92）的 重要參數(shù)（ICM、PCM、β）相近，但散熱性能和安裝密度不同：直插封裝引腳長，散熱路徑長，PCM 通常略低（如 TO-92 封裝的 9013，PCM=625mW）；貼片封裝緊貼 PCB，可通過 PCB 銅箔散熱，PCM 可提升 10%~20%（如 SOT-23 封裝的 MMBT9013，PCM=700mW），且安裝密度高，適合小型化設(shè)備（如手機、智能手環(huán)）。直插封裝則適合手工焊接和高溫環(huán)境（引腳散熱好），如工業(yè)控制設(shè)備中的繼電器驅(qū)動電路，便于維修更換。溫度升高 1℃，VBE 下降 2-2.5mV，二極管正向壓降也同幅下降。...

ICEO 是基極開路時集電極 - 發(fā)射極反向電流，ICEO≈(1+β) ICBO，因 β 和 ICBO 均隨溫度升高而增大，ICEO 的溫度敏感性極強，會導致電路靜態(tài)電流增大，功耗上升。抑制 ICEO 的方法：一是選擇 ICBO 小的硅管，硅管 ICBO 遠小于鍺管；二是在基極與地之間接泄放電阻 RB，使 IB=ICEO/(1+β)，減小 ICEO 對 IC 的影響；三是采用分壓式偏置電路，通過 RE 的負反饋穩(wěn)定 IC。例如在高精度電流源電路中，基極接 100kΩ 泄放電阻，當 ICEO=10μA（β=100）時，IB=0.1μA，對 IC 的影響可忽略不計，確保電流源輸出穩(wěn)定。選 ICBO...

共集放大電路又稱射極輸出器，在該電路中，集電極作為公共電極，輸入信號加在基極和集電極之間，輸出信號從發(fā)射極和集電極之間取出。NPN 型小功率三極管在共集放大電路中同樣工作在放大區(qū)，其 重要特點是電壓放大倍數(shù)小于 1 且近似等于 1，輸出電壓與輸入電壓同相位，即輸出電壓跟隨輸入電壓變化，因此也被稱為電壓跟隨器。雖然共集放大電路的電壓放大能力較弱，但它具有輸入電阻高、輸出電阻低的優(yōu)點，輸入電阻高可以減小信號源的負載效應(yīng)，輸出電阻低則可以提高電路的帶負載能力，能夠驅(qū)動阻抗較低的負載。基于這些特點，共集放大電路常用于多級放大電路的輸入級、輸出級或中間隔離級，例如在測量儀器的輸入電路中，采用共集放大電路...

振蕩電路是一種無需外部輸入信號就能產(chǎn)生交流信號的電路，NPN 型小功率晶體三極管在振蕩電路中作為放大器件，為電路提供能量，以補償振蕩過程中的能量損耗，維持振蕩的持續(xù)進行。振蕩電路的工作需要滿足相位平衡條件和幅值平衡條件，相位平衡條件是指電路的總相移為 360°（或 0°），即反饋信號的相位與輸入信號的相位相同，形成正反饋；幅值平衡條件是指放大電路的放大倍數(shù)與反饋系數(shù)的乘積大于等于 1。常見的由 NPN 型小功率三極管組成的振蕩電路有 RC 橋式振蕩電路、LC 正弦波振蕩電路等。RC 橋式振蕩電路適用于低頻信號產(chǎn)生，輸出信號頻率由 RC 選頻網(wǎng)絡(luò)決定，常用于產(chǎn)生音頻范圍內(nèi)的正弦波信號，如函數(shù)信號...

NPN 型小功率三極管存在三個極間電容：發(fā)射結(jié)電容 Cbe、集電結(jié)電容 Cbc 和集電極 - 發(fā)射極電容 Cce，這些電容會影響三極管的高頻性能。Cbe 主要由發(fā)射結(jié)的勢壘電容和擴散電容組成，通常在幾十到幾百 pF；Cbc 數(shù)值較?。◣椎綆资?pF），但因跨接在輸入與輸出端，會形成密勒效應(yīng)，大幅降低電路的上限截止頻率；Cce 一般在幾 pF，對高頻影響相對較小。例如在 10MHz 以上的高頻電路中，若三極管 Cbc=10pF，密勒效應(yīng)會使等效輸入電容增至數(shù)百 pF，導致信號嚴重衰減，因此高頻應(yīng)用需選擇 Cbc 小的型號，如 S9018（Cbc≈2pF）。靜態(tài)工作點需通過偏置電路設(shè)置，確保三極管...

共集放大電路又稱射極輸出器，在該電路中，集電極作為公共電極，輸入信號加在基極和集電極之間，輸出信號從發(fā)射極和集電極之間取出。NPN 型小功率三極管在共集放大電路中同樣工作在放大區(qū)，其 重要特點是電壓放大倍數(shù)小于 1 且近似等于 1，輸出電壓與輸入電壓同相位，即輸出電壓跟隨輸入電壓變化，因此也被稱為電壓跟隨器。雖然共集放大電路的電壓放大能力較弱，但它具有輸入電阻高、輸出電阻低的優(yōu)點，輸入電阻高可以減小信號源的負載效應(yīng)，輸出電阻低則可以提高電路的帶負載能力，能夠驅(qū)動阻抗較低的負載?；谶@些特點，共集放大電路常用于多級放大電路的輸入級、輸出級或中間隔離級，例如在測量儀器的輸入電路中，采用共集放大電路...

NPN 型小功率三極管存在三個極間電容：發(fā)射結(jié)電容 Cbe、集電結(jié)電容 Cbc 和集電極 - 發(fā)射極電容 Cce，這些電容會影響三極管的高頻性能。Cbe 主要由發(fā)射結(jié)的勢壘電容和擴散電容組成，通常在幾十到幾百 pF；Cbc 數(shù)值較?。◣椎綆资?pF），但因跨接在輸入與輸出端，會形成密勒效應(yīng)，大幅降低電路的上限截止頻率；Cce 一般在幾 pF，對高頻影響相對較小。例如在 10MHz 以上的高頻電路中，若三極管 Cbc=10pF，密勒效應(yīng)會使等效輸入電容增至數(shù)百 pF，導致信號嚴重衰減，因此高頻應(yīng)用需選擇 Cbc 小的型號，如 S9018（Cbc≈2pF）。Cbc 易形成密勒效應(yīng)，大幅降低電路上限...

針對三極管參數(shù)隨溫度漂移的問題，可采用 NPN 管自身組成溫度補償電路，常見的有 diode 補償和三極管補償。diode 補償是將二極管與基極串聯(lián)，二極管正向壓降隨溫度變化與 VBE 一致（每升高 1℃，均下降 2-2.5mV），抵消 VBE 的漂移；三極管補償是用另一支同型號三極管的發(fā)射結(jié)與原三極管發(fā)射結(jié)并聯(lián)，利用兩只管子參數(shù)的一致性，使溫度漂移相互抵消。例如在共射放大電路中，基極串聯(lián) 1N4148 二極管，當溫度升高 10℃，VBE 下降 25mV，二極管正向壓降也下降 25mV，確保 IB 基本不變，IC 穩(wěn)定。檢測其好壞可先用萬用表測PN結(jié)導通性，再估測β，正向壓降異常或β過低均說明...

隨著電子技術(shù)發(fā)展，NPN 型小功率三極管向微型化、高集成化、低功耗方向發(fā)展，如 SOT-23 封裝進一步小型化為 SOT-323，功耗從幾百毫瓦降至幾十毫瓦。同時，部分場景下被替代：一是集成電路替代，如放大電路用運算放大器（如 LM358）替代分立三極管，簡化設(shè)計；二是 MOS 管替代，MOS 管（如 N 溝道增強型 MOS 管 IRLML2502）在開關(guān)電路中更具優(yōu)勢，導通電阻小、驅(qū)動電流低，適合低功耗場景；三是 GaN（氮化鎵）器件替代，在高頻、高壓場景（如快充電路）中，GaN 器件效率更高、散熱更好。但在簡單電路（如 LED 驅(qū)動、繼電器控制）中，NPN 型小功率三極管因成本低、易用性強...

振蕩電路是一種無需外部輸入信號就能產(chǎn)生交流信號的電路，NPN 型小功率晶體三極管在振蕩電路中作為放大器件，為電路提供能量，以補償振蕩過程中的能量損耗，維持振蕩的持續(xù)進行。振蕩電路的工作需要滿足相位平衡條件和幅值平衡條件，相位平衡條件是指電路的總相移為 360°（或 0°），即反饋信號的相位與輸入信號的相位相同，形成正反饋；幅值平衡條件是指放大電路的放大倍數(shù)與反饋系數(shù)的乘積大于等于 1。常見的由 NPN 型小功率三極管組成的振蕩電路有 RC 橋式振蕩電路、LC 正弦波振蕩電路等。RC 橋式振蕩電路適用于低頻信號產(chǎn)生，輸出信號頻率由 RC 選頻網(wǎng)絡(luò)決定，常用于產(chǎn)生音頻范圍內(nèi)的正弦波信號，如函數(shù)信號...

繼電器線圈是感性負載，斷電時會產(chǎn)生反向電動勢，可能擊穿三極管。需在繼電器線圈兩端并聯(lián)續(xù)流二極管（如 1N4001），二極管正極接線圈負極，負極接線圈正極，當線圈斷電時，反向電動勢通過二極管形成回路，保護三極管。此外，若繼電器工作電流接近 ICM，需在基極增加限流電阻，避免 IB 過大導致三極管燒毀。例如 5V 繼電器線圈電阻 50Ω（工作電流 100mA），用 9013 管（ICM=500mA）驅(qū)動，除并聯(lián)續(xù)流二極管外，基極電阻 RB=(5-0.7)/1mA=4.3kΩ，確保 IB=1mA（β=100 時，IC=100mA），既滿足驅(qū)動需求，又避免過載。27MHz 無線話筒選 Cbc=1.5p...

常見故障有：一是三極管燒毀，多因 IC 超過 ICM、PC 超過 PCM 或 VCE 超過 V (BR) CEO，排查時用萬用表測 CE 間電阻，若為 0Ω（短路）或無窮大（開路），說明燒毀，需更換參數(shù)匹配的三極管；二是放大能力下降，表現(xiàn)為輸出信號幅度減小，測 β 值若明顯低于標稱值，需更換三極管；三是開關(guān)失控，導通時 CE 壓降過大（未飽和），需增大 IB（減小 RB），截止時 IC 過大（漏電），需更換質(zhì)量合格的三極管；四是溫度漂移，IC 隨溫度升高而增大，需增加溫度補償電路（如在 RB 旁并聯(lián)負溫度系數(shù)熱敏電阻）。直接耦合無電容，適合低頻和直流，易集成但有零點漂移。全國抗輻射NPN型晶體...

共射放大電路是 NPN 型小功率管的經(jīng)典應(yīng)用，發(fā)射極接地，輸入信號加在 BE 間，輸出信號從 CE 間取出。電路中，RB（基極偏置電阻）控制 IB，確定靜態(tài)工作點；RC（集電極負載電阻）將 IC 變化轉(zhuǎn)化為 VCE 變化，實現(xiàn)電壓放大。該電路的優(yōu)勢是電壓放大倍數(shù)高（Av=-βRC/ri，ri 為輸入電阻）、電流放大倍數(shù)大，缺點是輸入電阻小、輸出電阻大，輸出信號與輸入信號反相。例如在音頻前置放大電路中，用 9014 管組成共射電路，將麥克風輸出的 mV 級信號放大至 V 級，為后級功率放大提供信號源。再測反向截止性，反向應(yīng)顯示 “OL”，否則 PN 結(jié)漏電。汽車電子高速開關(guān)NPN型晶體三極管機構(gòu)...

NPN 型小功率晶體三極管是電子電路中常用的半導體器件，其 重要結(jié)構(gòu)由三層半導體材料構(gòu)成，分別為發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。發(fā)射區(qū)采用高摻雜的 N 型半導體，目的是提高載流子（自由電子）的濃度，便于后續(xù)載流子的發(fā)射；基區(qū)為 P 型半導體，其摻雜濃度低，而且物理厚度極薄，通常有幾微米到幾十微米，這種設(shè)計能讓發(fā)射區(qū)注入的載流子快速穿過基區(qū)，減少在基區(qū)的復合損耗；集電區(qū)同樣是 N 型半導體，面積比發(fā)射區(qū)大得多，主要作用是高效收集從基區(qū)過來的載流子。三個區(qū)域分別引出三個電極，對應(yīng)發(fā)射極（E）、基極（B）和集電極（C），電極的引出方式和位置會根據(jù)三極管的封裝形式有所差異，常見的封裝有 TO-92、SOT-23...

多級放大電路中，NPN 型小功率三極管的級間耦合方式有阻容耦合、直接耦合和變壓器耦合。阻容耦合通過電容傳遞交流信號，隔斷直流，適合低頻信號（如音頻），但電容體積大，不適合集成；直接耦合無耦合電容，適合低頻和直流信號，便于集成，但存在零點漂移，需加溫度補償；變壓器耦合通過變壓器傳遞信號，可實現(xiàn)阻抗匹配，適合高頻功率放大（如射頻電路），但體積大、成本高。例如音頻功率放大電路，前級用阻容耦合（電容 10μF），后級用變壓器耦合，匹配揚聲器阻抗（4Ω），提升輸出功率。開關(guān)特性實驗用脈沖信號控通斷，測量開關(guān)時間。西南地區(qū)抗輻射NPN型晶體三極管電流500mAPWM 調(diào)光電路通過改變?nèi)龢O管導通時間（占空比...

繼電器線圈是感性負載，斷電時會產(chǎn)生反向電動勢，可能擊穿三極管。需在繼電器線圈兩端并聯(lián)續(xù)流二極管（如 1N4001），二極管正極接線圈負極，負極接線圈正極，當線圈斷電時，反向電動勢通過二極管形成回路，保護三極管。此外，若繼電器工作電流接近 ICM，需在基極增加限流電阻，避免 IB 過大導致三極管燒毀。例如 5V 繼電器線圈電阻 50Ω（工作電流 100mA），用 9013 管（ICM=500mA）驅(qū)動，除并聯(lián)續(xù)流二極管外，基極電阻 RB=(5-0.7)/1mA=4.3kΩ，確保 IB=1mA（β=100 時，IC=100mA），既滿足驅(qū)動需求，又避免過載。靜態(tài)工作點需通過偏置電路設(shè)置，確保三極管...

NPN 型小功率三極管是電子教學實驗的 重要器件，典型實驗包括：一是三極管放大特性實驗，通過改變 IB 測量 IC，繪制 β 曲線，理解電流放大原理；二是共射放大電路實驗，測量電壓放大倍數(shù)、輸入輸出電阻，觀察失真現(xiàn)象；三是開關(guān)特性實驗，用脈沖信號控制三極管導通 / 截止，測量開關(guān)時間；四是振蕩電路實驗，組裝 RC 或 LC 振蕩電路，觀察振蕩波形，理解起振條件。這些實驗幫助學生直觀掌握三極管工作原理，為后續(xù)復雜電路學習奠定基礎(chǔ)，例如在放大特性實驗中，用 9014 管，改變 RB 從 100kΩ 至 200kΩ，測量 IB 從 43μA 至 21μA，IC 從 4.3mA 至 2.1mA，計算 ...

共射放大電路是 NPN 型小功率管的經(jīng)典應(yīng)用，發(fā)射極接地，輸入信號加在 BE 間，輸出信號從 CE 間取出。電路中，RB（基極偏置電阻）控制 IB，確定靜態(tài)工作點；RC（集電極負載電阻）將 IC 變化轉(zhuǎn)化為 VCE 變化，實現(xiàn)電壓放大。該電路的優(yōu)勢是電壓放大倍數(shù)高（Av=-βRC/ri，ri 為輸入電阻）、電流放大倍數(shù)大，缺點是輸入電阻小、輸出電阻大，輸出信號與輸入信號反相。例如在音頻前置放大電路中，用 9014 管組成共射電路，將麥克風輸出的 mV 級信號放大至 V 級，為后級功率放大提供信號源。三極管開關(guān)速度由 ton 和 toff 決定，小功率管多在幾十到幾百 ns。航空航天特殊封裝NP...

選型需結(jié)合電路需求綜合判斷：一是確定參數(shù)匹配，ICM≥電路*大 IC 的 1.2 倍，PCM≥電路*大 PC 的 1.2 倍，V (BR) CEO≥電路*大電壓的 1.2 倍，β 根據(jù)放大需求選擇（放大電路選 β=50-100，開關(guān)電路選 β=20-50）；二是考慮封裝形式，直插電路選 TO-92，貼片電路選 SOT-23；三是關(guān)注溫度適應(yīng)性，高溫環(huán)境（如工業(yè)控制）選耐高溫型號（結(jié)溫≥175℃），低溫環(huán)境（如戶外設(shè)備）選耐低溫型號（工作溫度≤-40℃）；四是優(yōu)先選常用型號，性價比高且易采購，特殊需求（如高頻）選型號（如 S9018）。LC 振蕩電路頻率穩(wěn)定性靠 LC 回路 Q 值，Q 值高則穩(wěn)...