1 固定電阻器的檢測。A 將兩表筆(不分正負(fù))分別與電阻的兩端引腳相接即可測出實(shí)際電阻值。為了提高測量精度,應(yīng)根據(jù)被測電阻標(biāo)稱值的大小來選擇量程。由于歐姆擋刻度的非線性關(guān)系,它的中間一段分度較為精細(xì),因此應(yīng)使指針指示值盡可能落到刻度的中段位置,即全刻度起始的20%~80%弧度范圍內(nèi),以使測量更準(zhǔn)確。根據(jù)電阻誤差等級不同。讀數(shù)與標(biāo)稱阻值之間分別允許有±5%、±10%或±20%的誤差。如不相符,超出誤差范圍,則說明該電阻值變值了。半導(dǎo)體器件:二極管、三極管、場效應(yīng)晶體管(MOSFET)、可控硅。鎮(zhèn)江本地電子元器件銷售廠

組合電路集成電路是一種采用特殊工藝,將晶體管、電阻、電容等元件集成在硅基片上而形成的具有一定功能的器件,英文縮寫為IC,也俗稱芯片。模擬集成電路是指由電阻、電容、晶體管等元件集成在一起用來處理模擬信號的模擬集成電路。有許多的模擬集成電路,如集成運(yùn)算放大器、比較器、對數(shù)和指數(shù)放大器、模擬乘(除)法器、鎖相環(huán)、電源管理芯片等。模擬集成電路的主要構(gòu)成電路有:放大器、濾波器、反饋電路、基準(zhǔn)源電路、開關(guān)電容電路等。模擬集成電路設(shè)計(jì)主要是通過有經(jīng)驗(yàn)的設(shè)計(jì)師進(jìn)行手動的電路調(diào)試、模擬而得到,與此相對應(yīng)的數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)大部分是通過使用硬件描述語言在EDA軟件的控制下自動的綜合產(chǎn)生。鹽城本地電子元器件銷售廠電感器:儲存磁能的元件,通常用于濾波和振蕩電路。

電感在電路中常用“L”加數(shù)字表示,如:L6表示編號為6的電感。電感線圈是將絕緣的導(dǎo)線在絕緣的骨架上繞一定的圈數(shù)制成。直流可通過線圈,直流電阻就是導(dǎo)線本身的電阻,壓降很?。划?dāng)交流信號通過線圈時,線圈兩端將會產(chǎn)生自感電動勢,自感電動勢的方向與外加電壓的方向相反,阻礙交流的通過,所以電感的特性是通直流阻交流,頻率越高,線圈阻抗越大。電感在電路中可與電容組成振蕩電路。電感一般有直標(biāo)法和色標(biāo)法,色標(biāo)法與電阻類似。如:棕、黑、金、金表示1uH(誤差5%)的電感。電感的基本單位為:亨(H)換算單位有:1H=10^3mH=10^6uH。
電子元器件是指在電子電路中使用的各種基本組件和材料,它們是構(gòu)成電子設(shè)備和系統(tǒng)的基礎(chǔ)。常見的電子元器件包括:電阻器:用于限制電流的流動,具有特定的電阻值。電容器:儲存電能的元件,能夠在電路中平滑電壓波動。電感器:儲存磁能的元件,通常用于濾波和振蕩電路。二極管:允許電流單向流動的元件,常用于整流和保護(hù)電路。晶體管:用于放大和開關(guān)電流的半導(dǎo)體元件,是現(xiàn)代電子設(shè)備的**。集成電路(IC):將多個電子元件集成在一個小型芯片上的元件,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備。晶體管:用于放大和開關(guān)電流的半導(dǎo)體元件,是現(xiàn)代電子設(shè)備。

B 注意:測試時,特別是在測幾十kΩ以上阻值的電阻時,手不要觸及表筆和電阻的導(dǎo)電部分;被檢測的電阻從電路中焊下來,至少要焊開一個頭,以免電路中的其他元件對測試產(chǎn)生影響,造成測量誤差;色環(huán)電阻的阻值雖然能以色環(huán)標(biāo)志來確定,但在使用時比較好還是用萬用表測試一下其實(shí)際阻值。2 水泥電阻的檢測。檢測水泥電阻的方法及注意事項(xiàng)與檢測普通固定電阻完全相同。3 熔斷電阻器的檢測。在電路中,當(dāng)熔斷電阻器熔斷開路后,可根據(jù)經(jīng)驗(yàn)作出判斷:若發(fā)現(xiàn)熔斷電阻器表面發(fā)黑或燒焦,可斷定是其負(fù)荷過重,通過它的電流超過額定值很多倍所致;元件屬于不需要能源的器件。它包括:電阻、電容、電感。丹陽優(yōu)勢電子元器件銷售廠家
綠色與可持續(xù):環(huán)保材料、低能耗設(shè)計(jì)成為元器件發(fā)展的重要方向。鎮(zhèn)江本地電子元器件銷售廠
在點(diǎn)接觸型晶體管開發(fā)成功的同時,結(jié)型晶體管論就已經(jīng)提出,但是直至人們能夠制備超高純度的單晶以及能夠任意控制晶體的導(dǎo)電類型以后,結(jié)型晶體管材真正得以出現(xiàn)。1950年,具有使用價值的**早的鍺合金型晶體管誕生。1954年,結(jié)型硅晶體管誕生。此后,人們提出了場效應(yīng)晶體管的構(gòu)想。隨著無缺陷結(jié)晶和缺陷控制等材料技術(shù)、晶體外誕生長技術(shù)和擴(kuò)散摻雜技術(shù)、耐壓氧化膜的制備技術(shù)、腐蝕和光刻技術(shù)的出現(xiàn)和發(fā)展,各種性能優(yōu)良的電子器件相繼出現(xiàn),電子元器件逐步從真空管時代進(jìn)入晶體管時代和大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路時代。逐步形成作為高技術(shù)產(chǎn)業(yè)**的半導(dǎo)體工業(yè)。鎮(zhèn)江本地電子元器件銷售廠
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