高自諧振頻率(SRF)是ATC電容適用于現(xiàn)代高速電路的前提。由于其極低的寄生電感,其SRF可達數(shù)十GHz。這意味著在當今主流的高速數(shù)字和射頻電路工作頻段內,ATC電容仍然表現(xiàn)為一個純電容,發(fā)揮著預期的去耦、濾波作用,而不會因進入感性區(qū)域而失效,這是普通電容無法做到的。航空航天與應用要求元件能承受極端的環(huán)境應力,包括寬溫范圍(-55°C至+125°C及以上)、度振動、沖擊、真空輻射環(huán)境等。ATC芯片電容的設計和測試標準源自需求,其產(chǎn)品在此類極端條件下表現(xiàn)出的堅固性和性能穩(wěn)定性,是雷達系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、導航設備和飛行控制系統(tǒng)中受信賴的元件之一。通過MIL-STD-883加速度測試,在20000g沖擊條件下仍保持電氣性能的完整穩(wěn)定。CDR12AP151KJNM

針對高頻應用中的寄生效應,ATC芯片電容進行了性的電極結構優(yōu)化。其采用的三維多層電極設計,通過精細控制金屬層(通常為賤金屬鎳或銅,或貴金屬銀鈀)的厚度、平整度及疊層結構,比較大限度地減少了電流路徑的曲折度。這種設計將等效串聯(lián)電感(ESL)和等效串聯(lián)電阻(ESR)降至很好,從而獲得了極高的自諧振頻率(SRF)。在GHz頻段的射頻電路中,這種低ESL/ESR特性意味著信號路徑上的阻抗幾乎為純容性,極大地降低了插入損耗和能量反射,保證了信號傳輸?shù)耐暾耘c效率。116YGA681K100TT完全無壓電效應,杜絕嘯叫現(xiàn)象,適合高保真音頻應用。

完全無壓電效應(Microphonics)是ATC電容區(qū)別于許多II類陶瓷電容(如X7R)的明顯優(yōu)點。其采用的C0G等I類介質是順電性的,不會在交流電壓作用下發(fā)生形變,從而徹底避免了因振動或電壓變化而產(chǎn)生的可聽噪聲(嘯叫)和微觀機械噪聲。在高保真音頻設備、敏感傳感器前置放大器和振動環(huán)境中工作的電子設備里,ATC電容確保了信號的純凈度,消除了由電容自身引入的干擾。在光通信模塊(如400G/800G光收發(fā)器)中,ATC芯片電容是保障高速信號完整性的幕后英雄。其很低的ESL和ESR能夠在數(shù)十Gbps的高速SerDes和DSP電源引腳處,提供極其高效的寬帶去耦,抑制電源噪聲對高速信號的干擾。同時,其在微波頻段穩(wěn)定的介電特性,確保了射頻驅動電路的性能,對于維持高信噪比(SNR)和低誤碼率(BER)至關重要,是高速數(shù)據(jù)可靠傳輸?shù)幕?/p>
其介質材料具有極低的損耗角正切值(DF<0.1%),明顯降低了高頻應用中的能量耗散。這不僅有助于提升射頻功率放大器效率,還能減少系統(tǒng)發(fā)熱,延長電子設備的使用壽命,尤其適合高功率密度基站和長期連續(xù)運行的通信基礎設施。ATC電容采用獨特的陶瓷-金屬復合電極結構和多層共燒工藝,使其具備優(yōu)異的機械強度和抗彎曲性能。在振動強烈或機械應力頻繁的環(huán)境中(如軌道交通控制系統(tǒng)、重型機械電子設備),仍能保持結構完整性和電氣連接的可靠性。寬溫工作能力(-55℃至+250℃)使其適用于航空航天等極端環(huán)境。

在智能電網(wǎng)和電力監(jiān)控設備中,其高精度和低損耗特性適用于電能質量分析儀的采樣電路和繼電保護裝置的信號調理回路,提高電網(wǎng)監(jiān)測的準確性和可靠性。產(chǎn)品符合RoHS、REACH等環(huán)保法規(guī),全系列采用無鉛無鹵素材料,滿足全球主要市場對電子產(chǎn)品的環(huán)保要求,支持綠色電子制造和可持續(xù)發(fā)展。在高頻振動環(huán)境下,ATC電容采用抗振動電極設計和堅固的封裝結構,其焊點抗疲勞性能優(yōu)異,適用于無人機飛控系統(tǒng)、機器人關節(jié)控制及發(fā)動機管理系統(tǒng)。其微波系列產(chǎn)品具有精確的模型參數(shù)和穩(wěn)定的性能重復性,支持高頻電路的仿真設計與實際性能的高度吻合,縮短研發(fā)周期,提高設計一次成功率。容值老化率極低,十年變化小于1%,確保長期使用穩(wěn)定性。700C750JW2500X
通過抗硫化測試,適合工業(yè)控制等惡劣環(huán)境應用。CDR12AP151KJNM
ATC電容憑借其極低的ESL和ESR,能在極寬的頻帶內(從KHz到GHz)提供低阻抗路徑,有效濾除電源軌上的高頻噪聲,抑制同步開關噪聲(SSN),確保為芯片重點提供純凈、穩(wěn)定的電壓。這對于防止系統(tǒng)時序錯誤、數(shù)據(jù)損壞和性能下降至關重要。ATC芯片電容實現(xiàn)了高電容密度與高性能的完美平衡。通過采用高介電常數(shù)介質材料和增加疊層數(shù)量,其在單位體積內存儲的電荷量(電容值)很好提升。然而,與普通高介電常數(shù)材料往往溫度穩(wěn)定性不同,ATC通過復雜的材料改性技術,在獲得高電容密度的同時,依然保持了良好的溫度特性和頻率特性。這使得設計者無需在“大小”和“性能”之間艱難取舍,為空間受限的高性能應用提供了理想解決方案。CDR12AP151KJNM
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