重慶推薦RPS原理

RPS遠(yuǎn)程等離子源在半導(dǎo)體設(shè)備維護(hù)中的經(jīng)濟(jì)效益統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，采用RPS遠(yuǎn)程等離子源進(jìn)行預(yù)防性維護(hù)，可將PECVD設(shè)備平均無(wú)故障時(shí)間延長(zhǎng)至2000小時(shí)，維護(hù)成本降低40%。在刻蝕設(shè)備中，RPS遠(yuǎn)程等離子源將清潔周期從50批次延長(zhǎng)至200批次，備件更換頻率降低60%。某晶圓廠年度報(bào)告顯示，各方面 采用RPS遠(yuǎn)程等離子源后，設(shè)備綜合效率提升15%，年均節(jié)約維護(hù)費(fèi)用超500萬(wàn)元。RPS遠(yuǎn)程等離子源在科研領(lǐng)域的多功能平臺(tái)RPS遠(yuǎn)程等離子源模塊化設(shè)計(jì)支持快速更換反應(yīng)腔室，可適配從基礎(chǔ)研究到中試生產(chǎn)的各種需求。通過(guò)配置多種氣體入口和功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)，功率調(diào)節(jié)范圍覆蓋100-5000W，適用基底尺寸從2英寸到300mm。在材料科學(xué)研究中，RPS遠(yuǎn)程等離子源實(shí)現(xiàn)了石墨烯無(wú)損轉(zhuǎn)移、碳納米管定向排列等前沿應(yīng)用，助力發(fā)表SCI論文200余篇。RPS遠(yuǎn)程等離子源在半導(dǎo)體晶圓清洗中實(shí)現(xiàn)納米級(jí)無(wú)損清潔。重慶推薦RPS原理

三維NAND閃存堆疊層數(shù)的不斷增加，對(duì)刻蝕后高深寬比結(jié)構(gòu)的清洗帶來(lái)了巨大挑戰(zhàn)。其深孔或深溝槽底部的刻蝕殘留物（如聚合物）若不能徹底清理 ，將嚴(yán)重影響后續(xù)多晶硅或鎢填充的質(zhì)量，導(dǎo)致電荷陷阱和器件性能劣化。在此RPS遠(yuǎn)程等離子源應(yīng)用領(lǐng)域展現(xiàn)出其獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。由于等離子體在遠(yuǎn)程生成，其主要產(chǎn)物是電中性的自由基，這些自由基具有較好的擴(kuò)散能力，能夠無(wú)阻礙地深入深寬比超過(guò)60:1的結(jié)構(gòu)底部，與殘留物發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并將其轉(zhuǎn)化為揮發(fā)性氣體排出。相較于直接等離子體，RPS技術(shù)避免了因離子鞘層效應(yīng)導(dǎo)致的清洗不均勻問(wèn)題，確保了從結(jié)構(gòu)頂部到底部的均勻清潔，且不會(huì)因離子轟擊造成結(jié)構(gòu)側(cè)壁的物理?yè)p傷。這使得RPS遠(yuǎn)程等離子源應(yīng)用領(lǐng)域成為3D NAND制造中實(shí)現(xiàn)高良率、高可靠性的主要 技術(shù)之一。安徽半導(dǎo)體設(shè)備RPS射頻電源用于氣體傳感器敏感薄膜的沉積后處理。

RPS遠(yuǎn)程等離子源在功率器件制造中的關(guān)鍵技術(shù)在IGBT模塊制造中，RPS遠(yuǎn)程等離子源通過(guò)優(yōu)化清洗工藝，將芯片貼裝空洞率從5%降至0.5%以下。采用H2/Ar遠(yuǎn)程等離子體在380℃條件下活化DBC基板表面，使焊料鋪展率提升至98%。在SiCMOSFET制造中，RPS遠(yuǎn)程等離子源實(shí)現(xiàn)的柵氧界面態(tài)密度達(dá)2×1010/cm2·eV，使器件導(dǎo)通電阻降低15%，開(kāi)關(guān)損耗改善20%。RPS遠(yuǎn)程等離子源在射頻器件制造中的精密控制針對(duì)5G射頻濾波器制造，RPS遠(yuǎn)程等離子源開(kāi)發(fā)了溫度可控的刻蝕工藝。在BAW濾波器生產(chǎn)中，通過(guò)Ar/Cl2遠(yuǎn)程等離子體將氮化鋁壓電層的刻蝕均勻性控制在±1.5%以內(nèi)，諧振頻率偏差<0.02%。在GaN射頻器件制造中，RPS遠(yuǎn)程等離子源將表面損傷層厚度控制在1.5nm以內(nèi)，使器件截止頻率達(dá)到120GHz，輸出功率密度提升至6W/mm。

遠(yuǎn)程等離子源，是一種基于變壓器電感耦合等離子體技術(shù)的duli式自由基發(fā)生器（RPS），可以有效的解離輸入氣體。產(chǎn)生清洗或蝕刻所需的自由基(氟、氧原子等)，這些自由基通過(guò)腔室壓差傳輸，遠(yuǎn)程等離子體內(nèi)的電場(chǎng)保持在較低的水平，避免電荷可能損壞敏感的晶圓結(jié)構(gòu)，利用自由基的強(qiáng)氧化特性，達(dá)到腔室清洗(Chamber Clean)或制程（On-Wafer PROCESS）的目的。該產(chǎn)品設(shè)計(jì)具有先進(jìn)的HA或PEO涂層plasma block，先進(jìn)的功率自適應(yīng)模式，滿足多種鍍膜和刻蝕工藝需求，小體積的同時(shí)最大功率可達(dá)10kw。為半導(dǎo)體設(shè)備腔室提供高效在線清潔解決方案。

對(duì)于GaN、SiC等化合物半導(dǎo)體和MEMS傳感器等精密器件，傳統(tǒng)的等離子體工藝因其高能離子轟擊和熱效應(yīng)容易造成器件性能的不可逆損傷。RPS遠(yuǎn)程等離子源應(yīng)用領(lǐng)域在此提供了低損傷、高精度的解決方案。在GaN HEMT器件的制造中，RPS可用于柵極凹槽的刻蝕預(yù)處理或刻蝕后殘留物的清理 ，其低離子能量特性確保了AlGaN勢(shì)壘層和二維電子氣（2DEG）不受損傷，從而維持了器件的高跨導(dǎo)和頻率特性。在MEMS制造中，關(guān)鍵的步驟是層的釋放，以形成可活動(dòng)的微結(jié)構(gòu)。RPS遠(yuǎn)程等離子源能夠使用氟基或氧基自由基，溫和且均勻地刻蝕掉結(jié)構(gòu)下方的氧化硅或聚合物層，避免了因“粘附效應(yīng)”（Stiction）導(dǎo)致的結(jié)構(gòu)坍塌，極大地提升了MEMS陀螺儀、加速度計(jì)和麥克風(fēng)的良品率和可靠性。在航空航天電子輻射加固工藝中提升器件可靠性。河南半導(dǎo)體設(shè)備RPScvd腔體清洗

高活性氣態(tài)分子經(jīng)過(guò)真空泵組抽出處理腔室，提高處理腔室內(nèi)部潔凈度。重慶推薦RPS原理

RPS遠(yuǎn)程等離子源應(yīng)用原理：遠(yuǎn)程等離子的處理作用，是非常輕微的刻蝕，有一定的活性作用，主要與腔室內(nèi)部的殘余氣體發(fā)生作用。但是對(duì)腔室內(nèi)部的固體物質(zhì)，例如：腔室內(nèi)壁的金屬材料與腔室內(nèi)部的零配件，在工作時(shí)間較短（幾十分鐘）的情況下，一般只會(huì)發(fā)生淺表層的反應(yīng)，幾十納米至幾微米，因?yàn)榍皇覂?nèi)部的材質(zhì)一般是鋁合金、不銹鋼等，不容易被氧離子所刻蝕。遠(yuǎn)程等離子工作時(shí)，用戶本身的鍍膜工藝是不工作的，所有沒(méi)有直接接觸到有機(jī)發(fā)光材料，就不會(huì)對(duì)有機(jī)發(fā)光材質(zhì)造成損傷。即使是直接接觸，其發(fā)生的輕微的表面作用，也不會(huì)造成損傷。重慶推薦RPS原理