DDR測(cè)試DDR測(cè)試熱線

4.時(shí)延匹配在做到時(shí)延的匹配時(shí)，往往會(huì)在布線時(shí)采用trombone方式走線，另外，在布線時(shí)難免會(huì)有切換板層的時(shí)候，此時(shí)就會(huì)添加一些過(guò)孔。不幸的是，但所有這些彎曲的走線和帶過(guò)孔的走線，將它們拉直變?yōu)榈乳L(zhǎng)度理想走線時(shí)，此時(shí)它們的時(shí)延是不等的，

顯然，上面講到的trombone方式在時(shí)延方面同直走線的不對(duì)等是很好理解的，而帶過(guò)孔的走線就更加明顯了。在中心線長(zhǎng)度對(duì)等的情況下，trombone走線的時(shí)延比直走線的實(shí)際延時(shí)是要來(lái)的小的，而對(duì)于帶有過(guò)孔的走線，時(shí)延是要來(lái)的大的。這種時(shí)延的產(chǎn)生，這里有兩種方法去解決它。一種方法是，只需要在EDA工具里進(jìn)行精確的時(shí)延匹配計(jì)算，然后控制走線的長(zhǎng)度就可以了。而另一種方法是在可接受的范圍內(nèi)，減少不匹配度。對(duì)于trombone線，時(shí)延的不對(duì)等可以通過(guò)增大L3的長(zhǎng)度而降低，因?yàn)椴⑿芯€間會(huì)存在耦合，其詳細(xì)的結(jié)果，可以通過(guò)SigXP仿真清楚的看出，L3長(zhǎng)度的不同，其結(jié)果會(huì)有不同的時(shí)延，盡可能的加長(zhǎng)S的長(zhǎng)度，則可以更好的降低時(shí)延的不對(duì)等。對(duì)于微帶線來(lái)說(shuō)，L3大于7倍的走線到地的距離是必須的。 DDR3關(guān)于信號(hào)建立保持是的定義；DDR測(cè)試DDR測(cè)試熱線

DDR測(cè)試

DDR4/5與LPDDR4/5的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試由于基于DDR顆?；駾DRDIMM的系統(tǒng)需要適配不同的平臺(tái)，應(yīng)用場(chǎng)景千差萬(wàn)別，因此需要進(jìn)行詳盡的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試才能保證系統(tǒng)的可靠工作。對(duì)于DDR4及以下的標(biāo)準(zhǔn)來(lái)說(shuō)，物理層一致性測(cè)試主要是發(fā)送的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試；對(duì)于DDR5標(biāo)準(zhǔn)來(lái)說(shuō)，由于接收端出現(xiàn)了均衡器，所以還要包含接收測(cè)試。DDR信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試也是使用高帶寬的示波器。對(duì)于DDR的信號(hào)，技術(shù)規(guī)范并沒(méi)有給出DDR信號(hào)上升/下降時(shí)間的具體參數(shù)，因此用戶只有根據(jù)使用芯片的實(shí)際快上升/下降時(shí)間來(lái)估算需要的示波器帶寬。通常對(duì)于DDR3信號(hào)的測(cè)試，推薦的示波器和探頭的帶寬在8GHz;DDR4測(cè)試建議的測(cè)試系統(tǒng)帶寬是12GHz;而DDR5測(cè)試則推薦使用16GHz以上帶寬的示波器和探頭系統(tǒng)。 DDR測(cè)試DDR測(cè)試熱線DDR的信號(hào)探測(cè)技術(shù)方法；

什麼是DDR內(nèi)存？如何測(cè)試？

近幾年來(lái)，CPU的速度呈指數(shù)倍增長(zhǎng)。然而，計(jì)算機(jī)內(nèi)存的速度增長(zhǎng)確不盡人意。在1999年，大批量的PC133內(nèi)存替代PC100。其間，英特爾公司推出Rambus內(nèi)存作為PC工業(yè)的內(nèi)存解決方案。在內(nèi)存技術(shù)不斷發(fā)展的時(shí)代，每一種新技術(shù)的出現(xiàn)，就意味著更寬的頻帶范圍和更加優(yōu)越的性能。內(nèi)存峰值帶寬定義為：內(nèi)存總線寬度/8位X數(shù)據(jù)速率。該參數(shù)的提高會(huì)在實(shí)際使用過(guò)程中得到充分體現(xiàn)：3維游戲的速度更快，MP3音樂(lè)的播放更加柔和，MPEG視頻運(yùn)動(dòng)圖像質(zhì)量更好。今年，一種新型內(nèi)存：DDR內(nèi)存面世了。對(duì)大多數(shù)人來(lái)說(shuō)，DDR仍然是一個(gè)陌生的名詞，然而，它確是數(shù)以百計(jì)前列內(nèi)存和系統(tǒng)設(shè)計(jì)師3年來(lái)通力合作的結(jié)晶。DDR的出現(xiàn)預(yù)示著內(nèi)存帶寬和性能的提高，然而與Rambus內(nèi)存相比更重要的一點(diǎn)是DDR的價(jià)格更低。

DDR測(cè)試

DDR5的接收端容限測(cè)試

前面我們?cè)诮榻BUSB3.0、PCIe等高速串行總線的測(cè)試時(shí)提到過(guò)很多高速的串行總線由于接收端放置有均衡器，因此需要進(jìn)行接收容限的測(cè)試以驗(yàn)證接收均衡器和CDR在惡劣信號(hào)下的表現(xiàn)。對(duì)于DDR來(lái)說(shuō)，DDR4及之前的總線接收端還相對(duì)比較簡(jiǎn)單，只是做一些匹配、時(shí)延、閾值的調(diào)整。但到了DDR5時(shí)代(圖5.19),由于信號(hào)速率更高，因此接收端也開始采用很多高速串行總線中使用的可變?cè)鲆嬲{(diào)整以及均衡器技術(shù)，這也使得DDR5測(cè)試中必須關(guān)注接收均衡器的影響，這是之前的DDR測(cè)試中不曾涉及的。 DDR工作原理與時(shí)序問(wèn)題；

DDR測(cè)試

除了DDR以外，近些年隨著智能移動(dòng)終端的發(fā)展，由DDR技術(shù)演變過(guò)來(lái)的LPDDR(Low-PowerDDR,低功耗DDR)也發(fā)展很快。LPDDR主要針對(duì)功耗敏感的應(yīng)用場(chǎng)景，相對(duì)于同一代技術(shù)的DDR來(lái)說(shuō)會(huì)采用更低的工作電壓，而更低的工作電壓可以直接減少器件的功耗。比如LPDDR4的工作電壓為1.1V,比標(biāo)準(zhǔn)的DDR4的1.2V工作電壓要低一些，有些廠商還提出了更低功耗的內(nèi)存技術(shù)，比如三星公司推出的LPDDR4x技術(shù)，更是把外部I/O的電壓降到了0.6V。但是要注意的是，更低的工作電壓對(duì)于電源紋波和串?dāng)_噪聲會(huì)更敏感，其電路設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)性更大。除了降低工作電壓以外，LPDDR還會(huì)采用一些額外的技術(shù)來(lái)節(jié)省功耗，比如根據(jù)外界溫度自動(dòng)調(diào)整刷新頻率(DRAM在低溫下需要較少刷新)、部分陣列可以自刷新，以及一些對(duì)低功耗的支持。同時(shí)，LPDDR的芯片一般體積更小，因此占用的PCB空間更小。 協(xié)助DDR有那些工具測(cè)試；DDR測(cè)試DDR測(cè)試熱線

DDR4信號(hào)質(zhì)量測(cè)試 DDR4-DRAM的工作原理分析；DDR測(cè)試DDR測(cè)試熱線

DDR測(cè)試信號(hào)和協(xié)議測(cè)試

DDR4一致性測(cè)試工作臺(tái)（用示波器中的一致性測(cè)試軟件分析DDR仿真波形）對(duì)DDR5來(lái)說(shuō)，設(shè)計(jì)更為復(fù)雜，仿真軟件需要幫助用戶通過(guò)應(yīng)用IBIS模型針對(duì)基于DDR5顆粒或DIMM的系統(tǒng)進(jìn)行仿真驗(yàn)證，比如仿真驅(qū)動(dòng)能力、隨機(jī)抖動(dòng)/確定性抖動(dòng)、寄生電容、片上端接ODT、信號(hào)上升/下降時(shí)間、AGC(自動(dòng)增益控制)功能、4tapsDFE(4抽頭判決反饋均衡)等。

克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室

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