上海信號完整性測試DDR3測試

從DDR1、DDR2、DDR3至U DDR4,數據率成倍增加，位寬成倍減小，工作電壓持續(xù)降 低，而電壓裕量從200mV減小到了幾十毫伏?？偟膩碚f，隨著數據傳輸速率的增加和電壓裕 量的降低，DDRx內存子系統(tǒng)對信號完整性、電源完整性及時序的要求越來越高，這也給系 統(tǒng)設計帶來了更多、更大的挑戰(zhàn)。

Bank> Rank及內存模塊

1.BankBank是SDRAM顆粒內部的一種結構，它通過Bank信號BA(BankAddress)控制，可以把它看成是對地址信號的擴展，主要目的是提高DRAM顆粒容量。對應于有4個Bank的內存顆粒，其Bank信號為BA[1:O],而高容量DDR2和DDR3顆粒有8個Bank,對應Bank信號為BA[2:0],在DDR4內存顆粒內部有8個或16個Bank，通過BA信號和BG(BankGroup)信號控制。2GB容量的DDR3SDRAM功能框圖，可以從中看到芯片內部由8個Bank組成(BankO,Bankl,…，Bank7),它們通過BA[2:0]這三條信號進行控制。 如何進行DDR3內存模塊的熱插拔一致性測試？上海信號完整性測試DDR3測試

有其特殊含義的，也是DDR體系結構的具體體現。而遺憾的是，在筆者接觸過的很多高速電路設計人員中，很多人還不能夠說清楚這兩個圖的含義。在數據寫入(Write)時序圖中，所有信號都是DDR控制器輸出的，而DQS和DQ信號相差90°相位，因此DDR芯片才能夠在DQS信號的控制下，對DQ和DM信號進行雙沿采樣:而在數據讀出(Read)時序圖中，所有信號是DDR芯片輸出的，并且DQ和DQS信號是同步的，都是和時鐘沿對齊的!這時候為了要實現對DQ信號的雙沿采樣，DDR控制器就需要自己去調整DQS和DQ信號之間的相位延時!!!這也就是DDR系統(tǒng)中比較難以實現的地方。DDR規(guī)范這樣做的原因很簡單，是要把邏輯設計的復雜性留在控制器一端，從而使得外設(DDR存儲心片)的設計變得簡單而廉價。因此，對于DDR系統(tǒng)設計而言，信號完整性仿真和分析的大部分工作，實質上就是要保證這兩個時序圖的正確性。遼寧DDR3測試聯系人DDR3內存的一致性測試可以修復一致性問題嗎？

常見的信號質量包括閾值電平、Overshoot、Undershoot、Slew Rate> tDVAC等，DDRx 信號質量的每個參數JEDEC都給出了明確的規(guī)范。比如DDR3要求Overshoot和Undershoot 分別為0.4V,也就是說信號幅值P?P值應該在-0.4-1.9V,但在實際應用中由于不適合信號 端接使DDR信號質量變差，通過仿真就可以找出合適端接，使信號質量滿足JEDEC規(guī)范。 下面以DDR3 1066Mbps信號為例，通過一個實際案例說明DDR3信號質量仿真。

在本案例中客戶反映實測CLK信號質量不好。CLK信號從CUP (U100)出來經過4片 DDR3 (U101、U102、U103、U104),在靠近控制芯片接收端顆粒(近的顆粒)的信號很 差，系統(tǒng)工作不到DDR3 1066Mbpso在對時鐘信號做了終端上拉匹配后，可以正常工作。

高速DDRx總線概述

DDR SDRAM 全稱為 Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory? 中 文名可理解為“雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器”。DDR SDRAM是在原單倍速率SDR SDRAM 的基礎上改進而來的，嚴格地說DDR應該叫作DDR SDRAM,人們習慣稱之為DDR。

DDRx發(fā)展簡介

代DDR （通常稱為DDR1）接口規(guī)范于2000年由JEDEC組織 發(fā)布。DDR經過幾代的發(fā)展，現在市面上主要流行DDR3,而的DDR4規(guī)范也巳經發(fā) 布，甚至出現了部分DDR4的產品。Cadence的系統(tǒng)仿真工具SystemSI也支持DDR4的仿真 分析了。 如何解決DDR3一致性測試期間出現的錯誤？

DDRx接口信號的時序關系

DDR3的時序要求大體上和DDR2類似，作為源同步系統(tǒng)，主要有3組時序設計要求。 一組是DQ和DQS的等長關系，也就是數據和選通信號的時序；一組是CLK和ADDR/CMD/ CTRL的等長關系，也就是時鐘和地址控制總線的關系；一組是CLK和DQS的關系， 也就是時鐘和選通信號的關系。其中數據和選通信號的時序關系又分為讀周期和寫周期兩個 方向的時序關系。

要注意各組時序的嚴格程度是不一樣的，作為同組的數據和選通信號，需要非常嚴格的 等長關系。Intel或者一些大芯片廠家，對DQ組的等長關系經常在土25mil以內，在高速的 DDR3設計時，甚至會要求在±5mil以內。相對來說地址控制和時鐘組的時序關系會相對寬松 一些，常見的可能有幾百mil。同時要留意DQS和CLK的關系，在絕大多數的DDR設計里 是松散的時序關系，DDR3進行Fly-by設計后更是降低了 DQS和CLK之間的時序控制要求。 DDR3內存的一致性測試是否適用于特定應用程序和軟件環(huán)境？安徽DDR3測試價格多少

如果DDR3一致性測試失敗，是否需要更換整組內存模塊？上海信號完整性測試DDR3測試

容量與組織：DDR規(guī)范還涵蓋了內存模塊的容量和組織方式。DDR內存模塊的容量可以根據規(guī)范支持不同的大小，如1GB、2GB、4GB等。DDR內存模塊通常以多個內存芯片排列組成，其中每個內存芯片被稱為一個芯粒（die），多個芯?？梢越M成密集的內存模塊。電氣特性：DDR規(guī)范還定義了內存模塊的電氣特性，包括供電電壓、電流消耗、輸入輸出電平等。這些電氣特性對于確保DDR內存模塊的正常工作和兼容性至關重要。兼容性：DDR規(guī)范還考慮了兼容性問題，確保DDR內存模塊能夠與兼容DDR接口的主板和控制器正常配合。例如，保留向后兼容性，允許支持DDR接口的控制器工作在較低速度的DDR模式下。上海信號完整性測試DDR3測試