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IGBT驅(qū)動(dòng)：IGBT常被用于中大功率數(shù)字電源開(kāi)發(fā)，其驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-15~15V。IGBT驅(qū)動(dòng)電路分為正壓驅(qū)動(dòng)和負(fù)壓驅(qū)動(dòng)，負(fù)壓關(guān)斷可以避免誤導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)，加快關(guān)斷速度，減小關(guān)斷損耗。IGBT的驅(qū)動(dòng)電路一般采用**的驅(qū)動(dòng)芯片，如東芝的TLP系列、富士公司的EXB系列、英飛凌的EiceDRIVER系列等。五、驅(qū)動(dòng)電路的應(yīng)用顯示控制：驅(qū)動(dòng)電路可以將數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)，以控制液晶顯示屏、LED顯示屏等顯示設(shè)備；也可以將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，以控制數(shù)碼管等顯示設(shè)備。高邊驅(qū)動(dòng)：則用于將功率開(kāi)關(guān)器件連接在電源正極一側(cè)。虹口區(qū)優(yōu)勢(shì)驅(qū)動(dòng)電路貨源充足

2)能向IGBT提供足夠的反向柵壓。在IGBT關(guān)斷期間，由于電路中其他部分的工作，會(huì)在柵極電路中產(chǎn)生一些高頻振蕩信號(hào)，這些信號(hào)輕則會(huì)使本該截止的IGBT處于微通狀態(tài)，增加管子的功耗。重則將使調(diào)壓電路處于短路直通狀態(tài)。因此，比較好給處于截止?fàn)顟B(tài)的IGBT加一反向柵壓(幅值一般為5～15 V)，使IGBT在柵極出現(xiàn)開(kāi)關(guān)噪聲時(shí)仍能可靠截止。3)具有柵極電壓限幅電路，保護(hù)柵極不被擊穿。IGBT柵極極限電壓一般為+20 V，驅(qū)動(dòng)信號(hào)超出此范圍就可能破壞柵極。4)由于IGBT多用于高壓場(chǎng)合。要求有足夠的輸入、輸出電隔離能力。所以驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)與整個(gè)控制電路在電位上嚴(yán)格隔離，一般采用高速光耦合隔離或變壓器耦合隔離。黃浦區(qū)好的驅(qū)動(dòng)電路圖片它們通常用于控制電機(jī)、繼電器、LED、顯示器等負(fù)載。

非隔離驅(qū)動(dòng)電路：不具有電氣隔離結(jié)構(gòu)，多采用電阻、二極管、三極管或非隔離型驅(qū)動(dòng)芯片。按常見(jiàn)形式分類(lèi)：直接驅(qū)動(dòng)：由單個(gè)電子元器件（如二極管、三極管、電阻、電容等）連接起來(lái)組成的驅(qū)動(dòng)電路，多用于功能簡(jiǎn)單的小功率驅(qū)動(dòng)場(chǎng)合。隔離驅(qū)動(dòng)：電路包含隔離器件，常用的有光耦驅(qū)動(dòng)、變壓器驅(qū)動(dòng)以及隔離電容驅(qū)動(dòng)等。**驅(qū)動(dòng)集成芯片：在數(shù)字電源中應(yīng)用***，許多驅(qū)動(dòng)芯片自帶保護(hù)和隔離功能。功率開(kāi)關(guān)管常用驅(qū)動(dòng)MOSFET驅(qū)動(dòng)：MOSFET常用于中小功率數(shù)字電源，其驅(qū)動(dòng)電壓范圍一般在-10~20V之間。MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的功率要求不高，在低頻場(chǎng)合可利用三極管直接驅(qū)動(dòng)，而在高頻場(chǎng)合多采用變壓器或**芯片進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。

光耦的特點(diǎn)光耦基本電路1. 參數(shù)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單2. 輸出端需要隔離驅(qū)動(dòng)電源3. 驅(qū)動(dòng)功率有限磁耦合-變壓器隔離受高頻調(diào)制的單向脈沖變壓器隔離電路磁耦合：用于傳送較低頻信號(hào)時(shí)—調(diào)制/解調(diào)磁耦合的特點(diǎn):1.既可傳遞信號(hào)又可傳遞功率2.頻率越高,體積越小-適合高頻應(yīng)用比較好驅(qū)動(dòng)特性和驅(qū)動(dòng)電流波形比較好驅(qū)動(dòng)1.開(kāi)通時(shí)： 基極電流有快速上升沿和過(guò)沖—加速開(kāi)通，減小開(kāi)通損耗；2.導(dǎo)通期間：足夠的基極電流，使晶體管任意負(fù)載飽和導(dǎo)通—低導(dǎo)通損耗；關(guān)斷前調(diào)整基極電流，使晶體管處于臨界飽和導(dǎo)通—減小 ， 關(guān)斷快;個(gè)人的職業(yè)發(fā)展可能受到內(nèi)在驅(qū)動(dòng)（如興趣、目標(biāo)）和外部驅(qū)動(dòng)（如薪水、晉升機(jī)會(huì)）的影響。

引言近年來(lái)，高亮度LED照明以高光效、長(zhǎng)壽命、高可靠性和無(wú)污染等優(yōu)點(diǎn)正在逐步取代白熾燈、熒光燈等傳統(tǒng)光源。在一些應(yīng)用中，希望在某些情況下可調(diào)節(jié)燈光的亮度，以便進(jìn)一步節(jié)能和提供舒適的照明。常見(jiàn)的調(diào)光有雙向可控硅調(diào)光、后沿調(diào)光、ON/OFF調(diào)光、遙控調(diào)光等?？煽毓枵{(diào)光器在傳統(tǒng)的白熾燈等調(diào)光照明應(yīng)用已久，且不用改變接線，裝置成本較低，各品牌可控硅調(diào)光器的性能和規(guī)格相差不大，但是其直接應(yīng)用在LED驅(qū)動(dòng)場(chǎng)合還存在著一系列問(wèn)題。繼電器驅(qū)動(dòng)電路：通過(guò)控制繼電器的開(kāi)關(guān)來(lái)驅(qū)動(dòng)高功率負(fù)載，適用于需要隔離控制信號(hào)和負(fù)載的場(chǎng)合。嘉定區(qū)制造驅(qū)動(dòng)電路哪家好

BJT驅(qū)動(dòng)電路：使用雙極型晶體管（BJT）來(lái)驅(qū)動(dòng)負(fù)載，適合低頻應(yīng)用。虹口區(qū)優(yōu)勢(shì)驅(qū)動(dòng)電路貨源充足

另外在IGBT驅(qū)動(dòng)器選擇中還應(yīng)該注意的參數(shù)包括絕緣電壓Visol IO 和dv/dt 能力。Rlimit =10～100Ω,C=10～470μF,Creset=10nF.一、柵極電阻Rg的作用1、消除柵極振蕩絕緣柵器件(IGBT、MOSFET)的柵射（或柵源）極之間是容性結(jié)構(gòu)，柵極回路的寄生電感又是不可避免的，如果沒(méi)有柵極電阻，那柵極回路在驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)脈沖的激勵(lì)下要產(chǎn)生很強(qiáng)的振蕩，因此必須串聯(lián)一個(gè)電阻加以迅速衰減。2、轉(zhuǎn)移驅(qū)動(dòng)器的功率損耗電容電感都是無(wú)功元件，如果沒(méi)有柵極電阻，驅(qū)動(dòng)功率就將絕大部分消耗在驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部的輸出管上，使其溫度上升很多。虹口區(qū)優(yōu)勢(shì)驅(qū)動(dòng)電路貨源充足

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