金山區(qū)制造驅(qū)動(dòng)電路服務(wù)熱線

來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-11-27

驅(qū)動(dòng)電路隔離技術(shù)一般使用光電耦合器或隔離變壓器(光耦合;磁耦合)。 [1]由于 MOSFET 的工作頻率及輸入阻抗高,容易**擾,故驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)具有良好的電氣隔離性能,以實(shí)現(xiàn)主電路與控制電路之間的隔離,使之具有較強(qiáng)的抗干擾能力,避免功率級(jí)電路對(duì)控制信號(hào)的干擾。光耦隔離驅(qū)動(dòng)可分為電磁隔離與光電隔離。采用脈沖變壓器實(shí)現(xiàn)電路的電磁隔離,是一種電路簡單可靠,又具有電氣隔離作用的電路,但其對(duì)脈沖的寬度有較大限制,若脈沖過寬,磁飽和效應(yīng)可能使一次繞組的電流突然增大,甚至使其燒毀,而若脈沖過窄,為驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O關(guān)斷所存儲(chǔ)的能量可能不夠。繼電器驅(qū)動(dòng)電路:通過控制繼電器的開關(guān)來驅(qū)動(dòng)高功率負(fù)載,適用于需要隔離控制信號(hào)和負(fù)載的場合。金山區(qū)制造驅(qū)動(dòng)電路服務(wù)熱線

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LED驅(qū)動(dòng)電路:專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)LED,通常包括恒流源電路,以確保LED在安全的電流范圍內(nèi)工作。電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路:包括直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路、步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路和伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,通常需要控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速和方向。集成驅(qū)動(dòng)芯片:一些**集成電路(IC)可以簡化驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì),例如用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的H橋驅(qū)動(dòng)IC。在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路時(shí),需要考慮以下幾個(gè)方面:負(fù)載特性:了解負(fù)載的電流、電壓和功率要求??刂菩盘?hào):確定控制信號(hào)的類型(如PWM信號(hào)、數(shù)字信號(hào)等)。長寧區(qū)挑選驅(qū)動(dòng)電路貨源充足也可以將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),以控制數(shù)碼管等顯示設(shè)備。

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有些驅(qū)動(dòng)器只有一個(gè)輸出端,這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個(gè)電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡(luò),用以調(diào)節(jié)2個(gè)方向的驅(qū)動(dòng)速度。3、在IGBT的柵射極間接上Rge=10-100K 電阻,防止在未接驅(qū)動(dòng)引線的情況下,偶然加主電高壓,通過米勒電容燒毀IGBT。所以用戶比較好再在IGBT的柵射極或MOSFET柵源間加裝Rge。對(duì)于大功率IGBT,選擇驅(qū)動(dòng)電路基于以下的參數(shù)要求:器件關(guān)斷偏置、門極電荷、耐固性和電源情況等。門極電路的正偏壓VGE負(fù)偏壓-VGE和門極電阻RG的大小,對(duì)IGBT的通態(tài)壓降、開關(guān)時(shí)間、開關(guān)損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。門極驅(qū)動(dòng)條件與器件特性的關(guān)系見表1。柵極正電壓 的變化對(duì)IGBT的開通特性、負(fù)載短路能力和dVcE/dt電流有較大影響,而門極負(fù)偏壓則對(duì)關(guān)斷特性的影響比較大。在門極電路的設(shè)計(jì)中,還要注意開通特性、負(fù)載短路能力和由dVcE/dt 電流引起的誤觸發(fā)等問題(見表1)。

根據(jù)圖2中,RC充放電電路的輸出經(jīng)過增益電路后可得電流參考為:式中k為增益,VC為RC充放電電路的輸入電壓,τ為RC的時(shí)間系數(shù),θ為可控硅的導(dǎo)通角。則在**小導(dǎo)通角對(duì)應(yīng)的輸出為零,即電路輸出的**大值對(duì)應(yīng)電流參考的**大值:從式(1)和式(2)可得輸出電流表達(dá)式如式(3)所示。在斬波角為θ時(shí),電路對(duì)應(yīng)的輸入功率為:式中Vp為輸入電壓峰值,Rin為等效輸入阻抗。假設(shè)電路的變換效率為η,且電路的輸出功率為PO=IO·UO,則可得到電路的等效輸入阻抗如式(5)所示。從式(5)可得電路的功率因數(shù)如式(6)所示。MOSFET驅(qū)動(dòng)電路:使用MOSFET(場效應(yīng)晶體管)作為開關(guān)元件,適用于高效能的開關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)。

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3.關(guān)斷瞬時(shí):足夠、反向基極電流—迅速抽出基區(qū)剩余載流子,減小 ;反偏截止電壓,使ic迅速下降,減小 。恒流驅(qū)動(dòng)電路恒定電路即基極電流恒定,功率管飽和導(dǎo)通。恒流驅(qū)動(dòng)優(yōu)點(diǎn):優(yōu)點(diǎn): 電路簡單;普通恒流驅(qū)動(dòng)電路恒流驅(qū)動(dòng)缺點(diǎn):輕載時(shí)深度飽和,關(guān)斷時(shí)間長。驅(qū)動(dòng)電路的實(shí)質(zhì)是給柵極電容充放電。 [2]開通:1.驅(qū)動(dòng)電壓足夠高,一般>10V;(減小RDS(on))2.足夠的瞬態(tài)驅(qū)動(dòng)電流,快的上升沿; (加速開通)3.驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻抗小。 (加速開通)關(guān)斷:1. 足夠的瞬態(tài)驅(qū)動(dòng)電流,快的下降沿; (加速關(guān)斷)2. 驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻抗小。 (加速關(guān)斷)3. 驅(qū)動(dòng)加負(fù)壓。 (防止誤導(dǎo)通)負(fù)載特性:了解負(fù)載的電流、電壓和功率要求。崇明區(qū)國產(chǎn)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

顯示控制:驅(qū)動(dòng)電路可以將數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào),以控制液晶顯示屏、LED顯示屏等顯示設(shè)備;金山區(qū)制造驅(qū)動(dòng)電路服務(wù)熱線

a)驅(qū)動(dòng)器靠近IGBT減小引線長度;b) 驅(qū)動(dòng)的柵射極引線絞合,并且不要用過粗的線;c) 線路板上的 2 根驅(qū)動(dòng)線的距離盡量靠近;d) 柵極電阻使用無感電阻;e) 如果是有感電阻,可以用幾個(gè)并聯(lián)以減小電感。2、IGBT 開通和關(guān)斷選取不同的柵極電阻通常為達(dá)到更好的驅(qū)動(dòng)效果,IGBT開通和關(guān)斷可以采取不同的驅(qū)動(dòng)速度,分別選取 Rgon和Rgoff(也稱 Rg+ 和 Rg- )往往是很必要的。IGBT驅(qū)動(dòng)器有些是開通和關(guān)斷分別輸出控制,只要分別接上Rgon和Rgoff就可以了。金山區(qū)制造驅(qū)動(dòng)電路服務(wù)熱線

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