YuanStem 20多能干細(xì)胞培養(yǎng)基使用說明書
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QUIP的別稱(見QUIP)。51、QUIP(quad in-line package)四列引腳直插式封裝。引腳從封裝兩個側(cè)面引出,每隔一根交錯向下彎曲成四列。引腳中心距1.27mm,當(dāng)插入印刷基板時,插入中心距就變成2.5mm。因此可用于標(biāo)準(zhǔn)印刷線路板。是比標(biāo)準(zhǔn)DIP更小的一種封裝。日本電氣公司在臺式計算機(jī)和家電產(chǎn)品等的微機(jī)芯片中采用了些種封裝。材料有陶瓷和塑料兩種。引腳數(shù)64。52、SDIP(shrink dual in-line package)收縮型DIP。插裝型封裝之一,形狀與DIP相同,但引腳中心距(1.778mm)小于DIP(2.54mm),功率集成電路應(yīng)散熱良好,不允許不帶散熱器而處于大功率的狀態(tài)下工作。南京節(jié)能集成電路工廠直銷

6、COB(chip on board)板上芯片封裝,是裸芯片貼裝技術(shù)之一,半導(dǎo)體芯片交接貼裝在印刷線路板上,芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現(xiàn),芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現(xiàn),并用樹脂覆蓋以確??煽啃?。雖然COB是**簡單的裸芯片貼裝技術(shù),但它的封裝密度遠(yuǎn)不如TAB和倒片焊技術(shù)。7、DFP(dual flat package)雙側(cè)引腳扁平封裝。是SOP的別稱(見SOP)。以前曾有此稱法,80年代后期已基本上不用。8、DIC(dual in-line ceramic package)陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱(見DIP)江陰本地集成電路銷售廠家是高速和高頻IC用封裝,也稱為陶瓷QFN或QFN-C(見QFN)。

5、要保證焊接質(zhì)量焊接時確實焊牢,焊錫的堆積、氣孔容易造成虛焊。焊接時間一般不超過3秒鐘,烙鐵的功率應(yīng)用內(nèi)熱式25W左右。已焊接好的集成電路要仔細(xì)查看,比較好用歐姆表測量各引腳間有否短路,確認(rèn)無焊錫粘連現(xiàn)象再接通電源。6、不要輕易斷定集成電路的損壞不要輕易地判斷集成電路已損壞。因為集成電路絕大多數(shù)為直接耦合,一旦某一電路不正常,可能會導(dǎo)致多處電壓變化,而這些變化不一定是集成電路損壞引起的,另外在有些情況下測得各引腳電壓與正常值相符或接近時,也不一定都能說明集成電路就是好的。因為有些軟故障不會引起直流電壓的變化。
16、FQFP(fine pitch quad flat package)小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm的QFP(見QFP)。部分導(dǎo)導(dǎo)體廠家采用此名稱。17、CPAC(globe top pad array carrier)美國Motorola公司對BGA的別稱(見BGA)。18、CQFP(quad fiat package with guard ring)帶保護(hù)環(huán)的四側(cè)引腳扁平封裝。塑料QFP之一,引腳用樹脂保護(hù)環(huán)掩蔽,以防止彎曲變形。在把LSI組裝在印刷基板上之前,從保護(hù)環(huán)處切斷引腳并使其成為海鷗翼狀(L形狀)。這種封裝在美國Motorola公司已批量生產(chǎn)。引腳中心距0.5mm,引腳數(shù)**多為208左右。按照J(rèn)EDEC(美國聯(lián)合電子設(shè)備委員會)標(biāo)準(zhǔn)對QFP進(jìn)行的一種分類。

集成電路(integrated circuit)是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝,把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上,然后封裝在一個管殼內(nèi),成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu);其中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個整體,使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進(jìn)了一大步。它在電路中用字母“IC”表示。集成電路發(fā)明者為杰克·基爾比(基于鍺(Ge)的集成電路)和羅伯特·諾伊斯(基于硅(Si)的集成電路)。當(dāng)今半導(dǎo)體工業(yè)大多數(shù)應(yīng)用的是基于硅的集成電路。 [6]焊接時間一般不超過3秒鐘,烙鐵的功率應(yīng)用內(nèi)熱式25W左右。江蘇節(jié)能集成電路服務(wù)熱線
因為有些軟故障不會引起直流電壓的變化。南京節(jié)能集成電路工廠直銷
26、L-QUAD陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁,基導(dǎo)熱率比氧化鋁高7~8倍,具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁,芯片用灌封法密封,從而抑制了成本。是為邏輯LSI開發(fā)的一種封裝,在自然空冷條件下可容許W3的功率?,F(xiàn)已開發(fā)出了208引腳(0.5mm中心距)和160引腳(0.65mm中心距)的LSI邏輯用封裝,并于1993年10月開始投入批量生產(chǎn)。27、MCM(multi-chip module)多芯片組件。將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可分為MCM-L,MCM-C 和MCM-D三大類。MCM-L是使用通常的玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高,成本較低。 MCM-C是用厚膜技術(shù)形成多層布線,以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件,與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM-L。南京節(jié)能集成電路工廠直銷
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