珠海GEN測試系統(tǒng)價格

    車規(guī)級MEMS傳感器包括用于ESP車身穩(wěn)定系統(tǒng)的高g加速度計、發(fā)動機歧管壓力傳感器等，需滿足AEC-Q100認證。杭州國磊（Guolei）支持點：支持-40℃~125℃環(huán)境應力測試（通過GPIB/TTL對接溫箱）；高可靠性測試流程（如HAST、HTOL前后的參數(shù)對比）；數(shù)據(jù)自動記錄為STDF格式，便于車廠追溯與良率分析；每引腳PPMU檢測早期失效（如漏電流異常）。生物醫(yī)療MEMS如植入式壓力傳感器、微流控芯片控制器，對低功耗與長期穩(wěn)定性要求極高。杭州國磊（Guolei）支持點：nA級靜態(tài)電流測量（PPMU）；**噪聲激勵與采集，避免干擾生物信號；支持長期老化測試中的周期性參數(shù)回讀。杭州國磊（Guolei）SoC測試系統(tǒng)不直接測試MEMS的機械或物理特性（如諧振頻率、Q值、位移等），但***覆蓋MEMS產(chǎn)品中不可或缺的電子控制與信號處理部分——即配套ASIC/SoC的功能、性能與可靠性驗證。在消費電子、汽車電子、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和新興智能硬件領域，杭州國磊（Guolei）GT600已成為國產(chǎn)MEMS廠商實現(xiàn)高精度、高效率、低成本、自主可控測試的重要平臺，有力支撐中國MEMS產(chǎn)業(yè)鏈從“制造”向“智造”升級。 國磊GT600每通道集成PPMU，支持nA級電流分辨率，可精確測量SoC在睡眠、深度睡眠或關斷模式下的靜態(tài)漏電流。珠海GEN測試系統(tǒng)價格

在“雙碳”目標與數(shù)據(jù)中心PUE限制日益嚴格的背景下，AI芯片的能效比（TOPS/W）已成為核心競爭力。GT600集成高精度PPMU（每引腳參數(shù)測量單元），支持從nA級靜態(tài)漏電到數(shù)安培動態(tài)電流的全范圍測量，并具備微秒級瞬態(tài)響應能力，可精細捕捉電壓塌陷、浪涌電流等關鍵電源事件。這一能力使芯片設計團隊能在測試階段繪制詳細的功耗-性能曲線，優(yōu)化電源門控策略、時鐘門控邏輯及低功耗模式切換機制。對追求***能效的國產(chǎn)AI加速器而言，GT600不僅是驗證工具，更是“每瓦特算力”的精算師，助力中國AI芯片在全球綠色計算浪潮中占據(jù)先機。紹興CAF測試系統(tǒng)國磊GT600可用于測量電源上電時序（PowerSequencing），確保多域電源按正確順序激發(fā)，避免閂鎖效應。

低溫CMOS芯片的常溫預篩與參數(shù)表征。許多用于量子計算的控制芯片需在毫開爾文溫度下工作，但其制造仍基于標準CMOS工藝。在封裝并送入稀釋制冷機前，必須通過常溫下的嚴格電性測試進行預篩選。國磊（Guolei）GT600支持每引腳PPMU（參數(shù)測量單元）和可編程浮動電源（-2.5V~7V），能精確測量微弱電流、漏電及閾值電壓漂移等關鍵參數(shù)，有效剔除早期失效器件，避免昂貴的低溫測試資源浪費。量子測控SoC的量產(chǎn)驗證平臺 隨著量子計算機向百比特以上規(guī)模演進，集成化“量子測控SoC”成為趨勢（如Intel的Horse Ridge芯片）。這類芯片集成了多通道微波信號調(diào)制、頻率合成、反饋控制等功能，結構復雜度接近**AI或通信SoC。GT600的512~2048通道并行測試能力、128M向量深度及400MHz測試速率，完全可滿足此類**SoC在工程驗證與小批量量產(chǎn)階段的功能覆蓋與性能分bin需求。

現(xiàn)代AI芯片集成度極高，動輒擁有上千引腳，傳統(tǒng)測試設備因通道數(shù)量不足，往往需分時復用或多輪測試，不僅效率低下，還可能遺漏關鍵時序問題。杭州國磊GT600比較高支持2048個數(shù)字通道，可一次性完成全引腳并行測試，確保高速數(shù)據(jù)總線、多核NPU互連、HBM內(nèi)存接口等復雜結構的功能完整性與時序一致性。這一能力對寒武紀、壁仞、燧原等國產(chǎn)AI芯片企業(yè)尤為重要。在大模型訓練芯片追求***帶寬與低延遲的***，GT600的高通道密度成為驗證真實工作負載下系統(tǒng)穩(wěn)定性的關鍵工具，大幅縮短芯片從流片到量產(chǎn)的周期，助力國產(chǎn)AI算力快速落地數(shù)據(jù)中心與邊緣場景。GM8800系統(tǒng)性能穩(wěn)定，操作便捷，極大地滿足客戶需求。

    MEMS射頻開關與濾波器（RFMEMS）用于5G通信前端模塊，具有低插損、高隔離度優(yōu)勢。雖MEMS本體為無源器件，但常集成驅(qū)動/控制CMOS電路。杭州國磊（Guolei）支持點：測試驅(qū)動IC的開關時序（TMU精度達10ps）；驗證控制邏輯與使能信號的數(shù)字功能；測量驅(qū)動電壓（可達7V）與靜態(tài)/動態(tài)功耗；雖不直接測S參數(shù)，但可確保控制電路可靠性，間接保障RF性能。光學MEMS（如微鏡、光開關）應用于激光雷達（LiDAR）、投影顯示（DLP替代）、光通信。其驅(qū)動ASIC需提供高精度PWM或模擬電壓控制微鏡偏轉(zhuǎn)角度。杭州國磊（Guolei）支持點：AWG輸出多通道模擬控制波形，驗證微鏡響應一致性；TMU測量開關建立時間與穩(wěn)定時間；數(shù)字通道驗證SPI配置寄存器功能；支持多通道同步測試，適配陣列式MEMS微鏡模組。 GT600可驗證谷歌TPU、華為昇騰等定制化AI芯片復雜電源門控網(wǎng)絡、多電壓域上電時序與高密度I/O功能。國產(chǎn)替代PCB測試系統(tǒng)價格

國磊GT600SoC測試機ALPG功能可生成地址/數(shù)據(jù)模式，用于HBM存儲控制器的功能驗證。珠海GEN測試系統(tǒng)價格

集成PPMU與動態(tài)電流監(jiān)測——賦能“每瓦特算力”優(yōu)化 背景：AI芯片能效比（Performance per Watt）成為核心競爭力，尤其在數(shù)據(jù)中心“雙碳”目標下。每通道集成PPMU，支持nA級靜態(tài)電流與A級動態(tài)電流測量； 可捕獲微秒級浪涌電流（Inrush Current）與電壓塌陷（Voltage Droop）； 支持FVMI/FIMV等模式，繪制功耗-性能曲線。幫助芯片設計團隊優(yōu)化電源完整性（PI）與低功耗策略（如電源門控），打造高能效國產(chǎn)AI芯片。512 Sites并行測試架構——降低量產(chǎn)成本，搶占市場先機。AI芯片年出貨量動輒百萬級，測試成本直接影響產(chǎn)品競爭力。512站點并行測試能力，使單顆芯片測試成本降低70%以上，測試效率呈指數(shù)級提升。為國產(chǎn)AI芯片大規(guī)模量產(chǎn)提供“超級測試流水線”，實現(xiàn)“測得快、賣得起、用得穩(wěn)”。開放軟件生態(tài)（GTFY + C++ + Visual Studio）——加速AI芯片創(chuàng)新迭代 背景：AI架構快速演進（如存算一體、類腦計算），需高度靈活的測試平臺。開放編程環(huán)境支持自定義測試邏輯，高校與企業(yè)可快速開發(fā)新型測試方案。不僅是量產(chǎn)工具，更是科研創(chuàng)新的“開放實驗臺”，推動中國AI芯片從“跟隨”走向“**”。珠海GEN測試系統(tǒng)價格