YuanStem 20多能干細胞培養(yǎng)基使用說明書
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J形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝兩側(cè)引出向下呈J字形,故此得名。通常為塑料制品,多數(shù)用于DRAM和SRAM等存儲器LSI電路,但絕大部分是DRAM。用SOJ封裝的DRAM器件很多都裝配在SIMM 上。引腳中心距1.27mm,引腳數(shù)從20至40(見SIMM)。63、SQL(Small Out-Line L-leaded package)按照JEDEC(美國聯(lián)合電子設備工程委員會)標準對SOP所采用的名稱(見SOP)。64、SONF(Small Out-Line Non-Fin)無散熱片的SOP。與通常的SOP相同。為了在功率IC封裝中表示無散熱片的區(qū)別,有意增添了NF(non-fin)標記。部分半導體廠家采用的名稱(見SOP)。計算機集成電路,包括控制單元(CPU)、內(nèi)存儲器、外存儲器、I/O控制電路等。常州質(zhì)量集成電路工廠直銷

9、DIL(dual in-line)DIP的別稱(見DIP)。歐洲半導體廠家多用此名稱。10、DIP(dual in-line package)雙列直插式封裝。插裝型封裝之一,引腳從封裝兩側(cè)引出,封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是**普及的插裝型封裝,應用范圍包括標準邏輯IC,存貯器LSI,微機電路等。引腳中心距2.54mm,引腳數(shù)從6到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm和10.16mm的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP(窄體型DIP)。但多數(shù)情況下并不加區(qū)分,只簡單地統(tǒng)稱為DIP。另外,用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP也稱為cerdip(見cerdip)。蘇州本地集成電路圖片雙側(cè)引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。

2、BQFP(quad flat package with bumper)帶緩沖墊的四側(cè)引腳扁平封裝。QFP封裝之一,在封裝本體的四個角設置突起(緩沖墊)以防止在運送過程中引腳發(fā)生彎曲變形。美國半導體廠家主要在微處理器和ASIC等電路中采用此封裝。引腳中心距0.635mm,引腳數(shù)從84到196左右(見QFP)。3、C-(ceramic)表示陶瓷封裝的記號。例如,CDIP表示的是陶瓷DIP。是在實際中經(jīng)常使用的記號。4、Cerdip用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝,用于ECL RAM,DSP(數(shù)字信號處理器)等電路。帶有玻璃窗口的Cerdip用于紫外線擦除型EPROM以及內(nèi)部帶有EPROM的微機電路等。引腳中心距2.54mm,引腳數(shù)從8到42。在日本,此封裝表示為DIP-G(G即玻璃密封的意思)。
模擬集成電路又稱線性電路,用來產(chǎn)生、放大和處理各種模擬信號(指幅度隨時間變化的信號。例如半導體收音機的音頻信號、錄放機的磁帶信號等),其輸入信號和輸出信號成比例關系。而數(shù)字集成電路用來產(chǎn)生、放大和處理各種數(shù)字信號(指在時間上和幅度上離散取值的信號。例如5G手機、數(shù)碼相機、電腦CPU、數(shù)字電視的邏輯控制和重放的音頻信號和視頻信號)。制作工藝集成電路按制作工藝可分為半導體集成電路和膜集成電路。膜集成電路又分類厚膜集成電路和薄膜集成電路。觸點陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態(tài)坦電極觸點的封裝。

當沒有特別表示出材料時,多數(shù)情況為塑料QFP。塑料QFP是**普及的多引腳LSI封裝。不僅用于微處理器,門陳列等數(shù)字邏輯LSI電路,而且也用于VTR信號處理、音響信號處理等模擬LSI電路。引腳中心距有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm等多種規(guī)格。0.65mm中心距規(guī)格中**多引腳數(shù)為304。日本將引腳中心距小于0.65mm的QFP稱為QFP(FP)。但2000年后日本電子機械工業(yè)會對QFP的外形規(guī)格進行了重新評價。在引腳中心距上不加區(qū)別,而是根據(jù)封裝本體厚度分為QFP(2.0mm~3.6mm厚)、LQFP(1.4mm厚)和TQFP(1.0mm厚)三種。陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁,基導熱率比氧化鋁高7~8倍,具有較好的散熱性?;萆絽^(qū)名優(yōu)集成電路產(chǎn)品介紹
集成電路的產(chǎn)生,任何發(fā)明創(chuàng)造背后都是有驅(qū)動力的,而驅(qū)動力往往來源于問題。常州質(zhì)量集成電路工廠直銷
26、L-QUAD陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁,基導熱率比氧化鋁高7~8倍,具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁,芯片用灌封法密封,從而抑制了成本。是為邏輯LSI開發(fā)的一種封裝,在自然空冷條件下可容許W3的功率?,F(xiàn)已開發(fā)出了208引腳(0.5mm中心距)和160引腳(0.65mm中心距)的LSI邏輯用封裝,并于1993年10月開始投入批量生產(chǎn)。27、MCM(multi-chip module)多芯片組件。將多塊半導體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可分為MCM-L,MCM-C 和MCM-D三大類。MCM-L是使用通常的玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高,成本較低。 MCM-C是用厚膜技術形成多層布線,以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件,與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM-L。常州質(zhì)量集成電路工廠直銷
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