山東加熱盤非標(biāo)定制

國(guó)瑞熱控 8 英寸半導(dǎo)體加熱盤聚焦成熟制程需求，以高性價(jià)比與穩(wěn)定性能成為中低端芯片制造的推薦。采用鋁合金基體經(jīng)陽(yáng)極氧化處理，表面平整度誤差小于 0.03mm，加熱面溫度均勻性控制在 ±2℃以內(nèi)，滿足 65nm 至 90nm 制程的溫度要求。內(nèi)部采用螺旋狀鎳鉻加熱絲，熱效率達(dá) 85% 以上，升溫速率 15℃/ 分鐘，工作溫度上限 450℃，適配 CVD、PVD 等常規(guī)工藝。設(shè)備配備標(biāo)準(zhǔn)真空吸附接口與溫控信號(hào)端口，可直接替換 ULVAC、Evatec 等國(guó)際品牌同規(guī)格產(chǎn)品，安裝無(wú)需調(diào)整現(xiàn)有生產(chǎn)線布局。通過(guò) 1000 小時(shí)高溫老化測(cè)試，故障率低于 0.1%，為功率器件、傳感器等成熟制程芯片制造提供穩(wěn)定支持。個(gè)性化定制服務(wù)，根據(jù)工藝需求特殊設(shè)計(jì)，完美匹配應(yīng)用。山東加熱盤非標(biāo)定制

針對(duì)原子層沉積工藝對(duì)溫度的嚴(yán)苛要求，國(guó)瑞熱控 ALD **加熱盤采用多分區(qū)溫控設(shè)計(jì)，通過(guò)仿真優(yōu)化加熱絲布局，確保表面溫度分布均勻性符合精密制程標(biāo)準(zhǔn)。設(shè)備溫度調(diào)節(jié)范圍覆蓋室溫至 600℃，升溫速率可達(dá) 25℃/ 分鐘，搭配鉑電阻傳感器實(shí)現(xiàn) ±0.1℃的控溫精度，滿足 ALD 工藝中前驅(qū)體吸附與反應(yīng)的溫度窗口需求。采用氮化鋁陶瓷基底與密封結(jié)構(gòu)，在真空環(huán)境下無(wú)揮發(fā)性物質(zhì)釋放，且能抵御反應(yīng)腔體內(nèi)腐蝕性氣體侵蝕。適配 8 英寸至 12 英寸晶圓規(guī)格，通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)化接口與拓荊、中微等廠商的 ALD 設(shè)備無(wú)縫兼容，為原子層沉積的高保形性薄膜制備提供保障。無(wú)錫半導(dǎo)體晶圓加熱盤非標(biāo)定制嚴(yán)格老化測(cè)試檢驗(yàn)，確保產(chǎn)品零缺陷，品質(zhì)保證。

國(guó)瑞熱控針對(duì)離子注入后雜質(zhì)***工藝，開(kāi)發(fā)**加熱盤適配快速熱退火需求。采用氮化鋁陶瓷基材，熱導(dǎo)率達(dá) 200W/mK，熱慣性小，升溫速率達(dá) 60℃/ 秒，可在幾秒內(nèi)將晶圓加熱至 1000℃，且降溫速率達(dá) 40℃/ 秒，減少熱預(yù)算對(duì)晶圓的影響。加熱面采用激光打孔工藝制作微小散熱孔，配合背面惰性氣體冷卻，實(shí)現(xiàn)晶圓正反面溫度均勻（溫差小于 2℃）。配備紅外高溫計(jì)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)晶圓表面溫度，測(cè)溫精度 ±2℃，通過(guò) PID 控制確保溫度穩(wěn)定，適配硼、磷等不同雜質(zhì)的***溫度需求（600℃-1100℃）。與應(yīng)用材料離子注入機(jī)適配，使雜質(zhì)***率提升至 95% 以上，為半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能調(diào)控提供關(guān)鍵支持。

針對(duì)碳化硅襯底生長(zhǎng)的高溫需求，國(guó)瑞熱控**加熱盤采用多加熱器分區(qū)布局技術(shù)，**溫度梯度可控性差的行業(yè)難題。加熱盤主體選用耐高溫石墨基材，表面噴涂碳化硅涂層，在 2200℃高溫下仍保持結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，熱導(dǎo)率達(dá) 180W/mK，適配 PVT 法、TSSG 法等主流生長(zhǎng)工藝。內(nèi)部劃分 12 個(gè)**溫控區(qū)域，每個(gè)區(qū)域控溫精度達(dá) ±2℃，通過(guò)精細(xì)調(diào)節(jié)溫度梯度控制晶體生長(zhǎng)速率，助力 8 英寸碳化硅襯底量產(chǎn)。設(shè)備配備石墨隔熱屏與真空密封結(jié)構(gòu)，在 10??Pa 真空環(huán)境下無(wú)雜質(zhì)釋放，與晶升股份等設(shè)備廠商聯(lián)合調(diào)試適配，使襯底生產(chǎn)成本較進(jìn)口方案降低 30% 以上，為新能源汽車、5G 通信等領(lǐng)域提供**材料支撐。表面噴涂特殊涂層，防腐防氧化，延長(zhǎng)設(shè)備使用壽命。

國(guó)瑞熱控金屬加熱盤突破海外技術(shù)壁壘，實(shí)現(xiàn)復(fù)雜結(jié)構(gòu)產(chǎn)品量產(chǎn)能力。采用不銹鋼精密加工一體化成型，通過(guò)五軸聯(lián)動(dòng)機(jī)床制造螺紋斜孔等復(fù)雜結(jié)構(gòu)，加熱面粗糙度 Ra 小于 0.1μm。內(nèi)置螺旋狀不銹鋼加熱元件，經(jīng)真空焊接工藝與基體緊密結(jié)合，熱效率達(dá) 90%，升溫速率 25℃/ 分鐘，工作溫度范圍室溫至 500℃。設(shè)備具備 1000 小時(shí)無(wú)故障運(yùn)行能力，通過(guò)國(guó)內(nèi)主流客戶認(rèn)證，可直接替換進(jìn)口同類產(chǎn)品，在勻氣盤集成等場(chǎng)景中表現(xiàn)優(yōu)異，助力半導(dǎo)體設(shè)備精密零部件國(guó)產(chǎn)化。熱場(chǎng)分布均勻，避免局部過(guò)熱，保護(hù)樣品質(zhì)量一致。松江區(qū)晶圓加熱盤非標(biāo)定制

精確穩(wěn)定溫度環(huán)境，提升產(chǎn)品良率，助力降本增效。山東加熱盤非標(biāo)定制

針對(duì)化學(xué)氣相沉積工藝的復(fù)雜反應(yīng)環(huán)境，國(guó)瑞熱控 CVD 電控加熱盤以多維技術(shù)創(chuàng)新**溫控難題。加熱盤內(nèi)置多區(qū)域**溫控模塊，可根據(jù)反應(yīng)腔不同區(qū)域需求實(shí)現(xiàn)差異化控溫，溫度調(diào)節(jié)范圍覆蓋室溫至 600℃，滿足各類 CVD 反應(yīng)的溫度窗口要求。采用特種絕緣材料與密封結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，能耐受反應(yīng)腔內(nèi)部腐蝕性氣體侵蝕，同時(shí)具備 1500V/1min 的電氣強(qiáng)度，無(wú)擊穿閃絡(luò)風(fēng)險(xiǎn)。搭配高精度鉑電阻傳感器，實(shí)時(shí)測(cè)溫精度達(dá) ±0.5℃，通過(guò) PID 閉環(huán)控制確保溫度波動(dòng)小于 ±1℃，為晶圓表面材料的均勻沉積與性能穩(wěn)定提供關(guān)鍵保障，適配集成電路制造的規(guī)?；a(chǎn)需求。山東加熱盤非標(biāo)定制

無(wú)錫市國(guó)瑞熱控科技有限公司是一家有著雄厚實(shí)力背景、信譽(yù)可靠、勵(lì)精圖治、展望未來(lái)、有夢(mèng)想有目標(biāo)，有組織有體系的公司，堅(jiān)持于帶領(lǐng)員工在未來(lái)的道路上大放光明，攜手共畫藍(lán)圖，在江蘇省等地區(qū)的電工電氣行業(yè)中積累了大批忠誠(chéng)的客戶粉絲源，也收獲了良好的用戶口碑，為公司的發(fā)展奠定的良好的行業(yè)基礎(chǔ)，也希望未來(lái)公司能成為*****，努力為行業(yè)領(lǐng)域的發(fā)展奉獻(xiàn)出自己的一份力量，我們相信精益求精的工作態(tài)度和不斷的完善創(chuàng)新理念以及自強(qiáng)不息，斗志昂揚(yáng)的的企業(yè)精神將**無(wú)錫市國(guó)瑞熱控科技供應(yīng)和您一起攜手步入輝煌，共創(chuàng)佳績(jī)，一直以來(lái)，公司貫徹執(zhí)行科學(xué)管理、創(chuàng)新發(fā)展、誠(chéng)實(shí)守信的方針，員工精誠(chéng)努力，協(xié)同奮取，以品質(zhì)、服務(wù)來(lái)贏得市場(chǎng)，我們一直在路上！