眼圖測試DDR測試多端口矩陣測試

5.串?dāng)_在設(shè)計(jì)微帶線時(shí)，串?dāng)_是產(chǎn)生時(shí)延的一個(gè)相當(dāng)重要的因素。通常，可以通過加大并行微帶線之間的間距來降低串?dāng)_的相互影響，然而，在合理利用走線空間上這是一個(gè)很大的弊端，所以，應(yīng)該控制在一個(gè)合理的范圍里面。典型的一個(gè)規(guī)則是，并行走線的間距大于走線到地平面的距離的兩倍。另外，地過孔也起到一個(gè)相當(dāng)重要的作用，圖8顯示了有地過孔和沒地過孔的耦合程度，在有多個(gè)地過孔的情況下，其耦合程度降低了7dB?？紤]到互聯(lián)通路的成本預(yù)算，對于兩邊進(jìn)行適當(dāng)?shù)姆抡媸潜仨毜?，?dāng)在所有的網(wǎng)線上加一個(gè)周期性的激勵(lì)，將會(huì)由串?dāng)_產(chǎn)生的信號(hào)抖動(dòng)，通過仿真，可以在時(shí)域觀察信號(hào)的抖動(dòng)，從而通過合理的設(shè)計(jì)，綜合考慮空間和信號(hào)完整性，選擇比較好的走線間距。DDR存儲(chǔ)器信號(hào)和協(xié)議測試；眼圖測試DDR測試多端口矩陣測試

1.目前，比較普遍使用中的DDR2的速度已經(jīng)高達(dá)800Mbps，甚至更高的速度，如1066Mbps，而DDR3的速度已經(jīng)高達(dá)1600Mbps。對于如此高的速度，從PCB的設(shè)計(jì)角度來幫大家分析，要做到嚴(yán)格的時(shí)序匹配，以滿足信號(hào)的完整性，這里有很多的因素需要考慮，所有的這些因素都有可能相互影響。它們可以被分類為PCB疊層、阻抗、互聯(lián)拓?fù)?、時(shí)延匹配、串?dāng)_、信號(hào)及電源完整性和時(shí)序，目前，有很多EDA工具可以對它們進(jìn)行很好的計(jì)算和仿真，其中CadenceALLEGROSI-230和Ansoft’sHFSS使用的比較多。顯示了DDR2和DDR3所具有的共有技術(shù)要求和專有的技術(shù)要求測試服務(wù)DDR測試推薦貨源DDR4規(guī)范里關(guān)于信號(hào)建立；

DDR測試

DDR4/5與LPDDR4/5的信號(hào)質(zhì)量測試由于基于DDR顆?；駾DRDIMM的系統(tǒng)需要適配不同的平臺(tái)，應(yīng)用場景千差萬別，因此需要進(jìn)行詳盡的信號(hào)質(zhì)量測試才能保證系統(tǒng)的可靠工作。對于DDR4及以下的標(biāo)準(zhǔn)來說，物理層一致性測試主要是發(fā)送的信號(hào)質(zhì)量測試；對于DDR5標(biāo)準(zhǔn)來說，由于接收端出現(xiàn)了均衡器，所以還要包含接收測試。DDR信號(hào)質(zhì)量的測試也是使用高帶寬的示波器。對于DDR的信號(hào)，技術(shù)規(guī)范并沒有給出DDR信號(hào)上升/下降時(shí)間的具體參數(shù)，因此用戶只有根據(jù)使用芯片的實(shí)際快上升/下降時(shí)間來估算需要的示波器帶寬。通常對于DDR3信號(hào)的測試，推薦的示波器和探頭的帶寬在8GHz;DDR4測試建議的測試系統(tǒng)帶寬是12GHz;而DDR5測試則推薦使用16GHz以上帶寬的示波器和探頭系統(tǒng)。

這里有三種方案進(jìn)行對比考慮：一種是，通過過孔互聯(lián)的這個(gè)過孔附近沒有任何地過孔，那么，其返回路徑只能通過離此過孔250mils的PCB邊緣來提供；第二種是，一根長達(dá)362mils的微帶線；第三種是，在一個(gè)信號(hào)線的四周有四個(gè)地過孔環(huán)繞著。圖6顯示了帶有60Ohm的常規(guī)線的S-Parameters，從圖中可以看出，帶有四個(gè)地過孔環(huán)繞的信號(hào)過孔的S-Parameters就像一根連續(xù)的微帶線，從而提高了S21特性。

由此可知，在信號(hào)過孔附近缺少返回路徑的情況下，則此信號(hào)過孔會(huì)增高其阻抗。當(dāng)今的高速系統(tǒng)里，在時(shí)延方面顯得尤為重要。 一種DDR4內(nèi)存信號(hào)測試方法；

DDR測試

制定DDR內(nèi)存規(guī)范的標(biāo)準(zhǔn)按照J(rèn)EDEC組織的定義，DDR4的比較高數(shù)據(jù)速率已經(jīng)達(dá)到了3200MT/s以上，DDR5的比較高數(shù)據(jù)速率則達(dá)到了6400MT/s以上。在2016年之前，LPDDR的速率發(fā)展一直比同一代的DDR要慢一點(diǎn)。但是從LPDDR4開始，由于高性能移動(dòng)終端的發(fā)展，LPDDR4的速率開始趕超DDR4。LPDDR5更是比DDR5搶先一步在2019年完成標(biāo)準(zhǔn)制定，并于2020年在的移動(dòng)終端上開始使用。DDR5的規(guī)范(JESD79-5)于2020年發(fā)布，并在2021年開始配合Intel等公司的新一代服務(wù)器平臺(tái)走向商 DDR4信號(hào)質(zhì)量自動(dòng)測試軟件報(bào)告；眼圖測試DDR測試多端口矩陣測試

DDR4關(guān)于信號(hào)建立保持是的定義；眼圖測試DDR測試多端口矩陣測試

現(xiàn)做一個(gè)測試電路，類似于圖5，驅(qū)動(dòng)源是一個(gè)線性的60Ohms阻抗輸出的梯形信號(hào)，信號(hào)的上升沿和下降沿均為100ps，幅值為1V。此信號(hào)源按照圖6的三種方式，且其端接一60Ohms的負(fù)載，其激勵(lì)為一800MHz的周期信號(hào)。在0.5V這一點(diǎn)，我們觀察從信號(hào)源到接收端之間的時(shí)間延遲，顯示出來它們之間的時(shí)延差異。其結(jié)果如圖7所示，在圖中只顯示了信號(hào)的上升沿，從這圖中可以很明顯的看出，帶有四個(gè)地過孔環(huán)繞的過孔時(shí)延同直線相比只有3ps，而在沒有地過孔環(huán)繞的情況下，其時(shí)延是8ps。由此可知，在信號(hào)過孔的周圍增加地過孔的密度是有幫助的。然而，在4層板的PCB里，這個(gè)就顯得不是完全的可行性，由于其信號(hào)線是靠近電源平面的，這就使得信號(hào)的返回路徑是由它們之間的耦合程度來決定的。所以，在4層的PCB設(shè)計(jì)時(shí)，為符合電源完整性（powerintegrity）要求，對其耦合程度的控制是相當(dāng)重要的。眼圖測試DDR測試多端口矩陣測試