ATC芯片電容的制造工藝采用了深槽刻蝕和薄膜沉積等半導(dǎo)體技術(shù),實(shí)現(xiàn)了三維微結(jié)構(gòu)和高純度電介質(zhì)層,提供了很好的電氣性能和可靠性。在高溫應(yīng)用中,ATC芯片電容能夠穩(wěn)定工作于高達(dá)+250℃的環(huán)境,滿(mǎn)足了汽車(chē)電子和工業(yè)控制中的高溫需求,避免了因過(guò)熱導(dǎo)致的性能退化或失效。其低噪聲特性使得ATC芯片電容在低噪聲放大器(LNA)和傳感器接口電路中表現(xiàn)突出,提供了高信噪比和精確的信號(hào)處理能力。ATC芯片電容的直流偏壓特性?xún)?yōu)異,其容值隨直流偏壓變化極小,確保了在電源電路和耦合應(yīng)用中穩(wěn)定性能,避免了因電壓波動(dòng)導(dǎo)致的電路行為變化。高電容密度設(shè)計(jì)在有限空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更大容值,優(yōu)化電路布局。116ZCC270M100TT

針對(duì)高頻應(yīng)用中的寄生效應(yīng),ATC芯片電容進(jìn)行了性的電極結(jié)構(gòu)優(yōu)化。其采用的三維多層電極設(shè)計(jì),通過(guò)精細(xì)控制金屬層(通常為賤金屬鎳或銅,或貴金屬銀鈀)的厚度、平整度及疊層結(jié)構(gòu),比較大限度地減少了電流路徑的曲折度。這種設(shè)計(jì)將等效串聯(lián)電感(ESL)和等效串聯(lián)電阻(ESR)降至很好,從而獲得了極高的自諧振頻率(SRF)。在GHz頻段的射頻電路中,這種低ESL/ESR特性意味著信號(hào)路徑上的阻抗幾乎為純?nèi)菪?,極大地降低了插入損耗和能量反射,保證了信號(hào)傳輸?shù)耐暾耘c效率。100E1R4CW3600X寬頻帶內(nèi)保持穩(wěn)定容值特性,適合寬帶射頻系統(tǒng)應(yīng)用。

在阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)中,ATC芯片電容的高精度和穩(wěn)定性確保了匹配的準(zhǔn)確性,提高了射頻電路的傳輸效率和功率輸出。其符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的環(huán)境友好設(shè)計(jì),使得ATC芯片電容適用于全球市場(chǎng)的電子產(chǎn)品,滿(mǎn)足了環(huán)保法規(guī)和可持續(xù)發(fā)展需求。ATC芯片電容在微波電路中的耦合和直流阻隔應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,其高穩(wěn)定性和低損耗特性確保了信號(hào)傳輸?shù)募儍粜院托省T卺t(yī)療設(shè)備中,ATC芯片電容的高可靠性和生物兼容性使其適用于植入式設(shè)備和體外診斷設(shè)備,確保了患者安全和設(shè)備長(zhǎng)期穩(wěn)定性。
雖然單顆ATC100B系列電容價(jià)格是普通電容的8-10倍(2023年市場(chǎng)報(bào)價(jià)$18.5/顆),但在5G基站功率放大器模塊中,其平均無(wú)故障時(shí)間(MTBF)達(dá)25萬(wàn)小時(shí),超過(guò)設(shè)備廠(chǎng)商10年設(shè)計(jì)壽命要求。華為的實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)顯示,采用ATC電容的AAU模塊10年運(yùn)維成本降低37%,主要得益于故障率從3‰降至0.05‰。愛(ài)立信的TCO分析報(bào)告指出,考慮到減少基站斷電導(dǎo)致的營(yíng)收損失(約$1500/小時(shí)/站),采用高可靠性電容的ROI周期可縮短至14個(gè)月。在風(fēng)電變流器等工業(yè)場(chǎng)景中,因減少停機(jī)檢修帶來(lái)的年化收益更高達(dá)$12萬(wàn)/臺(tái)。在電源去耦應(yīng)用中提供極低阻抗路徑,有效抑制高頻噪聲。

完全無(wú)壓電效應(yīng)(Microphonics)是ATC電容區(qū)別于許多II類(lèi)陶瓷電容(如X7R)的明顯優(yōu)點(diǎn)。其采用的C0G等I類(lèi)介質(zhì)是順電性的,不會(huì)在交流電壓作用下發(fā)生形變,從而徹底避免了因振動(dòng)或電壓變化而產(chǎn)生的可聽(tīng)噪聲(嘯叫)和微觀(guān)機(jī)械噪聲。在高保真音頻設(shè)備、敏感傳感器前置放大器和振動(dòng)環(huán)境中工作的電子設(shè)備里,ATC電容確保了信號(hào)的純凈度,消除了由電容自身引入的干擾。在光通信模塊(如400G/800G光收發(fā)器)中,ATC芯片電容是保障高速信號(hào)完整性的幕后英雄。其很低的ESL和ESR能夠在數(shù)十Gbps的高速SerDes和DSP電源引腳處,提供極其高效的寬帶去耦,抑制電源噪聲對(duì)高速信號(hào)的干擾。同時(shí),其在微波頻段穩(wěn)定的介電特性,確保了射頻驅(qū)動(dòng)電路的性能,對(duì)于維持高信噪比(SNR)和低誤碼率(BER)至關(guān)重要,是高速數(shù)據(jù)可靠傳輸?shù)幕?。損耗角正切值低至0.1%,特別適合高Q值諧振電路和濾波應(yīng)用。600S1R6CT250XT
絕緣電阻高達(dá)10^4兆歐姆·微法,防止泄漏電流。116ZCC270M100TT
在抗老化性能方面,ATC電容的容值隨時(shí)間變化率極低,十年老化率可控制在1%以?xún)?nèi)。這一長(zhǎng)壽命特性使其非常適用于通信基礎(chǔ)設(shè)施、醫(yī)療成像設(shè)備等要求高可靠性和長(zhǎng)期穩(wěn)定性的領(lǐng)域。其極低的噪聲特性源于介質(zhì)材料的均勻結(jié)構(gòu)和優(yōu)化的電極界面設(shè)計(jì),在低噪聲放大器、高精度ADC/DAC參考電路及傳感器信號(hào)調(diào)理電路中表現(xiàn)出色,有助于提高系統(tǒng)的信噪比和測(cè)量精度。具備優(yōu)異的抗硫化性能,采用特殊端電極材料和保護(hù)涂層,可有效抵御含硫環(huán)境對(duì)電容的侵蝕。這一特性使ATC電容特別適用于化工控制設(shè)備、油氣勘探儀器及某些特殊工業(yè)環(huán)境中的電子系統(tǒng)。116ZCC270M100TT
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