DDR 規(guī)范的 DC 和 AC 特性 眾所周知，對(duì)于任何一種接口規(guī)范的設(shè)計(jì)，首先要搞清楚系統(tǒng)中傳輸?shù)氖鞘裁礃拥男盘?hào)，也就是驅(qū)動(dòng)器能發(fā)出什么樣的信號(hào)，接收器能接受和判別什么樣的信號(hào)，用術(shù)語(yǔ)講，就是信號(hào)的DC和AC特性要求。 在DDR規(guī)范文件JEDEC79R2.odf的TABLE6:ELECTRICALCHARACTERISTICSANDDOOPERATINGCONDITIONS」中對(duì)DDR的DC有明確要求:VCC=+2.5v+0.2V，Vref=+1.25V+0.05VVTT=Vref+0.04V. 在我們的實(shí)際設(shè)計(jì)中，除了要精確設(shè)計(jì)供電電源模塊之外，還需要對(duì)整個(gè)電源系統(tǒng)進(jìn)...

高速DDRx總線系統(tǒng)設(shè)計(jì) 首先簡(jiǎn)要介紹DDRx的發(fā)展歷程，通過幾代DDR的性能及信號(hào)完整性相關(guān)參數(shù)的 對(duì)比，使我們對(duì)DDRx總線有了比較所有的認(rèn)識(shí)。隨后介紹DDRx接口使用的SSTL電平， 以及新一代DDR4使用的POD電平，這能幫助我們?cè)诮窈蟮脑O(shè)計(jì)中更好地理解端接匹配、拓 撲等相關(guān)問題。接下來回顧一下源同步時(shí)鐘系統(tǒng)，并推導(dǎo)源同步時(shí)鐘系統(tǒng)的時(shí)序計(jì)算方法。 結(jié)果使用Cadence的系統(tǒng)仿真工具SystemSI,通過實(shí)例進(jìn)行DDRx的信號(hào)完整性仿真和時(shí)序 分析。 如果DDR3一致性測(cè)試失敗，是否需要更換整組內(nèi)存模塊？測(cè)量DDR3測(cè)試調(diào)試 DDR 規(guī)范解讀 為了讀者能夠更好...

如果模型文件放在其他目錄下，則可以選擇菜單Analyze-Model Browser..,在界面里面單擊 Set Search Path按鈕，然后在彈出的界面里添加模型文件所在的目錄。 選擇菜單Analyze —Model Assignment..,在彈出的模型設(shè)置界面中找到U100 (Controller)來設(shè)置模型。 在模型設(shè)置界面中選中U100后，單擊Find Model...按鈕，在彈出來的界面中刪除 工具自認(rèn)的模型名BGA1295-40,將其用“*”取代，再單擊空白處或按下Tab鍵，在列岀的 模型文件中選中memorycontroller.ibs。 單擊Loa...

DDRhDDRl釆用SSTL_2接口，1/0 口工作電壓為2.5V；時(shí)鐘信號(hào)頻率為100?200MHz； 數(shù)據(jù)信號(hào)速率為200?400 Mbps,通過單端選通信號(hào)雙邊沿釆樣；地址/命令/控制信號(hào)速率為 100?200Mbps,通過時(shí)鐘信號(hào)上升沿采樣；信號(hào)走線都使用樹形拓?fù)?，沒有ODT功能。 DDR2： DDR2釆用SSTL_18接口，I/O 口工作電壓為1.8V；時(shí)鐘信號(hào)頻率為200? 400MHz；數(shù)據(jù)信號(hào)速率為400?800Mbps,在低速率下可選擇使用單端選通信號(hào)，但在高速 率時(shí)需使用差分選通信號(hào)以保證釆樣的準(zhǔn)確性；地址/命令/控制信號(hào)在每個(gè)時(shí)鐘上升沿釆樣的 情況下(1T模式)...

從DDR1、DDR2、DDR3至U DDR4,數(shù)據(jù)率成倍增加，位寬成倍減小，工作電壓持續(xù)降 低，而電壓裕量從200mV減小到了幾十毫伏?？偟膩碚f，隨著數(shù)據(jù)傳輸速率的增加和電壓裕 量的降低，DDRx內(nèi)存子系統(tǒng)對(duì)信號(hào)完整性、電源完整性及時(shí)序的要求越來越高，這也給系 統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來了更多、更大的挑戰(zhàn)。 Bank> Rank及內(nèi)存模塊 1.BankBank是SDRAM顆粒內(nèi)部的一種結(jié)構(gòu)，它通過Bank信號(hào)BA(BankAddress)控制，可以把它看成是對(duì)地址信號(hào)的擴(kuò)展，主要目的是提高DRAM顆粒容量。對(duì)應(yīng)于有4個(gè)Bank的內(nèi)存顆粒，其Bank信號(hào)為BA[1:O],而高容量DDR2和DDR...

重復(fù)步驟6至步驟9,設(shè)置Memory器件U101、U102、U103和U104的模型為 memory.ibs模型文件中的Generic器件。 在所要仿真的時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)中含有上拉電阻(R515和R518),在模型賦置界面中找到 這兩個(gè)電阻，其Device Type都是R0402 47R,可以選中R0402 47R對(duì)這類模型統(tǒng)一進(jìn)行設(shè)置, (12) 選中R0402 47R后,選擇Create ESpice Model...按鈕,在彈出的界面中單擊OK按 鈕，在界面中設(shè)置電阻模型后，單擊OK按鈕賦上電阻模型。 同步驟11、步驟12,將上拉電源處的電容(C583)賦置的電容模型。 ...

至此，DDR3控制器端各信號(hào)間的總線關(guān)系創(chuàng)建完畢。單擊OK按鈕，在彈出的提示窗 口中選擇Copy,這會(huì)將以上總線設(shè)置信息作為SystemSI能識(shí)別的注釋，連同原始IBIS文件 保存為一個(gè)新的IBIS文件。如果不希望生成新的IBIS文件，則也可以選擇Updateo 設(shè)置合適的 OnDie Parasitics 和 Package Parasiticso 在本例中。nDie Parasitics 選擇 None, Package Parasitics使用Pin RLC封裝模型。單擊OK按鈕保存并退出控制器端的設(shè)置。 On-Die Parasitics在仿真非理想電源地時(shí)影響很大，特...

常見的信號(hào)質(zhì)量包括閾值電平、Overshoot、Undershoot、Slew Rate> tDVAC等，DDRx 信號(hào)質(zhì)量的每個(gè)參數(shù)JEDEC都給出了明確的規(guī)范。比如DDR3要求Overshoot和Undershoot 分別為0.4V,也就是說信號(hào)幅值P?P值應(yīng)該在-0.4-1.9V,但在實(shí)際應(yīng)用中由于不適合信號(hào) 端接使DDR信號(hào)質(zhì)量變差，通過仿真就可以找出合適端接，使信號(hào)質(zhì)量滿足JEDEC規(guī)范。 下面以DDR3 1066Mbps信號(hào)為例，通過一個(gè)實(shí)際案例說明DDR3信號(hào)質(zhì)量仿真。 在本案例中客戶反映實(shí)測(cè)CLK信號(hào)質(zhì)量不好。CLK信號(hào)從CUP (U100)出來經(jīng)過4片 DDR3 (...

DDR3（Double Data Rate 3）是一種常見的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）標(biāo)準(zhǔn)，它定義了數(shù)據(jù)傳輸和操作時(shí)的時(shí)序要求。以下是DDR3規(guī)范中常見的時(shí)序要求： 初始時(shí)序（Initialization Timing）tRFC：內(nèi)存行刷新周期，表示在關(guān)閉時(shí)需要等待多久才能開啟并訪問一個(gè)新的內(nèi)存行。tRP/tRCD/tRA：行預(yù)充電時(shí)間、行開放時(shí)間和行訪問時(shí)間，分別表示在執(zhí)行讀或?qū)懖僮髦靶枰A(yù)充電的短時(shí)間、行打開后需要等待的短時(shí)間以及行訪問的持續(xù)時(shí)間。tWR：寫入恢復(fù)時(shí)間，表示每次寫操作之間小需要等待的時(shí)間。數(shù)據(jù)傳輸時(shí)序（Data Transfer Timing）tDQSS：數(shù)...

常見的信號(hào)質(zhì)量包括閾值電平、Overshoot、Undershoot、Slew Rate> tDVAC等，DDRx 信號(hào)質(zhì)量的每個(gè)參數(shù)JEDEC都給出了明確的規(guī)范。比如DDR3要求Overshoot和Undershoot 分別為0.4V,也就是說信號(hào)幅值P?P值應(yīng)該在-0.4-1.9V,但在實(shí)際應(yīng)用中由于不適合信號(hào) 端接使DDR信號(hào)質(zhì)量變差，通過仿真就可以找出合適端接，使信號(hào)質(zhì)量滿足JEDEC規(guī)范。 下面以DDR3 1066Mbps信號(hào)為例，通過一個(gè)實(shí)際案例說明DDR3信號(hào)質(zhì)量仿真。 在本案例中客戶反映實(shí)測(cè)CLK信號(hào)質(zhì)量不好。CLK信號(hào)從CUP (U100)出來經(jīng)過4片 DDR3 (...

使用了一個(gè) DDR 的設(shè)計(jì)實(shí)例，來講解如何規(guī)劃并設(shè)計(jì)一個(gè) DDR 存儲(chǔ)系統(tǒng)，包括從系統(tǒng)性能分析，資料準(zhǔn)備和整理，仿真模型的驗(yàn)證和使用，布局布線約束規(guī)則的生成和復(fù)用，一直到的 PCB 布線完成，一整套設(shè)計(jì)方法和流程。其目的是幫助讀者掌握 DDR 系統(tǒng)的設(shè)計(jì)思路和方法。隨著技術(shù)的發(fā)展，DDR 技術(shù)本身也有了很大的改變，DDR 和 DDR2 基本上已經(jīng)被市場(chǎng)淘汰，而 DDR3 是目前存儲(chǔ)系統(tǒng)的主流技術(shù)。 并且，隨著設(shè)計(jì)水平的提高和 DDR 技術(shù)的普及，大多數(shù)工程師都已經(jīng)對(duì)如何設(shè)計(jì)一個(gè) DDR 系統(tǒng)不再陌生，基本上按照通用的 DDR 設(shè)計(jì)規(guī)范或者參考案例，在系統(tǒng)不是很復(fù)雜的情況下，都能夠一次...

單擊NetCouplingSummary,出現(xiàn)耦合總結(jié)表格，包括網(wǎng)絡(luò)序號(hào)、網(wǎng)絡(luò)名稱、比較大干擾源網(wǎng)絡(luò)、比較大耦合系數(shù)、比較大耦合系數(shù)所占走線長(zhǎng)度百分比、耦合系數(shù)大于0.05的走線 長(zhǎng)度百分比、耦合系數(shù)為0.01?0.05的走線長(zhǎng)度百分比、總耦合參考值。 單擊Impedance Plot (Collapsed),查看所有網(wǎng)絡(luò)的走線阻抗彩圖。注意，在彩圖 上方有一排工具欄，通過下拉按鈕可以選擇查看不同的網(wǎng)絡(luò)組，選擇不同的接收端器件，選 擇查看單端線還是差分線。雙擊Plot±的任何線段，對(duì)應(yīng)的走線會(huì)以之前定義的顏色(白色) 在Layout窗口中高亮顯示。 DDR3一致性測(cè)試是否包括高負(fù)載或...

單擊Check Stackup,設(shè)置PCB板的疊層信息。比如每層的厚度(Thickness)、介 電常數(shù)(Permittivity (Er))及介質(zhì)損耗(LossTangent)。 單擊 Enable Trace Check Mode,確保 Enable Trace Check Mode 被勾選。在走線檢查 流程中，可以選擇檢查所有信號(hào)網(wǎng)絡(luò)、部分信號(hào)網(wǎng)絡(luò)或者網(wǎng)絡(luò)組(Net Gr。叩s)?？梢酝ㄟ^ Prepare Nets步驟來選擇需要檢查的網(wǎng)絡(luò)。本例釆用的是檢查網(wǎng)絡(luò)組。檢查網(wǎng)絡(luò)組會(huì)生成較詳 細(xì)的阻抗和耦合檢查結(jié)果。單擊Optional： Setup Net Groups,出現(xiàn)Set...

DDR3一致性測(cè)試是一種用于檢查和驗(yàn)證DDR3內(nèi)存模塊在數(shù)據(jù)操作和傳輸方面一致性的測(cè)試方法。通過進(jìn)行一致性測(cè)試，可以確保內(nèi)存模塊在工作過程中能夠按照預(yù)期的方式讀取、寫入和傳輸數(shù)據(jù)。 一致性測(cè)試通常涵蓋以下方面： 電氣特性測(cè)試：對(duì)內(nèi)存模塊的電壓、時(shí)鐘頻率、時(shí)序等電氣特性進(jìn)行測(cè)試，以確保其符合規(guī)范要求。 讀寫測(cè)試：驗(yàn)證內(nèi)存模塊的讀取和寫入功能是否正常，并確保數(shù)據(jù)的正確性和一致性。 數(shù)據(jù)一致性檢查：通過檢查讀取的數(shù)據(jù)與預(yù)期的數(shù)據(jù)是否一致來驗(yàn)證內(nèi)存模塊的數(shù)據(jù)傳輸準(zhǔn)確性。 時(shí)序一致性測(cè)試：確認(rèn)內(nèi)存模塊的時(shí)序設(shè)置是否正確，并檢查內(nèi)存模塊對(duì)不同命令和操作的響應(yīng)是否符合規(guī)范。...

每個(gè) DDR 芯片獨(dú)享 DQS，DM 信號(hào)；四片 DDR 芯片共享 RAS#，CAS#，CS#，WE#控制信號(hào)?！DR 工作頻率為 133MHz?！DR 控制器選用 Xilinx 公司的 FPGA，型號(hào)為 XC2VP30_6FF1152C。得到這個(gè)設(shè)計(jì)需求之后，我們首先要進(jìn)行器件選型，然后根據(jù)所選的器件，準(zhǔn)備相關(guān)的設(shè)計(jì)資料。一般來講，對(duì)于經(jīng)過選型的器件，為了使用這個(gè)器件進(jìn)行相關(guān)設(shè)計(jì)，需要有如下資料。 · 器件數(shù)據(jù)手冊(cè) Datasheet：這個(gè)是必須要有的。如果沒有器件手冊(cè)，是沒有辦法進(jìn)行設(shè)計(jì)的（一般經(jīng)過選型的器件，設(shè)計(jì)工程師一定會(huì)有數(shù)據(jù)手冊(cè)）。 DDR3一致性測(cè)試是否可以修復(fù)一致...

DDR信號(hào)的DC和AC特性要求之后，不知道有什么發(fā)現(xiàn)沒有?對(duì)于一般信號(hào)而言，DC和AC特性所要求(或限制)的就是信號(hào)的電平大小問題。但是在DDR中的AC特性規(guī)范中，我們可以注意一下，其Overshoot和Undershoot指向的位置，到底代表什么含義?有些讀者可能已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，是沒有辦法從這個(gè)指示當(dāng)中獲得準(zhǔn)確的電壓值的。這是因?yàn)?，在DDR中，信號(hào)的AC特性所要求的不再是具體的電壓值，而是一個(gè)電源和時(shí)間的積分值。影面積所示的大小，而申壓和時(shí)間的積分值，就是能量!因此，對(duì)于DDR信號(hào)而言，其AC特性中所要求的不再是具體的電壓幅值大小，而是能量的大小!這一點(diǎn)是不同于任何一個(gè)其他信號(hào)體制的，而且能量信號(hào)...

DDR3： DDR3釆用SSTL_15接口，I/O 口工作電壓為1.5V；時(shí)鐘信號(hào)頻率為400? 800MHz；數(shù)據(jù)信號(hào)速率為800?1600Mbps,通過差分選通信號(hào)雙沿釆樣；地址/命令/控制信 號(hào)在1T模式下速率為400?800Mbps,在2T模式下速率為200?400Mbps；數(shù)據(jù)和選通信號(hào) 仍然使用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)或樹形拓?fù)?，時(shí)鐘/地址/命令/控制信號(hào)則改用Fly-by的拓?fù)洳季€；數(shù)據(jù)和選 通信號(hào)有動(dòng)態(tài)ODT功能；使用Write Leveling功能調(diào)整時(shí)鐘和選通信號(hào)間因不同拓?fù)湟鸬?延時(shí)偏移，以滿足時(shí)序要求。在DDR3一致性測(cè)試期間能否繼續(xù)進(jìn)行其他任務(wù)？上海DDR3測(cè)試市場(chǎng)價(jià)為了改善地址信號(hào)...

DDRx接口信號(hào)的時(shí)序關(guān)系 DDR3的時(shí)序要求大體上和DDR2類似，作為源同步系統(tǒng)，主要有3組時(shí)序設(shè)計(jì)要求。 一組是DQ和DQS的等長(zhǎng)關(guān)系，也就是數(shù)據(jù)和選通信號(hào)的時(shí)序；一組是CLK和ADDR/CMD/ CTRL的等長(zhǎng)關(guān)系，也就是時(shí)鐘和地址控制總線的關(guān)系；一組是CLK和DQS的關(guān)系， 也就是時(shí)鐘和選通信號(hào)的關(guān)系。其中數(shù)據(jù)和選通信號(hào)的時(shí)序關(guān)系又分為讀周期和寫周期兩個(gè) 方向的時(shí)序關(guān)系。 要注意各組時(shí)序的嚴(yán)格程度是不一樣的，作為同組的數(shù)據(jù)和選通信號(hào)，需要非常嚴(yán)格的 等長(zhǎng)關(guān)系。Intel或者一些大芯片廠家，對(duì)DQ組的等長(zhǎng)關(guān)系經(jīng)常在土25mil以內(nèi)，在高速的 DDR3設(shè)計(jì)時(shí)，甚至?xí)笤凇?..

DDRx接口信號(hào)的時(shí)序關(guān)系 DDR3的時(shí)序要求大體上和DDR2類似，作為源同步系統(tǒng)，主要有3組時(shí)序設(shè)計(jì)要求。 一組是DQ和DQS的等長(zhǎng)關(guān)系，也就是數(shù)據(jù)和選通信號(hào)的時(shí)序；一組是CLK和ADDR/CMD/ CTRL的等長(zhǎng)關(guān)系，也就是時(shí)鐘和地址控制總線的關(guān)系；一組是CLK和DQS的關(guān)系， 也就是時(shí)鐘和選通信號(hào)的關(guān)系。其中數(shù)據(jù)和選通信號(hào)的時(shí)序關(guān)系又分為讀周期和寫周期兩個(gè) 方向的時(shí)序關(guān)系。 要注意各組時(shí)序的嚴(yán)格程度是不一樣的，作為同組的數(shù)據(jù)和選通信號(hào)，需要非常嚴(yán)格的 等長(zhǎng)關(guān)系。Intel或者一些大芯片廠家，對(duì)DQ組的等長(zhǎng)關(guān)系經(jīng)常在土25mil以內(nèi)，在高速的 DDR3設(shè)計(jì)時(shí)，甚至?xí)笤凇?..

閉賦模型窗口，在菜單中選擇 Analyze-*Preferences..,在 InterconnectModels 項(xiàng) 目欄中設(shè)置與提取耦合線模型相關(guān)的參數(shù)，如圖1?125所示。改變Min Coupled Length的值為 lOOmil,也就是說當(dāng)耦合線長(zhǎng)度超過lOOmil時(shí)，按耦合模型提取，少于lOOmil時(shí)，按單線模 型提取。 單擊Via modeling setup按鈕，在過孔模型設(shè)置界面將Target Frequency設(shè)置成533 MHz (因?yàn)橐抡娴臅r(shí)鐘頻率是533MHz)。 單擊OK按鈕，關(guān)閉參數(shù)設(shè)置窗口。在菜單中選擇Analyze-*Probe..,在...

有其特殊含義的，也是DDR體系結(jié)構(gòu)的具體體現(xiàn)。而遺憾的是，在筆者接觸過的很多高速電路設(shè)計(jì)人員中，很多人還不能夠說清楚這兩個(gè)圖的含義。在數(shù)據(jù)寫入(Write)時(shí)序圖中，所有信號(hào)都是DDR控制器輸出的，而DQS和DQ信號(hào)相差90°相位，因此DDR芯片才能夠在DQS信號(hào)的控制下，對(duì)DQ和DM信號(hào)進(jìn)行雙沿采樣:而在數(shù)據(jù)讀出(Read)時(shí)序圖中，所有信號(hào)是DDR芯片輸出的，并且DQ和DQS信號(hào)是同步的，都是和時(shí)鐘沿對(duì)齊的!這時(shí)候?yàn)榱艘獙?shí)現(xiàn)對(duì)DQ信號(hào)的雙沿采樣，DDR控制器就需要自己去調(diào)整DQS和DQ信號(hào)之間的相位延時(shí)!!!這也就是DDR系統(tǒng)中比較難以實(shí)現(xiàn)的地方。DDR規(guī)范這樣做的原因很簡(jiǎn)單，是要把邏輯設(shè)...

單擊Next按鈕，出現(xiàn)Setup Trace Check Wizard窗口，確保網(wǎng)絡(luò)組的所有網(wǎng)絡(luò)都被選中, 單擊Finish按鈕。 單擊Save File with Error Check保存文件，保存結(jié)束后，單擊Start Simulation開始仿 真。仿真完成后，仿真結(jié)果包括Workflow中Results and Report的所有內(nèi)容。如果在Setup Trace Check Parameters 的步驟 net selection 時(shí)選的是 check all signal nets 或者 check all enabled signal nets 模式，那么仿真結(jié)果...

容量與組織：DDR規(guī)范還涵蓋了內(nèi)存模塊的容量和組織方式。DDR內(nèi)存模塊的容量可以根據(jù)規(guī)范支持不同的大小，如1GB、2GB、4GB等。DDR內(nèi)存模塊通常以多個(gè)內(nèi)存芯片排列組成，其中每個(gè)內(nèi)存芯片被稱為一個(gè)芯粒（die），多個(gè)芯粒可以組成密集的內(nèi)存模塊。電氣特性：DDR規(guī)范還定義了內(nèi)存模塊的電氣特性，包括供電電壓、電流消耗、輸入輸出電平等。這些電氣特性對(duì)于確保DDR內(nèi)存模塊的正常工作和兼容性至關(guān)重要。兼容性：DDR規(guī)范還考慮了兼容性問題，確保DDR內(nèi)存模塊能夠與兼容DDR接口的主板和控制器正常配合。例如，保留向后兼容性，允許支持DDR接口的控制器工作在較低速度的DDR模式下。何時(shí)需要將DDR3內(nèi)存模...

DDR信號(hào)的DC和AC特性要求之后，不知道有什么發(fā)現(xiàn)沒有?對(duì)于一般信號(hào)而言，DC和AC特性所要求(或限制)的就是信號(hào)的電平大小問題。但是在DDR中的AC特性規(guī)范中，我們可以注意一下，其Overshoot和Undershoot指向的位置，到底代表什么含義?有些讀者可能已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，是沒有辦法從這個(gè)指示當(dāng)中獲得準(zhǔn)確的電壓值的。這是因?yàn)?，在DDR中，信號(hào)的AC特性所要求的不再是具體的電壓值，而是一個(gè)電源和時(shí)間的積分值。影面積所示的大小，而申壓和時(shí)間的積分值，就是能量!因此，對(duì)于DDR信號(hào)而言，其AC特性中所要求的不再是具體的電壓幅值大小，而是能量的大小!這一點(diǎn)是不同于任何一個(gè)其他信號(hào)體制的，而且能量信號(hào)...

容量與組織：DDR規(guī)范還涵蓋了內(nèi)存模塊的容量和組織方式。DDR內(nèi)存模塊的容量可以根據(jù)規(guī)范支持不同的大小，如1GB、2GB、4GB等。DDR內(nèi)存模塊通常以多個(gè)內(nèi)存芯片排列組成，其中每個(gè)內(nèi)存芯片被稱為一個(gè)芯粒（die），多個(gè)芯?？梢越M成密集的內(nèi)存模塊。電氣特性：DDR規(guī)范還定義了內(nèi)存模塊的電氣特性，包括供電電壓、電流消耗、輸入輸出電平等。這些電氣特性對(duì)于確保DDR內(nèi)存模塊的正常工作和兼容性至關(guān)重要。兼容性：DDR規(guī)范還考慮了兼容性問題，確保DDR內(nèi)存模塊能夠與兼容DDR接口的主板和控制器正常配合。例如，保留向后兼容性，允許支持DDR接口的控制器工作在較低速度的DDR模式下。為什么要進(jìn)行DDR3一致...

DDR（Double Data Rate）是一種常見的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）標(biāo)準(zhǔn)。以下是對(duì)DDR規(guī)范的一些解讀：DDR速度等級(jí)：DDR規(guī)范中定義了不同的速度等級(jí)，如DDR-200、DDR-400、DDR2-800、DDR3-1600等。這些速度等級(jí)表示內(nèi)存模塊的速度和帶寬，通常以頻率來表示（例如DDR2-800表示時(shí)鐘頻率為800 MHz）。數(shù)據(jù)傳輸方式：DDR采用雙倍數(shù)據(jù)傳輸率，即在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)進(jìn)行兩次數(shù)據(jù)傳輸，相比于單倍數(shù)據(jù)傳輸率（SDR），DDR具有更高的帶寬。時(shí)序要求：DDR規(guī)范定義了內(nèi)存模塊的各種時(shí)序要求，包括初始時(shí)序、數(shù)據(jù)傳輸時(shí)序、刷新時(shí)序等。這些時(shí)序要求確保內(nèi)存模塊能夠...

LPDDR2 (低功耗 DDR2) : LPDDR2 釆用 HSUL_12 接口，I/O 口工作電壓為 1.2V；時(shí) 鐘信號(hào)頻率為166?533MHz；數(shù)據(jù)和命令地址(CA)信號(hào)速率333?1066Mbps,并分別通過 差分選通信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)的雙沿釆樣；控制信號(hào)速率為166?533Mbps,通過時(shí)鐘信號(hào)上升沿 采樣；一般用于板載(Memory?down)設(shè)計(jì)，信號(hào)通常為點(diǎn)對(duì)點(diǎn)或樹形拓?fù)洌瑳]有ODT功能。 LPDDR3 0氐功耗DDR3) : LPDDR3同樣釆用HSUL_12接口，I/O 口工作電壓為1.2V； 時(shí)鐘信號(hào)頻率為667?1066MHz；數(shù)據(jù)和命令地址(CA)信號(hào)速率為1...

高速DDRx總線概述 DDR SDRAM 全稱為 Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory? 中 文名可理解為“雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”。DDR SDRAM是在原單倍速率SDR SDRAM 的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來的，嚴(yán)格地說DDR應(yīng)該叫作DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱之為DDR。 DDRx發(fā)展簡(jiǎn)介 代DDR （通常稱為DDR1）接口規(guī)范于2000年由JEDEC組織 發(fā)布。DDR經(jīng)過幾代的發(fā)展，現(xiàn)在市面上主要流行DDR3,而的DDR4規(guī)范也巳經(jīng)發(fā) 布，甚至出現(xiàn)了部分DDR4的產(chǎn)品。Cadence的系統(tǒng)仿...

· 工業(yè)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)，Specification：如果所設(shè)計(jì)的功能模塊要實(shí)現(xiàn)某種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)接口或者協(xié)議，那一定要找到相關(guān)的工業(yè)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)，讀懂規(guī)范之后，才能開始設(shè)計(jì)。 因此，為實(shí)現(xiàn)本設(shè)計(jì)實(shí)例中的 DDR 模塊，需要的技術(shù)資料和文檔。 由于我們要設(shè)計(jì) DDR 存儲(chǔ)模塊，那么在所有的資料當(dāng)中，應(yīng)該較早了解 DDR 規(guī)范。通過對(duì) DDR 規(guī)范文件「JEDEC79R2.pdf」的閱讀，我們了解到，設(shè)計(jì)一個(gè) DDR 接口，需要滿足規(guī)范中規(guī)定的 DC，AC 特性及信號(hào)時(shí)序特征。下面我們從設(shè)計(jì)規(guī)范要求和器件本身特性兩個(gè)方面來解讀，如何在設(shè)計(jì)中滿足設(shè)計(jì)要求。 DDR3一致性測(cè)試期間可能發(fā)生的常見錯(cuò)誤有...

雙擊PCB模塊打開其Property窗口,切換到LayoutExtraction選項(xiàng)卡，在FileName處瀏覽選擇備好的PCB文件ddr3.spdo在ExtractionEngine下拉框里選擇PowerSL所小。SystemSI提供PowerSI和SPEED2000Generator兩種模型提取引擎。其中使用PowerSI可以提取包含信號(hào)耦合，考慮非理想電源地的S參數(shù)模型；而使用SPEED2000Generator可以提取理想電源地情況下的非耦合信號(hào)的SPICE模型。前者模型提取時(shí)間長(zhǎng)，但模型細(xì)節(jié)完整，適合終的仿真驗(yàn)證；后者模型提取快，SPICE模型仿真收斂性好，比較適合設(shè)計(jì)前期的快速仿真...