崇明區(qū)一體化HTOL測(cè)試機(jī)

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芯片HTOL測(cè)試需求，高質(zhì)量、高效率、低成本HTOL測(cè)試方案，包括HTOL、LTOL、雙85、HAST等可靠性設(shè)備，以及測(cè)試方案制定，PCB設(shè)計(jì)制作，測(cè)試試驗(yàn)，滿足各類芯片可靠性測(cè)試需求。上海頂策科技有限公司，自研TH801智能一體化HTOL測(cè)試機(jī)，實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)單顆監(jiān)控技術(shù)，通過監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)，可以實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問題并介入分析，大幅提高HTOL效率。20年以上得豐富測(cè)試技術(shù)積累及運(yùn)營(yíng)經(jīng)驗(yàn)，上海頂策科技有限公司自成立以來，已經(jīng)為超過500家半導(dǎo)體公司提供高質(zhì)量，高效率，低成本，一條龍測(cè)試解決方案！黃浦區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)現(xiàn)貨TH801智能老化系統(tǒng)，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)并記錄環(huán)境溫度，確保芯片處于正常HTOL狀態(tài)，保證HTOL測(cè)試質(zhì)量。

第二時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)、第三時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)至第n時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)。在每個(gè)時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)過程為：將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進(jìn)行比對(duì)判斷，若iref＜i，則閃存讀出“1”；若iref＞i，則閃存讀出“0”。具體的，在閃存(例如norflash)產(chǎn)品htol可靠性驗(yàn)證的階段的測(cè)試流程例如依次為：初始(***時(shí)間點(diǎn))讀點(diǎn)、48小時(shí)(第二時(shí)間點(diǎn))讀點(diǎn)、168小時(shí)(第三時(shí)間點(diǎn))讀點(diǎn)、500小時(shí)(第四時(shí)間點(diǎn))讀點(diǎn)、1000小時(shí)(第n時(shí)間點(diǎn))讀點(diǎn)。本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元未經(jīng)過編譯和擦除循環(huán)而直接進(jìn)行htol測(cè)試時(shí)，發(fā)現(xiàn)閃存htol可靠性驗(yàn)證在48小時(shí)(hrs)讀點(diǎn)失效。

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