實(shí)行外貿(mào)管理系統(tǒng)的注意事項(xiàng)
實(shí)行外貿(mào)管理系統(tǒng)的注意事項(xiàng)
實(shí)行外貿(mào)管理系統(tǒng)的注意事項(xiàng)
實(shí)行外貿(mào)管理系統(tǒng)的注意事項(xiàng)
實(shí)行外貿(mào)管理系統(tǒng)的注意事項(xiàng)
實(shí)行外貿(mào)管理系統(tǒng)的注意事項(xiàng)
實(shí)行外貿(mào)管理系統(tǒng)的注意事項(xiàng)
實(shí)行外貿(mào)管理系統(tǒng)的注意事項(xiàng)
鯨躍慧云榮膺賽迪網(wǎng)“2024外貿(mào)數(shù)字化創(chuàng)新產(chǎn)品”獎(jiǎng)
開關(guān)損耗:晶閘管在非過零點(diǎn)導(dǎo)通與關(guān)斷時(shí),電壓與電流存在交疊,開關(guān)損耗較大(尤其是α角較大時(shí)),導(dǎo)致模塊溫度升高,需配備高效的散熱系統(tǒng)。浪涌電流:過零控制的晶閘管只在電壓過零點(diǎn)導(dǎo)通,導(dǎo)通瞬間電壓接近零,浪涌電流?。ㄍǔ轭~定電流的1.2-1.5倍),對晶閘管與負(fù)載的沖擊小,設(shè)備使用壽命長。開關(guān)損耗:電壓過零點(diǎn)附近,電壓與電流的交疊程度低,開關(guān)損耗?。ㄖ粸橐葡嗫刂频?/5-1/10),模塊發(fā)熱少,散熱系統(tǒng)的設(shè)計(jì)要求較低。浪涌電流:斬波控制的開關(guān)頻率高,且采用軟開關(guān)技術(shù)(如零電壓開關(guān)ZVS、零電流開關(guān)ZCS),導(dǎo)通與關(guān)斷瞬間電壓或電流接近零,浪涌電流極?。ㄍǔ5陀陬~定電流的1.1倍),對器件與負(fù)載的沖擊可忽略不計(jì)。淄博正高電氣展望未來,信心百倍,追求高遠(yuǎn)。青海整流可控硅調(diào)壓模塊供應(yīng)商

輸出波形:移相控制的輸出電壓波形為“截取式”正弦波,在每個(gè)半周內(nèi)只包含從觸發(fā)延遲角α開始的部分波形,未導(dǎo)通區(qū)間的波形被截?cái)啵虼瞬ㄐ纬尸F(xiàn)明顯的“缺角”特征,非正弦性明顯。α角越小,導(dǎo)通區(qū)間越寬,波形越接近正弦波;α角越大,導(dǎo)通區(qū)間越窄,波形缺角越嚴(yán)重,脈沖化特征越明顯。諧波含量:由于波形非正弦性明顯,移相控制的諧波含量較高,且以低次奇次諧波(3次、5次、7次)為主。α角越小,諧波含量越低(3次諧波幅值約為基波的5%-10%);α角越大,諧波含量越高(3次諧波幅值可達(dá)基波的40%-50%)??傊C波畸變率(THD)通常在10%-30%之間,α角較大時(shí)甚至超過30%,對電網(wǎng)的諧波污染相對嚴(yán)重。煙臺單向可控硅調(diào)壓模塊價(jià)格淄博正高電氣始終堅(jiān)持以人為本,恪守質(zhì)量為金,同建雄績偉業(yè)。

在單相交流電路中,兩個(gè)反并聯(lián)的晶閘管分別對應(yīng)電壓的正、負(fù)半周,控制單元根據(jù)調(diào)壓需求,在正半周內(nèi)延遲α角觸發(fā)其中一個(gè)晶閘管導(dǎo)通,負(fù)半周內(nèi)延遲α角觸發(fā)另一個(gè)晶閘管導(dǎo)通,使負(fù)載在每個(gè)半周內(nèi)只獲得部分電壓;在三相交流電路中,多個(gè)晶閘管(或雙向晶閘管)協(xié)同工作,每個(gè)相的晶閘管均按設(shè)定的觸發(fā)延遲角導(dǎo)通,通過調(diào)整各相的α角,實(shí)現(xiàn)三相輸出電壓的同步調(diào)節(jié)。觸發(fā)延遲角α的取值范圍通常為0°-180°,α=0°時(shí),晶閘管在電壓過零點(diǎn)立即導(dǎo)通,輸出電壓有效值接近輸入電壓;α=180°時(shí),晶閘管始終不導(dǎo)通,輸出電壓為0。
大功率模塊(額定電流≥200A),大功率模塊采用大型封裝(如半橋、全橋模塊封裝),通常配備大型散熱片或液冷系統(tǒng),溫度差(芯片到外殼)約25-30℃。Si晶閘管大功率模塊的外殼較高允許溫度為105℃-125℃,較高允許溫升為80℃-100℃;SiC晶閘管模塊的外殼較高允許溫度為155℃-175℃,較高允許溫升為130℃-150℃。不同行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)對可控硅調(diào)壓模塊的較高允許溫升有明確規(guī)定,常見標(biāo)準(zhǔn)包括國際電工委員會(IEC)標(biāo)準(zhǔn)、美國國家電氣制造商協(xié)會(NEMA)標(biāo)準(zhǔn)及中國國家標(biāo)準(zhǔn)(GB):IEC標(biāo)準(zhǔn):IEC60747-6標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定,Si晶閘管的較高允許結(jié)溫為125℃-150℃,模塊外殼與環(huán)境的較高允許溫升(環(huán)境溫度40℃)為60℃-80℃;SiC晶閘管的較高允許結(jié)溫為175℃-200℃,較高允許溫升為110℃-130℃。淄博正高電氣秉承團(tuán)結(jié)、奮進(jìn)、創(chuàng)新、務(wù)實(shí)的精神,誠實(shí)守信,厚德載物。

導(dǎo)熱界面材料:導(dǎo)熱界面材料用于填充模塊與散熱片之間的縫隙,減少接觸熱阻。導(dǎo)熱系數(shù)越高、填充性越好的材料,接觸熱阻越小,熱量傳遞效率越高。例如,導(dǎo)熱系數(shù)為5W/(m?K)的導(dǎo)熱硅脂,比導(dǎo)熱系數(shù)1W/(m?K)的材料,接觸熱阻可降低60%-70%,模塊溫升降低5-8℃。液冷散熱:對于大功率模塊(額定電流≥200A),空氣散熱難以滿足需求,需采用液冷散熱(如水冷、油冷)。液體的導(dǎo)熱系數(shù)與比熱容遠(yuǎn)高于空氣,液冷散熱效率是空氣散熱的5-10倍,可使模塊溫升降低30-50℃,適用于高功率密度、高環(huán)境溫度的場景。淄博正高電氣有著優(yōu)良的服務(wù)質(zhì)量和極高的信用等級。上海單相可控硅調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠家
淄博正高電氣交通便利,地理位置優(yōu)越。青海整流可控硅調(diào)壓模塊供應(yīng)商
干擾通信系統(tǒng):可控硅調(diào)壓模塊產(chǎn)生的高次諧波(如 10 次以上)會通過電磁輻射或線路傳導(dǎo),對電網(wǎng)周邊的通信系統(tǒng)(如有線電話、無線電通信)產(chǎn)生干擾。諧波的頻率若與通信信號頻率相近,會導(dǎo)致通信信號的信噪比下降,出現(xiàn)信號失真、雜音等問題,影響通信質(zhì)量。在工業(yè)場景中,這種干擾可能導(dǎo)致生產(chǎn)調(diào)度通信中斷,影響生產(chǎn)指揮的及時(shí)性與準(zhǔn)確性。電機(jī)類設(shè)備損壞風(fēng)險(xiǎn)增加:電網(wǎng)中的異步電動機(jī)、同步電動機(jī)等設(shè)備均設(shè)計(jì)為在正弦電壓下運(yùn)行,當(dāng)電壓中含有諧波時(shí),會在電機(jī)繞組中產(chǎn)生諧波電流,導(dǎo)致電機(jī)的銅損增加,同時(shí)在電機(jī)內(nèi)部產(chǎn)生反向轉(zhuǎn)矩,使電機(jī)的機(jī)械損耗增大,效率下降。青海整流可控硅調(diào)壓模塊供應(yīng)商