濕法腐蝕是利用腐蝕液和基片之間的化學(xué)反應(yīng)。采用這種方法，雖然各向異性刻蝕并非不可能，但比各向同性刻蝕要困難得多。溶液和材料的組合有很多限制，必須嚴(yán)格控制基板溫度、溶液濃度、添加量等條件。無(wú)論條件調(diào)整得多么精細(xì)，濕法蝕刻都難以實(shí)現(xiàn)1μm以下的精細(xì)加工。其原因之一是需要控制側(cè)面蝕刻。側(cè)蝕是一種也稱(chēng)為底切的現(xiàn)象。即使希望通過(guò)濕式蝕刻在垂直方向（深度方向）溶解材料，也不可能完全防止溶液腐蝕側(cè)面，因此材料在平行方向的溶解將不可避免地進(jìn)行。由于這種現(xiàn)象，濕蝕刻隨機(jī)產(chǎn)生比目標(biāo)寬度窄的部分。這樣，在加工需要精密電流控制的產(chǎn)品時(shí)，再現(xiàn)性低，精度不可靠。光刻主要利用的是光刻膠中光敏分子的單光子吸收效應(yīng)所誘導(dǎo)的光化...

隨著光刻對(duì)準(zhǔn)技術(shù)的發(fā)展，一開(kāi)始只是作為評(píng)價(jià)及測(cè)試光柵質(zhì)量的莫爾條紋技術(shù)在光刻對(duì)準(zhǔn)中的應(yīng)用也得到了更深層的開(kāi)發(fā)。起初，其只能實(shí)現(xiàn)較低精度的人工對(duì)準(zhǔn)，但隨著細(xì)光柵衍射理論的發(fā)展，利用莫爾條紋相關(guān)特性漸漸也可以在諸如納米壓印光刻對(duì)準(zhǔn)等高精度對(duì)準(zhǔn)領(lǐng)域得到應(yīng)用。莫爾條紋是兩條光柵或其他兩個(gè)物體之間，當(dāng)它們以一定的角度和頻率運(yùn)動(dòng)時(shí)，會(huì)產(chǎn)生干涉條紋圖案。當(dāng)人眼無(wú)法看到實(shí)際物體而只能看到干涉花紋時(shí)，這種光學(xué)現(xiàn)象就是莫爾條紋。L.Rayleigh對(duì)這個(gè)現(xiàn)象做出了解釋?zhuān)瑑蓚€(gè)重疊的平行光柵會(huì)生成一系列與光柵質(zhì)量有關(guān)的低頻條紋，他的理論指出當(dāng)兩個(gè)周期相等的光柵柵線(xiàn)以一定夾角平行放置時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生莫爾條紋，而周期不相等的...

曝光后烘烤是化學(xué)放大膠工藝中很關(guān)鍵，也是反應(yīng)機(jī)理很復(fù)雜的一道工序。后烘過(guò)程中，化學(xué)放大膠內(nèi)存在多種反應(yīng)機(jī)制，情況復(fù)雜并相互影響。例如各反應(yīng)基團(tuán)的擴(kuò)散，蒸發(fā)將導(dǎo)致抗蝕刑的組成分布梯度變化：基質(zhì)樹(shù)脂中的去保護(hù)基團(tuán)會(huì)引起膠膜體積增加但當(dāng)烘烤溫度達(dá)到光刻膠的玻璃化溫度時(shí)基質(zhì)樹(shù)脂又并始變得稠密兩者同時(shí)又都會(huì)影響膠膜中酸的擴(kuò)散，且影響作用相反。這眾多的反應(yīng)機(jī)制都將影響到曝光圖形，因此烘烤的溫度、時(shí)間和曝光與烘烤之間停留的時(shí)間間隔都是影響曝光圖形線(xiàn)寬的重要因素。光源波長(zhǎng)的選擇直接影響光刻的分辨率。湖北材料刻蝕廠商二氧化硅的濕法刻蝕通常使用HF。因?yàn)?∶1的HF（H2O中49%的HF）在室溫下刻蝕氧化物速度過(guò)...

第三代為掃描投影式光刻機(jī)。中間掩模版上的版圖通過(guò)光學(xué)透鏡成像在基片表面，有效地提高了成像質(zhì)量，投影光學(xué)透鏡可以是1∶1，但大多數(shù)采用精密縮小分步重復(fù)曝光的方式（如1∶10，1∶5，1∶4）。IC版圖面積受限于光源面積和光學(xué)透鏡成像面積。光學(xué)曝光分辨率增強(qiáng)等光刻技術(shù)的突破，把光刻技術(shù)推進(jìn)到深亞微米及百納米級(jí)。第四代為步進(jìn)式掃描投影光刻機(jī)。以?huà)呙璧姆绞綄?shí)現(xiàn)曝光，采用193nm的KrF準(zhǔn)分子激光光源，分步重復(fù)曝光，將芯片的工藝節(jié)點(diǎn)提升一個(gè)臺(tái)階。實(shí)現(xiàn)了跨越式發(fā)展，將工藝推進(jìn)至180~130nm。隨著浸入式等光刻技術(shù)的發(fā)展，光刻推進(jìn)至幾十納米級(jí)。第五代為EUV光刻機(jī)。采用波長(zhǎng)為13.5nm的激光等離子體...

光源的選擇不但影響光刻膠的曝光效果和穩(wěn)定性，還直接決定了光刻圖形的精度和生產(chǎn)效率。選擇合適的光源可以提高光刻圖形的分辨率和清晰度，使得在更小的芯片上集成更多的電路成為可能。同時(shí)，優(yōu)化光源的功率和曝光時(shí)間可以縮短光刻周期，提高生產(chǎn)效率。然而，光源的選擇也需要考慮成本和環(huán)境影響。高亮度、高穩(wěn)定性的光源往往伴隨著更高的制造成本和維護(hù)成本。因此，在選擇光源時(shí)，需要在保證圖形精度和生產(chǎn)效率的同時(shí)，兼顧成本和環(huán)境可持續(xù)性！光刻是集成電路和半導(dǎo)體器件制造工藝中的關(guān)鍵性技術(shù)。湖北Si材料刻蝕第三代為掃描投影式光刻機(jī)。中間掩模版上的版圖通過(guò)光學(xué)透鏡成像在基片表面，有效地提高了成像質(zhì)量，投影光學(xué)透鏡可以是1∶1，...

UV-LED光源作為一種新興光源，近幾年技術(shù)獲得了極大的進(jìn)步，在光刻機(jī)上同樣作為光源使用。與傳統(tǒng)汞燈相比，具有光強(qiáng)更高、穩(wěn)定性更好的特點(diǎn)，可節(jié)省電能約50%，壽命延長(zhǎng)5倍～10倍。一支汞燈的使用壽命通常在800～1000h，在進(jìn)行工業(yè)生產(chǎn)中，通常24h保持工作狀態(tài)，能耗極大，隨著持續(xù)使用光強(qiáng)快速衰減，需要根據(jù)工藝需求不斷對(duì)汞燈位置進(jìn)行校正，調(diào)節(jié)光強(qiáng)大小以滿(mǎn)足曝光時(shí)光強(qiáng)求。UV-LED光源采用電子快門(mén)技術(shù)，曝光結(jié)束后LED自動(dòng)關(guān)閉，間斷性的使用極大地延長(zhǎng)了LED的使用時(shí)間，曝光光強(qiáng)可以通過(guò)調(diào)節(jié)燈珠功率實(shí)現(xiàn)，操作簡(jiǎn)單方便。套刻精度(OverlayAccuracy)的基本含義是指前后兩道光刻工序之間...

泛曝光是在不使用掩膜的曝光過(guò)程，會(huì)對(duì)未暴露的光刻膠區(qū)域進(jìn)行曝光，從而可以在后續(xù)的顯影過(guò)程被溶解顯影。為了使光刻膠輪廓延伸到襯底，(襯底附近)光刻膠區(qū)域也應(yīng)獲得足夠的曝光劑量。泛曝光的劑量過(guò)大并不會(huì)影響后續(xù)的工藝過(guò)程，因?yàn)槠毓鈪^(qū)域的光刻膠在反轉(zhuǎn)烘烤過(guò)程中已經(jīng)不再感光。因此，我們建議泛曝光的劑量至少是在正膠工藝模式下曝光相同厚度的光刻膠膠膜所需要?jiǎng)┝康膬傻饺?。特別是在厚膠的情況下(>3um膠厚)，在泛曝光時(shí)下面這些情況也要考慮同樣的事情，這也與后正膠的曝光相關(guān):由于光刻膠在反轉(zhuǎn)烘烤步驟后是不含水分，而DNQ基光刻膠的曝光過(guò)程是需要水的，因此在泛曝光前光刻膠也需時(shí)間進(jìn)行再吸水過(guò)程。由于泛曝光的曝光...

雙面對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)采用底部對(duì)準(zhǔn)（BSA）技術(shù)，能實(shí)現(xiàn)“雙面對(duì)準(zhǔn)，單面曝光”。該設(shè)備對(duì)準(zhǔn)精度高，適用于大直徑基片。在對(duì)準(zhǔn)過(guò)程中，圖形處理技術(shù)起到了至關(guān)重要的作用。其基本工作原理是將CCD攝像頭采集得到的連續(xù)模擬圖像信號(hào)經(jīng)圖像采集卡模塊的D/A轉(zhuǎn)換，變?yōu)閿?shù)字圖像信號(hào)，然后再由圖像處理模塊完成對(duì)數(shù)字圖像信號(hào)的運(yùn)算處理，這主要包括圖像預(yù)處理、圖像的分割、匹配等算法的實(shí)現(xiàn)。為有效提取對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的邊緣，對(duì)獲取的標(biāo)記圖像通常要進(jìn)行預(yù)處理以便提取出圖像中標(biāo)記的邊緣，這包括：減小和濾除圖像中的噪聲，增強(qiáng)圖像的邊緣等。光刻膠根據(jù)其感光樹(shù)脂的化學(xué)結(jié)構(gòu)也可以分為光交聯(lián)性、光聚合型、光分解型和化學(xué)放大型。光刻對(duì)準(zhǔn)技術(shù)是曝光前...

光刻機(jī)被稱(chēng)作“現(xiàn)代光學(xué)工業(yè)之花”，生產(chǎn)制造全過(guò)程極為繁雜，一臺(tái)光刻機(jī)的零配件就達(dá)到10萬(wàn)個(gè)。ASML光刻機(jī)也不是荷蘭以一國(guó)之力造出的，ASML公司的光刻機(jī)采用了美國(guó)光源設(shè)備及技術(shù)工藝，也選用了德國(guó)卡爾蔡司的光學(xué)鏡頭先進(jìn)設(shè)備，絕大多數(shù)零部件都需用從海外進(jìn)口，匯聚了全世界科技強(qiáng)國(guó)的科技，才可以制作出一臺(tái)光刻機(jī)。上海微電子占有著中國(guó)80%之上的市場(chǎng)占有率，現(xiàn)階段中國(guó)銷(xiāo)售市場(chǎng)上絕大多數(shù)智能機(jī)都采用了上海微電子的現(xiàn)代化封裝光刻機(jī)技術(shù)，而先前這種光刻機(jī)都在進(jìn)口?，F(xiàn)階段，國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)的困難關(guān)鍵在于沒(méi)法生產(chǎn)制造高精密的零配件，ASML的零配件來(lái)源于美國(guó)、德國(guó)、日本等發(fā)達(dá)國(guó)家，而現(xiàn)階段在我國(guó)還無(wú)法掌握這種技術(shù)，也...

在光刻膠技術(shù)數(shù)據(jù)表中，會(huì)給出一些參考的曝光劑量值，通常，這里所寫(xiě)的值是用單色i-線(xiàn)或者BB-UV曝光。正膠和負(fù)膠的光反應(yīng)通常是一個(gè)單光子過(guò)程與時(shí)間沒(méi)太大關(guān)系。因此，在原則上需要多長(zhǎng)時(shí)間(從脈沖激光的飛秒到接觸光刻的秒到激光干涉光刻的小時(shí))并不重要，作為強(qiáng)度和時(shí)間的產(chǎn)物，作用在在光刻膠上的劑量是光強(qiáng)與曝光時(shí)間的產(chǎn)物。在增加光強(qiáng)和光刻膠厚度較大的時(shí)候，必須考慮曝光過(guò)程中產(chǎn)生的熱量和氣體（如正膠和圖形反轉(zhuǎn)膠中的N2排放）從光刻膠膜中排出時(shí)間因?yàn)闊崃亢蜌怏w會(huì)導(dǎo)致光刻膠膜產(chǎn)生熱和機(jī)械損傷。襯底的反射率對(duì)光刻膠膜實(shí)際吸收的曝光強(qiáng)度有影響，特別是對(duì)于薄的光學(xué)光刻膠膜。玻璃晶圓的短波光強(qiáng)反射約10%，硅晶片反...

刻膠顯影完成后，圖形就基本確定，不過(guò)還需要使光刻膠的性質(zhì)更為穩(wěn)定。硬烘干可以達(dá)到這個(gè)目的，這一步驟也被稱(chēng)為堅(jiān)膜。在這過(guò)程中，利用高溫處理，可以除去光刻膠中剩余的溶劑、增強(qiáng)光刻膠對(duì)硅片表面的附著力，同時(shí)提高光刻膠在隨后刻蝕和離子注入過(guò)程中的抗蝕性能力。另外，高溫下光刻膠將軟化，形成類(lèi)似玻璃體在高溫下的熔融狀態(tài)。這會(huì)使光刻膠表面在表面張力作用下圓滑化，并使光刻膠層中的缺陷減少，這樣修正光刻膠圖形的邊緣輪廓。光刻圖案的復(fù)雜性隨著制程的進(jìn)步而不斷增加。黑龍江材料刻蝕公司在反轉(zhuǎn)工藝下，通過(guò)適當(dāng)?shù)墓に噮?shù)，可以獲得底切的側(cè)壁形態(tài)。這種方法的主要應(yīng)用領(lǐng)域是剝離過(guò)程，在剝離過(guò)程中，底切的形態(tài)可以防止沉積的材料...

光刻工藝就是將光學(xué)掩膜版的圖形轉(zhuǎn)移至光刻膠中。掩膜版按基板材料分為樹(shù)脂和玻璃基板，其中玻璃基板又包含石英玻璃，硅硼玻璃，蘇打玻璃等，石英玻璃硬度高，熱膨脹系數(shù)低但價(jià)格較高等主要用于高精度領(lǐng)域；按光學(xué)掩膜版的遮光材料可分為乳膠遮光模和硬質(zhì)遮光膜，硬質(zhì)遮光膜又細(xì)分為鉻，硅，硅化鉬，氧化鐵等。在半導(dǎo)體領(lǐng)域，鉻-石英版因其性能穩(wěn)定，耐用性，精度高等在該領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用。我國(guó)的光學(xué)掩膜版制作始于20世紀(jì)60年代，當(dāng)時(shí)基板主要進(jìn)口日本“櫻花”玻璃及美國(guó)柯達(dá)玻璃。1978年，我國(guó)大連玻璃廠當(dāng)時(shí)實(shí)現(xiàn)制版玻璃的產(chǎn)業(yè)化，成品率10%左右。80年代后期，基板主要采用平拉玻璃。到90年代，浮法玻璃技術(shù)技術(shù)較為成熟，開(kāi)始...

泛曝光是在不使用掩膜的曝光過(guò)程，會(huì)對(duì)未暴露的光刻膠區(qū)域進(jìn)行曝光，從而可以在后續(xù)的顯影過(guò)程被溶解顯影。為了使光刻膠輪廓延伸到襯底，(襯底附近)光刻膠區(qū)域也應(yīng)獲得足夠的曝光劑量。泛曝光的劑量過(guò)大并不會(huì)影響后續(xù)的工藝過(guò)程，因?yàn)槠毓鈪^(qū)域的光刻膠在反轉(zhuǎn)烘烤過(guò)程中已經(jīng)不再感光。因此，我們建議泛曝光的劑量至少是在正膠工藝模式下曝光相同厚度的光刻膠膠膜所需要?jiǎng)┝康膬傻饺?。特別是在厚膠的情況下(>3um膠厚)，在泛曝光時(shí)下面這些情況也要考慮同樣的事情，這也與后正膠的曝光相關(guān):由于光刻膠在反轉(zhuǎn)烘烤步驟后是不含水分，而DNQ基光刻膠的曝光過(guò)程是需要水的，因此在泛曝光前光刻膠也需時(shí)間進(jìn)行再吸水過(guò)程。由于泛曝光的曝光...

涂膠工序是圖形轉(zhuǎn)換工藝中重要的步驟。涂膠的質(zhì)量直接影響到所加工器件的缺陷密度。為了保證線(xiàn)寬的重復(fù)性和接下去的顯影時(shí)間，同一個(gè)樣品的膠厚均勻性和不同樣品間的膠厚一致性不應(yīng)超過(guò)±5nm(對(duì)于1.5um膠厚±0.3%)。光刻膠的目標(biāo)厚度的確定主要考慮膠自身的化學(xué)特性以及所要復(fù)制圖形中線(xiàn)條的及間隙的微細(xì)程度。太厚膠會(huì)導(dǎo)致邊緣覆蓋或連通、小丘或田亙狀膠貌、使成品率下降。在MEMS中、膠厚(烤后)在0.5-2um之間，而對(duì)于特殊微結(jié)構(gòu)制造，膠厚度有時(shí)希望1cm量級(jí)。在后者，旋轉(zhuǎn)涂膠將被鑄膠或等離子體膠聚合等方法取代。常規(guī)光刻膠涂布工序的優(yōu)化需要考慮滴膠速度、滴膠量、轉(zhuǎn)速、環(huán)境溫度和濕度等，這些因素的穩(wěn)定性...

光刻膠原料是光刻膠產(chǎn)業(yè)的重要環(huán)節(jié)，原料的品質(zhì)也決定了光刻膠產(chǎn)品品質(zhì)。光刻膠上游原材料是指光刻膠化學(xué)品一級(jí)原料，可以細(xì)分為感光劑、溶劑、成膜樹(shù)脂及添加劑（助劑、單體等）。在典型的光刻膠組分中，一般溶劑含量占到65%-90%，成膜樹(shù)脂占5%-25%，感光劑及添加劑占15%以下。我國(guó)對(duì)光刻膠及化學(xué)品的研究起步較晚，盡管取得了一定成果，但技術(shù)水平仍與國(guó)際水平相差較大，作為原料的主要化學(xué)品仍然需要依賴(lài)進(jìn)口。同時(shí)在當(dāng)前市場(chǎng)中，受光刻膠產(chǎn)品特性影響，光刻膠用原材料更偏向于客制化產(chǎn)品，原材料需要滿(mǎn)足特定的分析結(jié)構(gòu)、分子量、純度以及粒徑控制等。剝離工藝（lift-off）是指在有光刻膠圖形的掩膜上鍍膜后，再去除...

顯影速度：顯影速率主要取決于使用的光刻膠和反轉(zhuǎn)烘烤步驟的時(shí)間和溫度。反轉(zhuǎn)烘烤的溫度越高、時(shí)間越長(zhǎng)，光引發(fā)劑的熱分解率就越高。在常規(guī)顯影液中，顯影速率>1um/min是比較常見(jiàn)的，但并不是每款膠都是這樣的。底切結(jié)構(gòu)的形成：過(guò)顯的程度(光刻膠開(kāi)始顯影到顯影完成的時(shí)間)對(duì)底切結(jié)構(gòu)的形成有明顯的影響。如圖3所示，在充分顯影后，隨著顯影時(shí)間的延長(zhǎng)，底切的程度會(huì)表現(xiàn)更明顯。對(duì)于實(shí)際應(yīng)用中，建議30%的過(guò)度顯影是個(gè)比較合適的節(jié)點(diǎn)：在高深寬比的應(yīng)用中，必須注意，過(guò)度的底切結(jié)構(gòu)有可能會(huì)導(dǎo)致光刻膠漂膠。足夠的光刻膠厚度：在使用方向性比較好的鍍膜方式中，鍍膜材料的厚度甚至可以大于光刻膠的厚度。因?yàn)椋舭l(fā)的材料在空隙...

濕法腐蝕是利用腐蝕液和基片之間的化學(xué)反應(yīng)。采用這種方法，雖然各向異性刻蝕并非不可能，但比各向同性刻蝕要困難得多。溶液和材料的組合有很多限制，必須嚴(yán)格控制基板溫度、溶液濃度、添加量等條件。無(wú)論條件調(diào)整得多么精細(xì)，濕法蝕刻都難以實(shí)現(xiàn)1μm以下的精細(xì)加工。其原因之一是需要控制側(cè)面蝕刻。側(cè)蝕是一種也稱(chēng)為底切的現(xiàn)象。即使希望通過(guò)濕式蝕刻在垂直方向（深度方向）溶解材料，也不可能完全防止溶液腐蝕側(cè)面，因此材料在平行方向的溶解將不可避免地進(jìn)行。由于這種現(xiàn)象，濕蝕刻隨機(jī)產(chǎn)生比目標(biāo)寬度窄的部分。這樣，在加工需要精密電流控制的產(chǎn)品時(shí)，再現(xiàn)性低，精度不可靠。精確的光刻對(duì)準(zhǔn)是實(shí)現(xiàn)多層結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵。數(shù)字光刻鋁（Alumin...

SU-8光刻膠在近紫外光(365nm-400nm)范圍內(nèi)光吸收度很低，且整個(gè)光刻膠層所獲得的曝光量均勻一致，可得到具有垂直側(cè)壁和高深寬比的厚膜圖形；它還具有良好的力學(xué)性能、抗化學(xué)腐蝕性和熱穩(wěn)定性;在受到紫外輻射后發(fā)生交聯(lián)，是一種化學(xué)擴(kuò)大負(fù)性膠，可以形成臺(tái)階等結(jié)構(gòu)復(fù)雜的圖形;在電鍍時(shí)可以直接作為絕緣體使用。SU-具有分子量低、溶解度好、透明度高、可形成光滑膜層、玻璃化溫度（Tg）低、粘度可降低、單次旋涂可得超厚膜層（650μm）、涂層厚度均勻、高寬比大（10:1）、耐化學(xué)性?xún)?yōu)異、生物相容性好（微流控芯片）的特點(diǎn)。SU-8光刻膠具有許多優(yōu)異的性能，可以制造數(shù)百Lm甚至1000Lm厚、深寬比可達(dá)50...

在勻膠工藝中，轉(zhuǎn)速的快慢和控制精度直接關(guān)系到旋涂層的厚度控制和膜層均勻性。勻膠機(jī)的轉(zhuǎn)速精度是一項(xiàng)重要的指標(biāo)。用來(lái)吸片的真空泵一般選擇無(wú)油泵，上配有壓力表，同時(shí)現(xiàn)在很多勻膠機(jī)有互鎖，未檢測(cè)的真空將不會(huì)啟動(dòng)。有時(shí)會(huì)出現(xiàn)膠液進(jìn)入真空管道的現(xiàn)象，有的勻膠機(jī)廠商會(huì)在某一段管路加一段"U型"管路，降低異物進(jìn)入真空管道的影響。光刻膠主要應(yīng)用于半導(dǎo)體、顯示面板與印制電路板等三大領(lǐng)域。其中，半導(dǎo)體光刻膠技術(shù)難度高，主要被美日企業(yè)壟斷。據(jù)相關(guān)研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，全球光刻膠市場(chǎng)中，LCD光刻膠、PCB光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠產(chǎn)品占比較為平均。相比之下，中國(guó)光刻膠生產(chǎn)能力主要集中PCB光刻膠，占比高達(dá)約94%；半導(dǎo)體光刻膠...

濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將被刻蝕固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高，是因?yàn)樗褂玫母g液可以非常精確地腐蝕特定薄膜。對(duì)于大多數(shù)刻蝕方案，選擇性大于100:1。濕法腐蝕必須滿(mǎn)足以下要求：1.不得腐蝕掩模層；2.選擇性必須高；3.蝕刻過(guò)程必須能夠通過(guò)用水稀釋來(lái)停止；4.反應(yīng)產(chǎn)物是氣態(tài)的少；5.整個(gè)過(guò)程中的蝕刻速率始終保持恒定；6.反應(yīng)產(chǎn)物一般是可溶，以避免顆粒；7.環(huán)境安全和廢液易于處置。光刻膠的粘度是一個(gè)非常重要的參數(shù)，它對(duì)指導(dǎo)光刻膠的涂膠至為重要。黏度（viscosity）用于衡量光刻膠液體的可流動(dòng)性。通過(guò)重復(fù)進(jìn)行Si蝕刻、聚合物沉積、底面聚合物去除，可以進(jìn)行縱向的深度蝕刻，側(cè)壁的...

光刻是集成電路和半導(dǎo)體器件制造工藝中的關(guān)鍵性技術(shù)，其工藝質(zhì)量直接影響器件成品率、可靠性、器件性能以及使用壽命等參數(shù)指標(biāo)的穩(wěn)定和提高，就目前光刻工藝而言，工藝設(shè)備的穩(wěn)定性、工藝材料以及人工參與的影響等都會(huì)對(duì)后續(xù)器件成品率及可靠性產(chǎn)生影響。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過(guò)具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見(jiàn)光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線(xiàn)路圖的作用。這就是光刻的作用，類(lèi)似照相機(jī)照相。照相機(jī)拍攝的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是電路圖和其他電子元件。簡(jiǎn)單點(diǎn)來(lái)說(shuō)，光刻機(jī)就是放大的單反，光刻機(jī)就是將光罩上的設(shè)計(jì)好集成電路圖形通過(guò)光線(xiàn)的曝光印到光感材料上，...

通過(guò)光刻技術(shù)制作出的微納結(jié)構(gòu)需進(jìn)一步通過(guò)刻蝕或者鍍膜，才可獲得所需的結(jié)構(gòu)或元件。刻蝕技術(shù)，是按照掩模圖形對(duì)襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù)，可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕較普遍、也是成本較低的刻蝕方法，大部份的濕刻蝕液均是各向同性的，換言之，對(duì)刻蝕接觸點(diǎn)之任何方向腐蝕速度并無(wú)明顯差異。而干刻蝕采用的氣體，或轟擊質(zhì)量頗巨，或化學(xué)活性極高，均能達(dá)成刻蝕的目的。其較重要的優(yōu)點(diǎn)是能兼顧邊緣側(cè)向侵蝕現(xiàn)象極微與高刻蝕率兩種優(yōu)點(diǎn)。干法刻蝕能夠滿(mǎn)足亞微米/納米線(xiàn)寬制程技術(shù)的要求，且在微納加工技術(shù)中被大量使用。光刻機(jī)利用精確的光線(xiàn)圖案化硅片。河北微納加工平臺(tái)現(xiàn)有光刻主要利用的是光刻膠中光敏分...

在光學(xué)光刻中，光致抗蝕劑通過(guò)光掩模用紫外光曝光。紫外接觸式曝光機(jī)使用了較短波長(zhǎng)的光（G線(xiàn)435nm，H線(xiàn)405nm，I線(xiàn)365nm）。接觸光刻機(jī)屬于這種光學(xué)光刻。掩膜版的制作則是通過(guò)無(wú)掩膜光刻技術(shù)得到。設(shè)計(jì)圖案由于基本只用一次，一般使用激光直寫(xiě)技術(shù)或者電子束制作掩膜版，通過(guò)激光束在光刻膠上直接掃描曝光出需要的圖形，在經(jīng)過(guò)后續(xù)工藝，得到需要的掩膜版。激光直寫(xiě)系統(tǒng)包括光源，激光調(diào)制系統(tǒng)，變焦透鏡，工件臺(tái)控制系統(tǒng)，計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)等。濕法刻蝕較普遍、也是成本較低的刻蝕方法，大部份的濕刻蝕液均是各向同性的。深硅刻蝕材料刻蝕多少錢(qián)光源的選擇不但影響光刻膠的曝光效果和穩(wěn)定性，還直接決定了光刻圖形的精度和生產(chǎn)...

在曝光這一步中，將使用特定波長(zhǎng)的光對(duì)覆蓋襯底的光刻膠進(jìn)行選擇性地照射。光刻膠中的感光劑會(huì)發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，從而使正光刻膠被照射區(qū)域（感光區(qū)域）、負(fù)光刻膠未被照射的區(qū)域（非感光區(qū)）化學(xué)成分發(fā)生變化。這些化學(xué)成分發(fā)生變化的區(qū)域，在下一步的能夠溶解于特定的顯影液中。在接受光照后，正性光刻膠中的感光劑DQ會(huì)發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，變?yōu)橐蚁┩⑦M(jìn)一步水解為茚并羧酸，羧酸在堿性溶劑中的溶解度比未感光部分的光刻膠高出約100倍，產(chǎn)生的羧酸同時(shí)還會(huì)促進(jìn)酚醛樹(shù)脂的溶解。利用感光與未感光光刻膠對(duì)堿性溶劑的不同溶解度，就可以進(jìn)行掩膜圖形的轉(zhuǎn)移。曝光方法包括：接觸式曝光—掩膜板直接與光刻膠層接觸；接近式曝光—掩膜板與光刻膠層...

光刻（Photolithography)是一種圖形轉(zhuǎn)移的方法，在微納加工當(dāng)中不可或缺的技術(shù)。光刻是一個(gè)比較大的概念，其實(shí)它是有多步工序所組成的。1.清洗：清洗襯底表面的有機(jī)物。2.旋涂：將光刻膠旋涂在襯底表面。3.曝光。將光刻版與襯底對(duì)準(zhǔn)，在紫外光下曝光一定的時(shí)間。4.顯影：將曝光后的襯底在顯影液下顯影一定的時(shí)間，受過(guò)紫外線(xiàn)曝光的地方會(huì)溶解在顯影液當(dāng)中。5.后烘。將顯影后的襯底放置熱板上后烘，以增強(qiáng)光刻膠與襯底之前的粘附力。EUV光刻解決了更小特征尺寸的需求。東莞光刻價(jià)格隨著光刻對(duì)準(zhǔn)技術(shù)的發(fā)展，一開(kāi)始只是作為評(píng)價(jià)及測(cè)試光柵質(zhì)量的莫爾條紋技術(shù)在光刻對(duì)準(zhǔn)中的應(yīng)用也得到了更深層的開(kāi)發(fā)。起初，其只能實(shí)...

當(dāng)圖形尺寸大于3μm時(shí)，濕法刻蝕廣用于半導(dǎo)體生產(chǎn)的圖形化過(guò)程。濕法刻蝕具有非常好的選擇性和高刻蝕速率，這根據(jù)刻蝕劑的溫度和厚度而定。比如，氫氟酸（HF）刻蝕二氧化硅的速度很快，但如果單獨(dú)使用卻很難刻蝕硅。因此在使用氫氟酸刻蝕硅晶圓上的二氧化硅層時(shí)，硅襯底就能獲得很高的選擇性。相對(duì)于干法刻蝕，濕法刻蝕的設(shè)備便宜很多，因?yàn)樗恍枰婵铡⑸漕l和氣體輸送等系統(tǒng)。然而當(dāng)圖形尺寸縮小到3μm以下時(shí)，由于濕法刻蝕為等向性刻蝕輪廓（見(jiàn)圖2），因此繼續(xù)使用濕法刻蝕作為圖形化刻蝕就變得非常困難，利用濕法刻蝕處理圖形尺寸小于3μm的密集圖形是不可能的。由于等離子體刻蝕具有非等向性刻蝕輪廓，在更精密的圖形化刻蝕中，等...

基于光刻工藝的微納加工技術(shù)主要包含以下過(guò)程：掩模（mask）制備、圖形形成及轉(zhuǎn)移（涂膠、曝光、顯影）、薄膜沉積、刻蝕、外延生長(zhǎng)、氧化和摻雜等。在基片表面涂覆一層某種光敏介質(zhì)的薄膜（抗蝕膠），曝光系統(tǒng)把掩模板的圖形投射在（抗蝕膠）薄膜上，光（光子）的曝光過(guò)程是通過(guò)光化學(xué)作用使抗蝕膠發(fā)生光化學(xué)作用，形成微細(xì)圖形的潛像，再通過(guò)顯影過(guò)程使剩余的抗蝕膠層轉(zhuǎn)變成具有微細(xì)圖形的窗口，后續(xù)基于抗蝕膠圖案進(jìn)行鍍膜、刻蝕等可進(jìn)一步制作所需微納結(jié)構(gòu)或器件。二氧化硅的濕法刻蝕通常使用HF。珠海數(shù)字光刻氧等離子去膠是利用氧氣在微波或射頻發(fā)生器的作用下產(chǎn)生氧等離子體，具有活性的氧等離子體與有機(jī)聚合物發(fā)生氧化反應(yīng)，是的有機(jī)...

從對(duì)準(zhǔn)信號(hào)上分，主要包括標(biāo)記的顯微圖像對(duì)準(zhǔn)、基于光強(qiáng)信息的對(duì)準(zhǔn)和基于相位信息對(duì)準(zhǔn)。對(duì)準(zhǔn)法則是光刻只是把掩膜版上的Y軸與晶園上的平邊成90o，如圖所示。接下來(lái)的掩膜版都用對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與上一層帶有圖形的掩膜對(duì)準(zhǔn)。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記是一個(gè)特殊的圖形，分布在每個(gè)芯片圖形的邊緣。經(jīng)過(guò)光刻工藝對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記就永遠(yuǎn)留在芯片表面，同時(shí)作為下一次對(duì)準(zhǔn)使用。對(duì)準(zhǔn)方法包括：a、預(yù)對(duì)準(zhǔn)，通過(guò)硅片上的notch或者flat進(jìn)行激光自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)b、通過(guò)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志，位于切割槽上。另外層間對(duì)準(zhǔn)，即套刻精度,保證圖形與硅片上已經(jīng)存在的圖形之間的對(duì)準(zhǔn)。濕法刻蝕較普遍、也是成本較低的刻蝕方法，大部份的濕刻蝕液均是各向同性的。湖北微納加工平臺(tái)雙面對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)采...

在曝光這一步中，將使用特定波長(zhǎng)的光對(duì)覆蓋襯底的光刻膠進(jìn)行選擇性地照射。光刻膠中的感光劑會(huì)發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，從而使正光刻膠被照射區(qū)域（感光區(qū)域）、負(fù)光刻膠未被照射的區(qū)域（非感光區(qū)）化學(xué)成分發(fā)生變化。這些化學(xué)成分發(fā)生變化的區(qū)域，在下一步的能夠溶解于特定的顯影液中。在接受光照后，正性光刻膠中的感光劑DQ會(huì)發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，變?yōu)橐蚁┩?，并進(jìn)一步水解為茚并羧酸，羧酸在堿性溶劑中的溶解度比未感光部分的光刻膠高出約100倍，產(chǎn)生的羧酸同時(shí)還會(huì)促進(jìn)酚醛樹(shù)脂的溶解。利用感光與未感光光刻膠對(duì)堿性溶劑的不同溶解度，就可以進(jìn)行掩膜圖形的轉(zhuǎn)移。曝光方法包括：接觸式曝光—掩膜板直接與光刻膠層接觸；接近式曝光—掩膜板與光刻膠層...

曝光顯影后存留在光刻膠上的圖形（被稱(chēng)為當(dāng)前層（currentlayer）必須與晶圓襯底上已有的圖形（被稱(chēng)為參考層（referencelayer））對(duì)準(zhǔn)。這樣才能保證器件各部分之間連接正確。對(duì)準(zhǔn)誤差太大是導(dǎo)致器件短路和斷路的主要原因之一，它極大地影響器件的良率。在集成電路制造的流程中，有專(zhuān)門(mén)的設(shè)備通過(guò)測(cè)量晶圓上當(dāng)前圖形（光刻膠圖形）與參考圖形（襯底內(nèi)圖形）之間的相對(duì)位置來(lái)確定套刻的誤差（overlay）。套刻誤差定量地描述了當(dāng)前的圖形相對(duì)于參考圖形沿X和Y方向的偏差，以及這種偏差在晶圓表面的分布。與圖形線(xiàn)寬（CD）一樣，套刻誤差也是監(jiān)測(cè)光刻工藝好壞的一個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)。理想的情況是當(dāng)前層與參考層的圖形...