河北半導(dǎo)體RPS推薦廠家

遠(yuǎn)程等離子體源（RPS）是一種用于產(chǎn)生等離子體的裝置，它通常被用于在真空環(huán)境中進(jìn)行表面處理、材料改性、薄膜沉積等工藝。如在CVD等薄膜設(shè)備中，RPS與設(shè)備腔體連接，進(jìn)行分子級的清洗。在晶圓制造過程中，即使微米級的灰塵也會(huì)造成晶體管污染，導(dǎo)致晶圓廢片，因此RPS的清潔性能尤為重要。RPS不僅避免了傳統(tǒng)等離子體源直接接觸處理表面可能帶來的熱和化學(xué)損傷，還因其高度的集成性和靈活性，成為現(xiàn)代真空處理系統(tǒng)中不可或缺的一部分。用于磁性存儲器件的精密圖形化刻蝕工藝。河北半導(dǎo)體RPS推薦廠家

在OLED和LCD顯示面板的制造中，玻璃基板或聚酰亞胺薄膜基板的尺寸越來越大，對清洗和刻蝕工藝的均勻性提出了極高要求。RPS遠(yuǎn)程等離子源應(yīng)用領(lǐng)域在這一場景下優(yōu)勢明顯。由于其等離子體均勻性不受基板尺寸限制，活性自由基能夠均勻地分布在整個(gè)大尺寸面板表面，實(shí)現(xiàn)無死角的徹底清潔。在OLED制造中，用于去除基板表面的微量有機(jī)物和顆粒，確保TFT背板和OLED發(fā)光層的質(zhì)量；在柔性顯示中，用于對PI基板進(jìn)行表面活化，增強(qiáng)后續(xù)薄膜的附著力。此外，在顯示面板的薄膜晶體管陣列制程中，RPS技術(shù)也用于氮化硅或非晶硅薄膜的低溫、低損傷刻蝕，確保了數(shù)百萬個(gè)TFT性能的高度一致，從而保障了顯示畫面的均勻性和低壞點(diǎn)率。pecvd腔室遠(yuǎn)程等離子源RPS電源該技術(shù)通過遠(yuǎn)程等離子體分離原理避免器件表面損傷。

遠(yuǎn)程等離子體源（Remote Plasma Source，RPS）是一種用于產(chǎn)生等離子體的裝置，它通常被用于在真空環(huán)境中進(jìn)行表面處理、材料改性、薄膜沉積等工藝。RPS 通過將氣體輸送到裝置中，利用電場或者磁場產(chǎn)生等離子體，然后將等離子體傳輸?shù)叫枰幚淼谋砻鎱^(qū)域。與傳統(tǒng)等離子體源不同的是，RPS 通常不直接接觸要處理的表面，而是在一定距離之外產(chǎn)生等離子體，并將等離子體輸送到目標(biāo)表面，因此被稱為“遠(yuǎn)程等離子體源”。遠(yuǎn)程等離子體源RPS的主要優(yōu)點(diǎn)在于它可以實(shí)現(xiàn)對表面的均勻處理，而且對于一些敏感的表面或者材料，由于遠(yuǎn)離等離子體，因此減少了對表面的熱和化學(xué)損傷。此外，遠(yuǎn)程等離子體源RPS可以被集成到真空處理系統(tǒng)中，使得表面處理和材料改性的工藝更加靈活和高效。

RPS遠(yuǎn)程等離子源在MEMS制造中的精密處理：MEMS器件包含敏感的機(jī)械結(jié)構(gòu)，易受等離子體損傷。RPS遠(yuǎn)程等離子源通過遠(yuǎn)程等離子體生成，消除了帶電粒子的影響，只利用中性自由基進(jìn)行清洗或刻蝕。這在釋放步驟或無償層去除中尤為重要，避免了靜電荷積累導(dǎo)致的結(jié)構(gòu)粘附。此外，RPS遠(yuǎn)程等離子源的均勻性確保了整個(gè)晶圓上的處理一致性，提高了器件性能和良率。隨著MEMS應(yīng)用擴(kuò)展到醫(yī)療和汽車領(lǐng)域，RPS遠(yuǎn)程等離子源提供了所需的精度和可靠性。為功率模塊封裝提供優(yōu)化的界面散熱處理方案。

遠(yuǎn)程等離子源，是一種基于變壓器電感耦合等離子體技術(shù)的duli式自由基發(fā)生器（RPS），可以有效的解離輸入氣體。產(chǎn)生清洗或蝕刻所需的自由基(氟、氧原子等)，這些自由基通過腔室壓差傳輸，遠(yuǎn)程等離子體內(nèi)的電場保持在較低的水平，避免電荷可能損壞敏感的晶圓結(jié)構(gòu)，利用自由基的強(qiáng)氧化特性，達(dá)到腔室清洗(Chamber Clean)或制程（On-Wafer PROCESS）的目的。該產(chǎn)品設(shè)計(jì)具有先進(jìn)的HA或PEO涂層plasma block，先進(jìn)的功率自適應(yīng)模式，滿足多種鍍膜和刻蝕工藝需求，小體積的同時(shí)最大功率可達(dá)10kw。在紅外探測器制造中優(yōu)化光敏面。福建半導(dǎo)體RPS技術(shù)指導(dǎo)

晟鼎RPS自研PEO表面處理工藝，增加PEO膜層使用壽命，降低維護(hù)成本。河北半導(dǎo)體RPS推薦廠家

遠(yuǎn)程等離子體源RPS反應(yīng)原理：氧氣作為工藝氣體通入等離子發(fā)生腔后，會(huì)電離成氧離子，氧離子會(huì)與腔室里面的水分子、氧分子、氫分子、氮分子發(fā)生碰撞和產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)。物理碰撞會(huì)讓這些腔室原有的分子，電離成離子態(tài)，電離后氧離子和氫離子，氧離子和氮離子，氧離子和氧離子都會(huì)由于碰撞或者發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成新的物質(zhì)或者功能基團(tuán)。新形成的物質(zhì)或者功能基團(tuán)，會(huì)更容易被真空系統(tǒng)抽走，從而達(dá)到降低原有腔室的殘余氣體含量。當(dāng)然，氧等離子進(jìn)入到腔室所發(fā)生的反應(yīng)，比以上分析的狀況會(huì)更復(fù)雜，但其機(jī)理是相類似的。河北半導(dǎo)體RPS推薦廠家